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公开(公告)号：CN103572234A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310498648.1
申请日：2013-10-22
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种(006)择优取向γ-In2Se3薄膜的制备方法，属于材料技术领域。其步骤为：A：清洗基片，B：溅射In2Se3薄膜：在磁控溅射靶枪上安装高纯的铟硒靶，纯度达到99.99%，铟硒原子百分比接近2:3，调整溅射靶枪到基片的距离为6厘米，溅射薄膜前将真空室的本底真空抽到小于2×10-4Pa，通入99.995%的高纯氩气，调节溅射工作气压为0.1-0.5Pa，溅射功率为4W/cm2，衬底温度为360℃，待辉光稳定后，预溅射靶材10分钟以除去表面污染物。然后开始沉积薄膜，沉积时间为75～450秒后停止，得到具有(006)择优取向的单一γ相In2Se3薄膜。该薄膜结晶质量高，表面形貌均匀，没有空隙和裂缝。
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公开(公告)号：CN102745983B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201210150303.2
申请日：2012-05-15
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高温超导涂层导体的Eu1-xCaxBiO3缓冲层及其制备的方法。对高温超导涂层导体EuBiO3缓冲层进行Eu的Ca的替代后，使EuBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调，从而调整EuBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情况，得到一系列新的高温超导涂层导体的缓冲层Eu1-xCaxBiO3，其中0.1≤x≤0.4。此外，该缓冲层能在810℃左右空气中外延生长，其结构致密并且表面平整。并在随后的高温超导涂层导体的超导层的制备过程中保持结构的稳定。本发明Eu1-xCaxBiO3缓冲层的制备方法采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备，成本低廉，适合大规模沉积。
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公开(公告)号：CN102509763B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201110341294.0
申请日：2011-11-02
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体La0.7Sr0.3MnO3缓冲层薄膜的方法，属于高温超导材料制备技术领域。该方法制备的薄膜平整致密，织构良好，可以充分发挥La0.7Sr0.3MnO3作为导电型缓冲层薄膜具有的隔离、外延、电流传输的三重功效。本发明包括以下步骤：分析纯氧化镧(La2O3)按阳离子比La∶Sr∶Mn＝0.7∶0.3∶1的比例，溶解于乙酸中(乙酸与阳离子摩尔比为10∶1)。待完全溶解后，将溶液置于红外干燥箱中，待溶液被烘干成白色固体后取出。将乙酸锶和乙酸锰按照上述阳离子比La∶Sr∶Mn＝0.7∶0.3∶1的比例与制得的白色固体(即乙酸镧)混和溶解在丙酸中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB)，制成成膜性好的胶体；再将胶体涂覆在基片上，干燥后，放入烧结炉中烧结成相，即得镧锶锰氧La0.7Sr0.3MnO3高温超导涂层导体缓冲层。该方法成本不高，制作工艺简单，操作控制容易，不污染环境。
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公开(公告)号：CN102222761B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110090543.3
申请日：2011-04-12
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜的方法，包括以下步骤：将硝酸镧(La(NO3)3·6H2O)和硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)溶解在乙二醇甲醚中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙二醇-20000(polyethylene glycol，PEG-20000)，制成成膜性好的胶体；再将胶体涂覆在基片上，干燥后，放入烧结炉中烧结成相，即得镧锆氧(La2Zr2O7)高温超导涂层导体缓冲层。该方法的制作成本低，易制得高品质的La2Zr2O7薄膜，能有效地发挥涂层导体缓冲层的作用。
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公开(公告)号：CN102122549B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201110020772.8
申请日：2011-01-18
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明提供了一种葡萄糖在制备掺杂二硼化镁超导材料中的用途，涉及高温超导材料制备技术领域。其作法是：按摩尔比1∶2-2.1分别称量镁粉和硼粉；再按镁粉和硼粉的总质量与葡萄糖的质量比1∶0.03-0.1称量葡萄糖，将镁粉、硼粉和葡萄糖的粉末均匀混合成混合粉末，然后在氩气气氛保护下进行烧结，烧结的温度为800℃-900℃、保温时间0.5-2个小时，即得一种以葡萄糖为碳源的掺杂二硼化镁的超导材料。利用该法制备的二硼化镁超导材料，临界电流密度显著提高，尤其是在高磁场下临界电流密很高，有利于其在高磁场下的应用，实用性强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102723141A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210181622.X
申请日：2012-06-05
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明公开了一种高温超导涂层导体Gd1-xCaxBiO3缓冲层，其特征在于，为对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Ca的替代进而外延成相热处理生成氧化物Gd1-xCaxBiO3固溶体，其中0.1≤x≤0.4。本发明所述高温超导涂层导体的Gd1-xCaxBiO3缓冲层，它是对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Ca的替代后，将使GdBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调，从而调整GdBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情况，该缓冲层能在810℃左右空气中外延生长，其结构致密并且表面平整，并在随后的高温超导涂层导体的超导层的制备过程中保持结构的稳定。本发明所述的Gd1-xCaxBiO3缓冲层的制备方法，该方法采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备，具有成本低廉，操作控制容易，适合大规模沉积等优点。
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公开(公告)号：CN102701729A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210149578.4
申请日：2012-05-15
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体的Sm1-xCaxBiO3缓冲层及其制备的方法。一，提供了一种高温超导涂层导体的缓冲层，它是对高温超导涂层导体SmBiO3缓冲层进行Sm的Ca的替代后，将使SmBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调，从而调整SmBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情况，得到的一系列新的高温超导涂层导体的缓冲层Sm1-xCaxBiO3，其中0.1≤x≤0.4。此外，该缓冲层能在800℃左右空气中外延生长，其结构致密并且表面平整。并在随后的高温超导涂层导体的超导层的制备过程中保持结构的稳定。二，公开了Sm1-xCaxBiO3缓冲层的制备方法，该方法采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备，具有成本低廉，适合大规模沉积等优点。
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公开(公告)号：CN102509763A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110341294.0
申请日：2011-11-02
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体La0.7Sr0.3MnO3缓冲层薄膜的方法，属于高温超导材料制备技术领域。该方法制备的薄膜平整致密，织构良好，可以充分发挥La0.7Sr0.3MnO3作为导电型缓冲层薄膜具有的隔离、外延、电流传输的三重功效。本发明包括以下步骤：分析纯氧化镧(La2O3)按阳离子比La∶Sr∶Mn＝0.7∶0.3∶1的比例，溶解于乙酸中(乙酸与阳离子摩尔比为10∶1)。待完全溶解后，将溶液置于红外干燥箱中，待溶液被烘干成白色固体后取出。将乙酸锶和乙酸锰按照上述阳离子比La∶Sr∶Mn＝0.7∶0.3∶1的比例与制得的白色固体(即乙酸镧)混和溶解在丙酸中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB)，制成成膜性好的胶体；再将胶体涂覆在基片上，干燥后，放入烧结炉中烧结成相，即得镧锶锰氧La0.7Sr0.3MnO3高温超导涂层导体缓冲层。该方法成本不高，制作工艺简单，操作控制容易，不污染环境。
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公开(公告)号：CN102383085A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110342484.4
申请日：2011-11-02
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明公开了一种自氧化外延制备双面织构涂层导体NiO缓冲层的方法，包括以下步骤：a、基带的表面腐蚀修饰：将退火处理后双轴织构NiW合金(200)基带(宽为10mm)，正反两面先后经过酒精，丙酮清洗后，在稀释后浓度为30％-50％的硝酸溶液中悬空浸渍40-120s，取出洗净，双面晾干。再将其在150体积的氨水和1-4体积的双氧水配置的混合修饰液中悬空浸渍20-60s，取出，洗净，双面晾干；b、氧化热处理：将a步表面腐蚀修饰后的NiW合金(200)基带(宽为10mm)悬空放入内径大于10mm，小于13mm的陶瓷管中，再将陶瓷管推入管式气氛烧结炉中在氩气气氛中740-800℃温度条件下，氧化热处理20-50分钟，取出即得。该方法制作成本低，工艺简单，易制得品质良好的双面NiO(200)缓冲层薄膜，并且厚度容易控制，能有效地发挥涂层导体缓冲层的作用。此外，本悬空放置于陶瓷管的方法也适合制备其它涂层导体的双面缓冲层或超导层。
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公开(公告)号：CN101229971B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200810044806.5
申请日：2008-02-22
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C01G51/00 , H01B12/00
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种水合钠钴氧超导材料的制备方法，其中前驱体制备的作法为：按钠钴氧(NaxCoO2，0.5≤x≤1.0)中钠、钴的摩尔比Na∶Co＝x∶1称量原料碳酸钠(Na2CO3)与草酸钴(CoC2O4)，将原料溶解于25％-35％的氨水中进行反应，用喷雾器将反应后的溶液喷入液氮中，再放入真空干燥器内，进行冷冻真空干燥，得到混合粉末；将混合粉末升温到500-700℃，保温1-20小时，进行热分解；再升温至700-900℃，保温1-30小时进行烧结；然后自然冷却到室温，取出烧结物并研磨成粉末。该方法生成物的化学组分确定、易于事先控制、颗粒均匀、粒度小、材料性能好；制备温度低、周期短，成本低。
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