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公开(公告)号：CN109585667A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811525079.4
申请日：2018-12-13
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种电光纳米涂料结构器件，包括：依次复合的基底、电子输运层、电介质层、发光涂料层、导电层和封装层，以及分别与电子输运层和导电层相连的正负电极，所述发光涂料层由发光纳米涂料制备而成，所述发光纳米涂料包括发光纳米材料和溶剂。本发明提供的电光纳米涂料结构器件中发光涂料层所用的发光涂料具有颜色多种可选、稳定性高、成本低、合成工艺简单且光量子效率高等特点。相比传统涂料工艺，本发明利用电致发光原理在不改变涂料原有的优良附着力的情况下，掺入纳米电光材料，在白天发光图案被隐藏于环境之中，黑暗环境时通电可视发光图形。
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公开(公告)号：CN104730621B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201510097954.3
申请日：2015-03-05
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种基于金属‑介电层‑半导体复合纳米结构的光波导分束器及其制备方法，属于光集成器件技术领域。本发明首次利用金属材料与半导体材料之间的光学耦合在微纳尺度范围内设计了一种光波导分束器。本发明所设计的光波导分束器包括半导体层、介电层、纳米金属颗粒层，所述介电层位于半导体层与纳米金属颗粒层之间；所述半导体层为CdS等半导体材料纳米带；所述介电层为HfO2等高电阻率材料层；所述纳米金属颗粒层为Au等贵重金属纳米颗粒层，所述纳米金属颗粒以周期性阵列结构附着在介电层上。本发明对于实现纳米级的光集成器件以及多光束干涉具有重要意义。
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公开(公告)号：CN107123706A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710225090.8
申请日：2017-04-07
Applicant: 湖南大学
CPC classification number: H01L33/005 , C23C16/30 , H01L33/26
Abstract: 本发明涉及本发明涉及一种CVD构建CsPbBr3纳米片电致发光器件的方法。其制备方法为：将摩尔比为1.85‑2.05:1的CsBr和PbBr2粉装入磁舟1，并将刻蚀有电极的ITO玻璃片平铺于磁舟2上后，将磁舟1置于水平管式炉的中部，将磁舟2置于水平管式炉中靠近出气口的一端；通入载气，排出炉内空气后，通入载气，并升温至磁舟1的加热温度为570‑600℃、磁舟2的加热温度为300‑400℃，进行沉积，得到产品。本发明首次用一种简单的方法在ITO电极上构建了CsPbBr3纳米片器件，并得到了在电注入下的发光。所得器件性能高效稳定，可以应用于纳米级光电集成电路。
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公开(公告)号：CN104695020B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510098082.2
申请日：2015-03-05
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种条状InAs纳米带及其制备和应用，属于半导体材料制备与应用技术领域。本发明所述InAs纳米带是化学式为InAs的条状纳米带，所述条状InAs纳米带的带宽为500nm-4μm；长度为5-50μm。本发明通过先沉积得到InAs纳米线，然后控制调整蒸气中In与As的摩尔比为100-1000:1，使得InAs纳米线在沿长度方向生长的同时也往宽度方向生长；得到了结晶质量高的条状InAs纳米带。本发明所设计以及制备的条状InAs纳米带用于集成半导体器件的制备时具有高迁移率、高集成度、好操作等方面的优势。
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公开(公告)号：CN104762608A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510097740.6
申请日：2015-03-05
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种生长方向可控制的水平CdS纳米线阵列的制备方法，属于一维半导体纳米材料制备技术领域。本发明首次采用一种简单的方法实现了硫化镉纳米线方向的可控制生长，得到的纳米线长度可达到几十微米长，直径为100纳米左右。本发明的工艺技术简单，控制方便，便于大规模生产应用。同时本发明的所设计的工艺以及所制备的成品将在基本物理研究和纳米级功能器件的集成方面具有重要的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103938047A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410072086.9
申请日：2014-02-28
Applicant: 湖南大学
Abstract: 二维原子层级别超薄材料在纳米电子学、光电子学和光子学应用的关键是其带隙的调节。本发明首次用一种简单的方法合成了组分渐变的三角形MoS2xSe2(1-x)薄片，大小为几十微米，厚度为几个原子层。在激光激发下，样品的拉曼光谱及光致发光光谱很好地证实了其组分的可调性。所有的样品都展示出了很好的单一带边发射性能：光致发光位置从668纳米（MoS2）调节至795纳米（MoSe2），表明所合成全组分合金质量很高。这种带隙设计的二维结构在基本物理研究和纳米级功能性光电子器件的潜在性应用上将会令人关注。
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公开(公告)号：CN119229796B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411732893.9
申请日：2024-11-29
Applicant: 北京数字光芯集成电路设计有限公司 , 湖南大学
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明涉及微显示技术领域，公开了一种Micro‑LED显示芯片及适用于其的像素驱动方法、电子设备，包括芯片驱动电路使用数字扫描方式驱动LED发光元件进行画面显示，且所述数字扫描方式是使用PWM驱动信号控制LED发光元件开关实现显示画面的灰阶；驱动Micro‑LED显示芯片的像素灰阶数据为N位比特数据，在第Bi位比特数据时将LED发光元件的驱动电流增加为原来的2m倍，且2≦i≦N‑1，且1≦m≦i；所述像素灰阶数据的各个比特位的权重总和下降2i‑m×(2N‑i‑1)×(2m‑1)。本发明在对高比特位的数据扫描过程中增加LED的驱动电流的方式，降低驱动扫描过程中所需要的像素时钟频率，从而降低了对Micro‑LED显示芯片周边驱动电路的性能需求。
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公开(公告)号：CN119229827A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411732890.5
申请日：2024-11-29
Applicant: 北京数字光芯集成电路设计有限公司 , 湖南大学
Abstract: 本发明涉及微显示技术领域，公开了微显示芯片及其异常信息的可视化显示方法，包括：对每一帧视频数据进行一次CRC校验，并与视频数据内该帧结束后所传递的在视频源侧形成的CRC校验结果进行对比；对每一帧的行列数量进行校验，以检测视频数据的画面分辨率是否与视频数据显示像素阵列的物理分辨率相匹配；对当前传输的视频数据的帧数进行校验，以检测当前帧的顺序值是否与视频数据所传送的帧顺序值一致；对当前微显示芯片的运行温度进行检测，判断其是否超出预设阈值；对微显示芯片的显示驱动电路的运行状态进行校验，以检测其工作状态是否正常。本发明的显示方法能够同时实现对视频数据及芯片驱动电路的校验，且能够以直观的可视化显示体现校验结果。
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公开(公告)号：CN119133208A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411240207.6
申请日：2024-09-05
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本申请公开了防光串扰的堆叠结构Micro‑LED显示模块及其制备方法；涉及光学半导体领域，该显示模块包括多个阵列设置的像素点单元，像素点单元包括堆叠设置的基板层和钝化层，基板层和钝化层之间设有多个发光区块，多个发光区块堆叠设置；每个发光区块上均设有N电极，多个N电极之间相互不连通，多个发光区块共同连接有P电极；N电极与P电极之间通过钝化层隔绝；该方法是通过逐层堆叠并图案化制备的该显示模块；本申请将多个发光区块的电极分隔设置，正反向电压或电流的控制下，使短波长LED对长波长LED光致发光效应产生的光生载流子反向迁移，不在发光层复合发光，实现不同波长完全依靠电控制发光，在外加偏压调控的情况下，减少多色堆叠Micro‑LED芯片中光串扰的现象，提高Micro‑LED显示的饱和度。
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公开(公告)号：CN118853199A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410882703.5
申请日：2024-07-03
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种液晶粒子和量子点的处理方法、产品及其应用，该方法包括：将表面具有分散性配体和交联性配体的量子点通过交联性配体与液晶粒子结合后形成量子点和液晶粒子的复合粒子，复合粒子分散在预配溶液中经外场调控实现空间有序取向，使得量子点和液晶粒子的复合粒子能够均匀、有序、空间取向一致地分布在溶液中，经固化定型后的产品制成的电致发光器件如光场调制发光器件能够提供不同的功能如实现特定取向下亮度的提升，光线的束缚以及对偏振光源进行选择，从而能够应用在不同的场景中如微型偏振显示器和微型光热治疗仪等。
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