公开(公告)号：CN104695020A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510098082.2

申请日：2015-03-05

Applicant: 湖南大学

Inventor： 潘安练 ,  马亮 ,  朱小莉

IPC: C30B29/40 ,  C30B29/64 ,  C30B25/02

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明涉及一种条状InAs纳米带及其制备和应用，属于半导体材料制备与应用技术领域。本发明所述InAs纳米带是化学式为InAs的条状纳米带，所述条状InAs纳米带的带宽为500nm-4μm；长度为5-50μm。本发明通过先沉积得到InAs纳米线，然后控制调整蒸气中In与As的摩尔比为100-1000:1，使得InAs纳米线在沿长度方向生长的同时也往宽度方向生长；得到了结晶质量高的条状InAs纳米带。本发明所设计以及制备的条状InAs纳米带用于集成半导体器件的制备时具有高迁移率、高集成度、好操作等方面的优势。

公开(公告)号：CN104695020B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201510098082.2

申请日：2015-03-05

Applicant: 湖南大学

Inventor： 潘安练 ,  马亮 ,  朱小莉

IPC: C30B29/40 ,  C30B29/64 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明涉及一种条状InAs纳米带及其制备和应用，属于半导体材料制备与应用技术领域。本发明所述InAs纳米带是化学式为InAs的条状纳米带，所述条状InAs纳米带的带宽为500nm-4μm；长度为5-50μm。本发明通过先沉积得到InAs纳米线，然后控制调整蒸气中In与As的摩尔比为100-1000:1，使得InAs纳米线在沿长度方向生长的同时也往宽度方向生长；得到了结晶质量高的条状InAs纳米带。本发明所设计以及制备的条状InAs纳米带用于集成半导体器件的制备时具有高迁移率、高集成度、好操作等方面的优势。