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公开(公告)号：CN112225910B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202011096082.6
申请日：2020-10-14
申请人： 湖北大学 , 武汉睿联智创光电有限公司
IPC分类号： C08J3/075 , C08F220/56 , C08F222/38 , C08K3/28 , C08K3/16 , C08K5/17 , C08L33/26
摘要： 本发明提供了一种抗冻锁水性能可调节的有机水凝胶及其制备方法和应用；该有机水凝胶的制备方法，包括以下步骤：将单体、交联剂以及交联促进剂加入至复合溶剂中，震荡后得到第一溶液；将引发剂、离子导体加入至复合溶剂中，震荡后得到第二溶液；将第二溶液加入至第一溶液中，固化后即得有机水凝胶；单体包括丙烯酰胺、丙烯酸、N‑异丙基丙烯酰胺中的一种；复合溶剂为醇和水混合而成；离子导体包括氯化铵、氯化锂、氯化钠、氟化铵、氟化钠中的一种。本发明的有机水凝胶的制备方法，通过加入引发剂和离子导体，3s即可固化成型，实现对有机水凝胶抗冻和锁水能力的调控，其在远低于水的冰点温度下仍不结冰，具有卓越的耐受低温的能力。
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公开(公告)号：CN114141892A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111425494.4
申请日：2021-11-26
申请人： 湖北大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/06 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种铁电‑半导体量子点耦合增强型太阳能电池及其制备方法。本发明的铁电极化增强的太阳能电池，通过在n型窗口层和p型光吸收层之间插入铁电层，铁电层的材料为BaTiO3、Pb(Zr,Ti)O3、(K,Na)NbO3、BiFeO3、Bi0.98Ca0.02Fe0.95Mn0.05O3中的任一种，铁电层的材料具有自发极化的特性，在外部极化电压的作用下，铁电材料内部电偶极子会发生定向排列，撤去极化电压后，铁电材料内部会仍然存在一个铁电退极化电场，将铁电层中铁电退极化电场引入太阳能电池内部，利用p‑n结内建电场和铁电退极化电场共同分离光生载流子从而实现电池光电转换效率的提升。
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公开(公告)号：CN112210755B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010934605.3
申请日：2020-09-08
申请人： 湖北大学 , 武汉睿联智创光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种p型透明导电SnO2半导体薄膜及其制备方法和应用，p型透明导电SnO2半导体薄膜的制备方法，包括：制备Mg掺杂的SnO2陶瓷靶材；提供一衬底，利用Mg掺杂的SnO2陶瓷靶材，在衬底表面制备得到Mg掺杂的SnO2薄膜；在氧气氛围下于600～800℃下对Mg掺杂的SnO2薄膜进行退火，即得p型透明导电SnO2半导体薄膜。本发明的p型透明导电SnO2半导体薄膜的制备方法，利用Mg2+进入替位和间隙位所需能量不同的特点，通过在适宜温度及富氧条件下进行退火处理将间隙Mg2+迁移到替位进一步提高载流子浓度，获得高质量p型透明导电SnO2超宽禁带半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN111293181B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010099290.5
申请日：2020-02-18
申请人： 湖北大学 , 武汉睿联智创光电有限公司
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种MSM型α‑Ga2O3基日盲紫外光探测器及其制备方法。所述探测器从下至上依次包括a面蓝宝石衬底、有源层、一对平行金属电极，其中：所述有源层为(110)取向的α‑Ga2O3薄膜。本发明利用α‑Ga2O3与蓝宝石具有相同的晶型及较低的晶格失配率，在a面蓝宝石上生长结晶质量较好的(110)取向的α‑Ga2O3薄膜，该薄膜具有高电子迁移率使器件增益大，所以器件的光暗电流比大，响应度高。另外，本发明制得的MSM结构的日盲紫外光探测器结构和制作工艺简单，且本发明制得的探测器对245nm波长的深紫外光具有良好的探测能力，且暗电流小、光暗电流比大和响应度高，性能稳定。
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公开(公告)号：CN112210755A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010934605.3
申请日：2020-09-08
申请人： 湖北大学 , 武汉睿联智创光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种p型透明导电SnO2半导体薄膜及其制备方法和应用，p型透明导电SnO2半导体薄膜的制备方法，包括：制备Mg掺杂的SnO2陶瓷靶材；提供一衬底，利用Mg掺杂的SnO2陶瓷靶材，在衬底表面制备得到Mg掺杂的SnO2薄膜；在氧气氛围下于600～800℃下对Mg掺杂的SnO2薄膜进行退火，即得p型透明导电制S备nO方2法半，导利体用薄M膜g2。+本进发入明替的位p和型间透隙明位导所电需Sn能O量2半不导同体的薄特膜点的，通过在适宜温度及富氧条件下进行退火处理将间隙Mg2+迁移到替位进一步提高载流子浓度，获得高质量p型透明导电SnO2超宽禁带半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN112194757A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011096885.1
申请日：2020-10-14
申请人： 湖北大学 , 武汉睿联智创光电有限公司
IPC分类号： C08F220/56 , C08F222/38 , C08J3/075 , C08L33/26
摘要： 本发明提供了一种力学性能可调节的有机水凝胶及其制备方法和应用，该方法包括以下步骤：将单体、交联剂以及交联促进剂加入至复合溶剂中，震荡溶解后得到第一溶液；将引发剂加入至复合溶剂中，震荡溶解后得到第二溶液；将第二溶液加入至第一溶液中，固化成型后即得有机水凝胶；其中，所述单体包括丙烯酰胺、丙烯酸、N‑异丙基丙烯酰胺中的一种；所述复合溶剂为醇和水混合而成，所述醇包括乙二醇、丙三醇、己六醇、聚乙二醇和聚乙烯醇中的至少一种。本发明通过采用醇和水组成的混合物作为复合溶剂，调节醇和水的质量比以及醇、水和丙烯酰胺的质量比，进而可对获得的有机水凝胶进行力学性能调整。
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公开(公告)号：CN110323291B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201910324339.X
申请日：2019-04-22
申请人： 湖北大学 , 武汉睿联智创光电有限公司
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0376 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于(GaY)2O3非晶薄膜的高增益日盲紫外光探测器及其制备方法。所述器件从下至上依次为c面蓝宝石、有源层、一对平行电极，所述有源层为非晶(GaY)2O3薄膜。本发明利用Y3+离子部分取代Ga2O3中的Ga3+离子，在提高Ga2O3带隙的同时使薄膜由单晶转化为非晶。更高带隙的非晶(GaY)2O3薄膜能够有效地降低器件的暗电流，并使截止波长蓝移至280nm以内。同时非晶(GaY)2O3薄膜具有更高的缺陷浓度，缺陷不仅能提高增益还能作为复合中心促进载流子复合，得益于此，非晶(GaY)2O3器件相对于纯Ga2O3器件其响应度显著提高且弛豫时间明显降低，极大提高了对深紫外光的探测能力。
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公开(公告)号：CN110265501B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910589692.0
申请日：2019-07-02
申请人： 湖北大学 , 武汉睿联智创光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/0376 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种基于BexZn1‑xO非晶薄膜的柔性深紫外光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域。本发明的柔性深紫外光电探测器从下至上依次包括透明柔性衬底、有源层、一对平行金属电极，所述有源层为BexZn1‑xO非晶薄膜，其中：0＜x＜1，所述有源层的厚度为100～200nm。本发明通过将Be掺杂进入ZnO成功调高了BexZn1‑xO合金光学带隙，更重要的是实现了光电性能优良的非晶BexZn1‑xO合金薄膜在柔性衬底上的沉积，成功制备了能够探测波长小于280nm的深紫外辐射信号的柔性深紫外光电探测器，且本发明制得的器件满足可折叠、可穿戴、轻便和便携等要求。
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公开(公告)号：CN109616535B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201811487852.2
申请日：2018-12-06
申请人： 湖北大学 , 武汉睿联智创光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/0296 , H01L31/09 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于m面BeMgZnO薄膜的自发极化增强型光电探测器及其制备方法。本发明的探测器从下至上依次包括m面蓝宝石衬底、m面取向的BeMgZnO四元合金薄膜层、一对平行金属电极，其中：所述平行金属电极垂直于所述BeMgZnO四元合金薄膜的c轴方向。本发明的光电探测器当电极上所加的电场与内部自发极化场的方向相同时，此时内部的极化场将与外电场叠加，协同增强载流子的分离和传输，有效的提高光探测器的响应速度。另外，本发明探测器为MSM构造，结构简单，衬底和BeMgZnO薄膜层之间未设置缓冲层，且制备工艺简单，操作方便，原料用量较少，制作成本低廉，易于生产，有利于产业化应用。
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公开(公告)号：CN109560161B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201811487843.3
申请日：2018-12-06
申请人： 湖北大学 , 武汉睿联智创光电有限公司
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/0296 , H01L31/036 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于m面ZnOS薄膜的自发极化增强型光电探测器及其制备方法。本发明的探测器从下至上依次包括m面蓝宝石衬底、m面ZnOS薄膜、一对平行金属电极，其中：所述平行金属电极垂直于所述m面ZnOS薄膜的c轴方向。本发明的光电探测器当电极上所加的电场与内部自发极化场的方向相同时，此时内部的极化场将与外电场叠加，协同增强载流子的分离和传输，有效提高光探测器的响应速度。另外，本发明制备的光电探测器为MSM构造，结构简单，且制备工艺也简单，制作成本低廉，易于生产，有利于产业化应用。
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