公开(公告)号：CN108400339A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810167221.6

申请日：2018-02-28

Applicant: 湖北大学

Inventor： 万厚钊 ,  王浩 ,  王聪 ,  甘億 ,  张军

IPC: H01M4/66 ,  H01M10/0525 ,  H01G11/68 ,  H01G11/70

Abstract: 本发明涉及一种镍布集流体的制备方法及其应用，属于柔性集流体技术领域。本发明的制备方法是以纱布为基底，依次将基底进行粗化、敏化活化、还原及化学镀镍及后处理工艺，从而使金属导电镍层均匀包覆在基底的纤维上，从而制得所述的镍布集流体。本发明利用一步法敏化活化处理纯棉脱脂纱布，能够大大简化操作程序，提高产品的合格率，且本发明采用常温碱性化学镀液，避免了高温条件下镀液不稳定，造成镀液浪费，有利于溶液的维护，便于操作。另外，利用本发明的镍布集流体制得的锂离子电池和超级电容器，界面内阻小，能量密度高，赝电容高，大大提高了电池的生产效率，降低了生产成本，适用于工业化规模大生产。

公开(公告)号：CN105047820B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201510229488.X

申请日：2015-05-07

Applicant: 湖北大学

Inventor： 王浩 ,  喻继超 ,  许扬 ,  张军 ,  李兆松 ,  周海 ,  段金霞

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48 ,  B82Y30/00

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO/PCBM/CH3NH3PbI3光吸收层的有机无机杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法，电池组成包括有玻璃衬底、作为阳极的FTO层、ZnO种子层、ZnO纳米棒骨架层、有机PCBM层、钙钛矿层、Spiro‑MeOTAD空穴传输层以及作为电池阴极的Au膜层。本发明制备方法简便，反应条件要求较低，效果显著，在保持较高的效率的同时，也能在某种程度上克服性能稳定性的问题。该种结构将有机和无机材料有效的结合在了一起，充分发挥各自的优点，为钙钛矿太阳能电池的发展拓展了一条新的路径。

公开(公告)号：CN107731552A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710695298.6

申请日：2017-08-15

Applicant: 湖北大学

Inventor： 王浩 ,  万厚钊 ,  李朗 ,  张军 ,  刘向 ,  汪汉斌

IPC: H01G11/68 ,  H01G11/70 ,  H01G11/72

CPC classification number: H01G11/68 ,  H01G11/70 ,  H01G11/72

Abstract: 一种镍纳米线集流体，该集流体为泡沫状，且该泡沫状是由镍纳米线组成的三维网络结构。其优点是：①、本发明方法工艺简单可控、且制备过程中镍纳米线的尺寸可控，无需复杂设备和较大能耗，对操作人员要求较低、成本低廉，且易于实现工业化量产；②、本发明方法制备的镍纳米线集流体为三维网络结构，且三维网络结构由镍纳米线构成，为活性物质提供更多的生长表面，有利于提升电极的面积比容量，同时，随着电化学反应的进行，镍纳米线能参与反应，而使得镍纳米线与活性材料原位结合而形成更有利的电子传递路径，大幅提升电极的比容量和循环稳定性等电化学性能。

公开(公告)号：CN107275106A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710524566.8

申请日：2017-06-30

Applicant: 湖北大学

Inventor： 王浩 ,  万厚钊 ,  张军 ,  李朗 ,  汪汉斌 ,  刘向

IPC: H01G11/28 ,  H01G11/30 ,  H01G11/68 ,  H01G11/86

CPC classification number: H01G11/28 ,  H01G11/30 ,  H01G11/68 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开一种超级电容器用复合电极及其制备方法，其包括泡沫镍、镍纳米线以及Ni-Co化合物，镍纳米线、Ni-Co化合物由外向内依次对称设置在泡沫镍两侧，镍纳米线生长在泡沫镍上作为集流体和Ni-Co化合物活性材料的生长基底。通过在泡沫镍上生长镍纳米线作为集流体，有效提高了集流体的活性物质担载量，并提升了单位面积电荷存储能力；同时，所述镍纳米线作为NiCo化合物活性材料的生长基底，促进了电极的倍率特性和循环寿命，并表现出突出的电化学性能。且本发明所述超级电容器用复合电极的制备方法简便、成本低廉，得到的NiCo化合物/镍纳米线/泡沫镍复合电极是一个比容量高、循环稳定性强的超级电容器用复合电极。

公开(公告)号：CN105789395A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610273153.2

申请日：2016-04-28

Applicant: 湖北大学

Inventor： 王文峰 ,  项明明 ,  张家伟 ,  熊晖 ,  张军

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/005

Abstract: 本发明提供了一种高调制速度发光二极管及其调制方法和制造方法，所述发光二极管的PN结结区包含一个双量子阱结构，所述双量子阱结构包括一第一量子阱和一第二量子阱，所述第一量子阱的带隙大于所述第二量子阱的带隙，所述第一量子阱辐射信号光，所述第二量子阱辐射辅助光，通过量子隧穿效应，所述第一量子阱和所述第二量子阱相互耦合。本发明高调制速度的发光二极管通过载流子在能量空间的动态过程，实现了载流子的超快注入与超快抽离参与信号光辐射的能量区域，降低了发光二极管光信号的上升沿与下降沿所需的时间，进而提高了发光二极管的调制速度。

公开(公告)号：CN105304747A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510585551.3

申请日：2015-09-15

Applicant: 湖北大学

Inventor： 王浩 ,  喻继超 ,  周海 ,  张军

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/101 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提出了一种FTO/ZnO纳米棒/CH3NH3PbI3/MoO3/Au结构的自驱动光电探测器及其制备方法，其具体结构为FTO层，ZnO纳米棒电子传输层，也是空穴阻挡层，CH3NH3PbI3为钙钛矿吸光层，半导体氧化物MoO3为空穴传输层，也是电子阻挡层，金属电极是由Au膜组成。采用旋涂、水浴、两步法合成、蒸镀等方法制备。本发明利用了ZnO纳米棒/CH3NH3PbI3形成的有机无机杂化异质结结构及以半导体氧化物MoO3为空穴传输层，使本发明具有较高的响应度和探测器灵敏度，响应率和探测率都分别高达24.3A/W和3.56×1014cmHz1/2/W，同时有一定的自驱动能力，不需要外部偏压来驱动，有利于节约能源。其各项性能远远超过目前所报道的Si基探测器，同时还可以实现近紫外和可见红外的双重探测。本发明操作步骤简单，实验成本低廉，具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN102760580A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210234979.X

申请日：2012-07-09

Applicant: 湖北大学

Inventor： 王浩 ,  汪宝元 ,  胡云霞 ,  王喜娜 ,  张军 ,  刘荣 ,  王甜 ,  丁浩 ,  许扬

IPC: H01G9/04 ,  H01G9/042 ,  H01G9/20

Abstract: 本发明公开了一种制备Co掺杂CdSe量子点敏化TiO2纳米棒阵列光电极的制备方法，通过改变生长及制备工艺参数，实现TiO2单晶纳米棒阵列在FTO玻璃上的定向生长，利用电化学沉积的方法在TiO2单晶纳米棒阵列上完成Co掺杂CdSe量子点的沉积。Co离子的掺入量为1%～4%（重量百分比），Co对CdSe的掺杂一方面可以调节其带隙，使其在可见光范围内的吸收增强，吸收范围拓宽，进而提高了光利用效率，另一方面Co的掺杂可以增加其载流子浓度，提高电子的传输速率，增加电极收集电子的效率，从而提高光电流密度。在沉积电量为0.9C的时候可以获得高达13.4mA/cm2的饱和光电流，该饱和光电流与没有掺杂的CdSe敏化TiO2纳米棒电极的最大光电流（8.57mA/cm2）提高了56%。

公开(公告)号：CN102651281A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210031545.X

申请日：2012-02-13

Applicant: 湖北大学

Inventor： 王浩 ,  段金霞 ,  汪宝元 ,  胡芸霞 ,  张军 ,  王喜娜

IPC: H01G9/042 ,  H01G9/20 ,  H01M14/00 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明提出了一种Ga掺杂ZnO纳米线阵列染料敏化太阳能电池（DSSC）及其制备方法。该Ga掺杂ZnO纳米线阵列染料敏化太阳能电池是由按照从下到上顺序的FTO导电玻璃衬底、ZnO缓冲薄膜层、Ga掺杂ZnO纳米线阵列层、钌配合物染料N719、I-/I3-电解液与Pt/FTO对电极组成的。通过电场辅助化学法进行Ga掺杂ZnO，使本发明的Ga掺杂ZnO纳米线阵列DSSC电池的光电转换效率达到1.53%。本发明所涉及的制备工艺简单易行，成本低，产率高，具有非常好的市场应用前景。

公开(公告)号：CN101831618B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201010152819.1

申请日：2010-04-15

Applicant: 湖北大学

Inventor： 王浩 ,  叶芸 ,  王毅 ,  叶葱 ,  汪宝元 ,  张军

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明提出了一种能够同时获得高介电常数且结晶温度有一定程度提高的TiO2/ZrO2两层堆栈结构薄膜及其制备方法。它以硅片为基片，其特征在于用磁控溅射技术在Si基片上先沉积一层ZrO2薄膜，再在其上沉积一层TiO2薄膜，形成TiO2/ZrO2两层堆栈结构薄膜。本发明采用磁控溅射技术，制备了TiO2/ZrO2两层堆栈结构薄膜，Ti的引入可以有效的抑制薄膜的晶化，结晶温度有一定程度的提高；同时还可以获得合适的高介电常数。

公开(公告)号：CN102201447A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110123492.X

申请日：2011-05-13

Applicant: 湖北大学

Inventor： 王浩 ,  金迎春 ,  叶葱 ,  张军 ,  汪宝元 ,  汪汉斌

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明涉及一种高介电常数栅介质场效应晶体管，以及所述场效应晶体管的制作方法。其中所述高介电常数栅介质场效应晶体管包括单晶硅片衬底、导电沟道、栅介质、栅极、源极和漏极，所述栅介质是掺钛的氧化铪，所述栅极是在栅介质薄膜上溅射TiN或TiAlN作为栅极。本发明将45nm及以下节点的高介电常数栅介质、金属栅极和Cu互连金属等材料整合到了器件之中，采用了剥离工艺很大程度地减少了工艺流程，解决了Cu刻蚀困难的问题。所得器件具有优秀的输出特性，而且工作电压较低，能满足芯片制造的应用。