三电极反应器及其应用
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105651839A

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201610163606.6

    申请日:2016-03-22

    Applicant: 湖北大学

    CPC classification number: G01N27/30

    Abstract: 本发明提供了一种三电极反应器,该三电极反应器整体密封性良好,可有效避免外界空气的渗入或内部气体的泄露,既保证了产气结果的可靠性,也可以实现高纯度H2的制备;该三电极反应器既可外接电化学工作站或电流电压表,又能对反应器内部进行洗气和产气取样,因而能实现光电解水过程的同步光电化学行为与产气量分析,从而深入探索光电解水系统内在的光电化学机制,并对光电解水效率进行评价。

    一种Co掺杂CdSe量子点敏化TiO2纳米棒光电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN102760580B

    公开(公告)日:2015-06-17

    申请号:CN201210234979.X

    申请日:2012-07-09

    Applicant: 湖北大学

    Abstract: 本发明公开了一种制备Co掺杂CdSe量子点敏化TiO2纳米棒阵列光电极的制备方法,通过改变生长及制备工艺参数,实现TiO2单晶纳米棒阵列在FTO玻璃上的定向生长,利用电化学沉积的方法在TiO2单晶纳米棒阵列上完成Co掺杂CdSe量子点的沉积。Co离子的掺入量为1%~4%(重量百分比),Co对CdSe的掺杂一方面可以调节其带隙,使其在可见光范围内的吸收增强,吸收范围拓宽,进而提高了光利用效率,另一方面Co的掺杂可以增加其载流子浓度,提高电子的传输速率,增加电极收集电子的效率,从而提高光电流密度。在沉积电量为0.9C的时候可以获得高达13.4mA/cm2的饱和光电流,该饱和光电流与没有掺杂的CdSe敏化TiO2纳米棒电极的最大光电流(8.57mA/cm2)提高了56%。

    三电极反应器及其应用
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105651839B

    公开(公告)日:2018-12-25

    申请号:CN201610163606.6

    申请日:2016-03-22

    Applicant: 湖北大学

    Abstract: 本发明提供了一种三电极反应器,该三电极反应器整体密封性良好,可有效避免外界空气的渗入或内部气体的泄露,既保证了产气结果的可靠性,也可以实现高纯度H2的制备;该三电极反应器既可外接电化学工作站或电流电压表,又能对反应器内部进行洗气和产气取样,因而能实现光电解水过程的同步光电化学行为与产气量分析,从而深入探索光电解水系统内在的光电化学机制,并对光电解水效率进行评价。

    基于PCBM修饰ZnO纳米棒阵列的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN105047820B

    公开(公告)日:2018-04-17

    申请号:CN201510229488.X

    申请日:2015-05-07

    Applicant: 湖北大学

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO/PCBM/CH3NH3PbI3光吸收层的有机无机杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法,电池组成包括有玻璃衬底、作为阳极的FTO层、ZnO种子层、ZnO纳米棒骨架层、有机PCBM层、钙钛矿层、Spiro‑MeOTAD空穴传输层以及作为电池阴极的Au膜层。本发明制备方法简便,反应条件要求较低,效果显著,在保持较高的效率的同时,也能在某种程度上克服性能稳定性的问题。该种结构将有机和无机材料有效的结合在了一起,充分发挥各自的优点,为钙钛矿太阳能电池的发展拓展了一条新的路径。

    一种Co掺杂CdSe量子点敏化TiO2纳米棒光电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN102760580A

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:CN201210234979.X

    申请日:2012-07-09

    Applicant: 湖北大学

    Abstract: 本发明公开了一种制备Co掺杂CdSe量子点敏化TiO2纳米棒阵列光电极的制备方法,通过改变生长及制备工艺参数,实现TiO2单晶纳米棒阵列在FTO玻璃上的定向生长,利用电化学沉积的方法在TiO2单晶纳米棒阵列上完成Co掺杂CdSe量子点的沉积。Co离子的掺入量为1%~4%(重量百分比),Co对CdSe的掺杂一方面可以调节其带隙,使其在可见光范围内的吸收增强,吸收范围拓宽,进而提高了光利用效率,另一方面Co的掺杂可以增加其载流子浓度,提高电子的传输速率,增加电极收集电子的效率,从而提高光电流密度。在沉积电量为0.9C的时候可以获得高达13.4mA/cm2的饱和光电流,该饱和光电流与没有掺杂的CdSe敏化TiO2纳米棒电极的最大光电流(8.57mA/cm2)提高了56%。

    双壳层ZnO/CdTe/ZnS纳米电缆阵列电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN102768905A

    公开(公告)日:2012-11-07

    申请号:CN201210191330.4

    申请日:2012-06-11

    Applicant: 湖北大学

    CPC classification number: Y02E60/13

    Abstract: 本发明公开了双壳层ZnO/CdTe/ZnS纳米电缆阵列电极的结构及其制备方法。用水热法实现单晶ZnO纳米线阵列垂直于ITO衬底生长,直径和高度分别在50~100nm、0.5~3μm内可调,然后在ZnO纳米线阵列上制备CdTe纳米电缆层和ZnS纳米晶钝化层,形成ZnO/CdTe/ZnS双壳层纳米电缆阵列结构电极。且CdTe壳层和ZnS的厚度分别在3~30nm以及5~15nm。通过退火工艺,有效的提高了ZnO/CdTe/ZnS纳米电缆阵列的结晶质量,实现了ZnO/CdTe纳米电缆阵列的饱和光电流密度从6.5mA/cm2提高到ZnO/CdTe/ZnS纳米电缆阵列的13.78mA/cm2。本发明设计的制备工艺简单环保,成本低,重复性好。

    三电极反应器
    8.
    实用新型

    公开(公告)号:CN205484185U

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201620220683.6

    申请日:2016-03-22

    Applicant: 湖北大学

    Abstract: 本实用新型提供了一种三电极反应器,该三电极反应器整体密封性良好,可有效避免外界空气的渗入或内部气体的泄露,既保证了产气结果的可靠性,也可以实现高纯度H2的制备;该三电极反应器既可外接电化学工作站或电流电压表,又能对反应器内部进行洗气和产气取样,因而能实现光电解水过程的同步光电化学行为与产气量分析,从而深入探索光电解水系统内在的光电化学机制,并对光电解水效率进行评价。

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