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公开(公告)号：CN212780507U
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202020467852.2
申请日：2020-04-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本实用新型公开了一种基于二维简单超材料结构的微纳折射率传感器，通过所述基于二维简单超材料结构的维纳折射率传感器是由周期性结构单元构成；所述周期性单元结构由一维介质光栅阵列叠放在由SiO2薄膜层和Al2O3薄膜层组成的下层结构上所构成。利用结构产生的导模共振和腔模，对周围的介质环境十分敏感的特性，可以将结构表面临近物质的折射率的微小变化转换成可测量的透射峰的位移，设计实现高灵敏度的微纳尺度折射率传感测量，该传感器具有优越的折射率灵敏度(410.2nm/RIU)和超高的品质因子(4769.8)，也可用于亚波长范围内的气体密度的检测。该传感器既能明显降低半峰全宽，提高传感器的灵敏度，又能有效防止结构的腐蚀及氧化，延长产品的使用寿命。
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公开(公告)号：CN210137014U
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201921420887.4
申请日：2019-08-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型涉及一种基于二维简单超材料结构的超宽带吸波体，解决的是吸收效率低、结构复杂、工作带宽窄的技术问题，通过采用所述基于二维简单超材料结构的超宽带吸波体包括重叠设置的上层结构与下层结构，上层结构叠放在下层结构上；所述上层结构为周期设置的工作在亚波长范围内的金属-电介质-金属光栅结构；所述下层结构是多层金属-电介质对所构成，所述金属为铬，所述电介质为SiO2，下层结构的底层为厚度可阻绝电磁波透射的金属层的技术方案，较好的解决了该问题，可用于热辐射计和太阳能吸收系统中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209198690U
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201920062121.7
申请日：2019-01-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本实用新型涉及一种金属纳米环柱阵列结构的新型超窄带吸波器，解决的是品质因数差的技术问题，通过采用所述基于表面晶格共振的超窄带吸收体是由纳米环柱阵列组成的；所述的纳米阵列单元从下往上依次设置为介质层基底、金属薄膜反射层及谐振器；所述的纳米阵列单元反射层薄膜金的厚度大于入射电磁波在贵金属金的趋肤深度的技术方案；所述的纳米阵列单元采用双环柱结构压缩了吸波体的吸收频谱的半峰全宽，较好地解决了传统吸波体吸收效率低，吸收半峰全宽大，品质因数低等问题，可用于窄带热辐射器，等离子体生物传感器的应用中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206992300U
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201720859794.6
申请日：2017-07-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种剖面低、波束宽、馈电方式简单、具有良好辐射特性能够满足海岸通信中对海岸铁塔扇区天线的要求的UHF频段超宽带±45°双极化印刷偶极子天线。该UHF频段超宽带±45°双极化印刷偶极子天线，包括绝缘介质基板、金属贴片偶极子辐射体、馈电结构以及渐变反射板；所述金属贴片偶极子辐射体上设置有中心线十字正交槽、对角线槽、圆形槽以及对数线槽；采用该UHF频段超宽带±45°双极化印刷偶极子天线剖面低、波束宽、馈电方式简单、具有良好辐射特性，其阻抗带宽达51％，实现了±45°双极化，能够满足海岸通信中对海岸铁塔扇区天线的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN206574856U
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201720284292.5
申请日：2017-03-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本实用新型公开了一种反射型超宽带太赫兹极化可重构圆极化器，由在同一水平面内周期性排列的M×N个单元结构组成；所述的单元结构包括依次堆放的金属地板层、中间介质层和双开口谐振方环结构层；所述的金属双开口谐振方环结构层是由两个成中心对称的L形金属条组成各向异性的双开口方环结构。该极化器具有很强的实用性，能在太赫兹波段超宽带范围内高效地将线极化波转换为圆极化波，而且结构简单，易于加工、在宽入射角范围内仍具有良好的线-圆极化转换性能、具有极化可重构的特点。此外，通过调整结构参数，该极化器还能用于其它频段，在天线设计、隐身技术等方面具有广阔的应用前景。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN204118256U
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201420575795.4
申请日：2014-09-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q1/36
Abstract: 本实用新型公开一种介质杆天线，包括介质杆本体，所述介质杆本体依次包括模式变换段、阻抗匹配段和曲线变换段；其中模式变换段的后端面与阻抗匹配段的前端面相接，阻抗匹配段的后端面与曲线变换段的前端面相接；模式变换段和阻抗匹配段向前延伸并嵌入金属圆波导的内部，曲线变换段向后延伸并位于金属圆波导的外部；模式变换段呈前小后大的圆锥状棒体；阻抗匹配段呈前小后大的圆台状棒体；曲线变换段呈前大后小的类圆台状棒体，且该曲线变换段的母线为一内凹的曲线。本实用新型能够实现介质内部的能量分布优化，减少能量损耗，提高介质杆天线的辐射性能。
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公开(公告)号：CN202034481U
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201120053425.0
申请日：2011-03-01
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种超介质智能加载天线，其主要由接地板以及从接地板上延伸出的天线阵列组成，所述天线阵列包括一单极子和一圆柱形的超介质层，超介质层围绕单极子设置并与单极子相耦合；上述超介质层是由圆周方向上的N列以及铅垂方向上的M层的细圆柱形的金属棒围绕而成的立体均匀圆阵列，其中N介于6～20之间，M介于5～20之间；上述每2层金属棒之间设有绝缘介质使金属棒的层与层之间绝缘隔离。本实用新型不仅能提供高增益的定向波束，而且能实现高质量的全向辐射。
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公开(公告)号：CN216051375U
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202121319160.4
申请日：2021-06-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41 , G01K11/125
Abstract: 本实用新型公开了一种基于SPP和腔谐振的超窄带等离子体传感器，通过银作为衬底材料，在银的上部设置呈周期性阵列布置的矩形纳米腔，并填充乙醇作为温敏材料，从衬底上部入射的偏振光激发SPP和腔共振，使反射谱呈现出两个损耗峰。SPP波长对环境折射率变化非常灵敏，基于SPP波长与环境折射率变化的关系，可实现对环境折射率的测量。又因为所述矩形纳米腔填充了温敏材料，使得腔体的谐振波长随环境温度的变化而变化，基于腔谐振波长与环境温度的关系，可实现对环境温度的测量，解决了现有技术中的基于SPP的传感器无法同时测量折射率参数和温度参数的技术问题。
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公开(公告)号：CN212571347U
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202021285150.9
申请日：2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/50 , H01Q19/185 , H01Q15/14
Abstract: 本实用新型公开了一种基于超薄单介质层单向辐射的缝隙天线，包括介质基板、位于介质基板上表面中心的缝隙天线以及位于介质基板下表面的微带馈电线及其左右对称的两个反射板。与常规的周期性超材料技术实现缝隙天线的单向辐射不同，该天线无需在天线下方添加额外的超材料结构，仅与微带馈电线的同一层添加新型反射器即可实现单向辐射，并且天线的增益较常规缝隙天线提高1.5dB左右，可以实现匹配。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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