公开(公告)号：CN102119230A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200980131206.5

申请日：2009-08-14

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 大西隆 ,  三木绫 ,  后藤裕史 ,  水野雅夫 ,  伊藤弘高 ,  富久胜文

IPC: C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  G02F1/1343 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L23/53233 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/265 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种显示装置用Cu合金膜，既可维持作为Cu系材料的特征的低电阻，与玻璃基板的粘附性又优异。本发明涉及一种显示装置用Cu合金膜，是在基板上，作为与玻璃基板直接接触的配线的显示装置用Cu合金膜，该Cu合金膜含有从Ti、Al和Mg之中选出的一种以上的元素，合计为0.1～10.0原子％。本发明也包括具有包含所述显示装置用Cu合金膜的薄膜晶体管的显示装置。作为该显示装置，该薄膜晶体管具有底栅型构造，该薄膜晶体管的栅电极和扫描线含有所述显示装置用Cu合金膜，优选与玻璃基板直接接触的状态。

公开(公告)号：CN102077323A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980125535.9

申请日：2009-07-03

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  福间信也 ,  三木绫 ,  越智元隆 ,  森田晋也 ,  横田嘉宏 ,  后藤裕史

IPC: H01L21/28 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L23/53238 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/76843 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种可省略纯Cu或Cu合金的Cu系合金配线膜与半导体层之间的金属阻挡层的直接接触技术，其在广泛的工艺范围的范围内，能够将Cu系合金配线膜与半导体层直接且可靠地连接。本发明涉及一种配线结构，在基板上从基板侧起依次具备半导体层、和纯Cu或Cu合金的Cu系合金膜，其中，在所述半导体层和所述Cu系合金膜之间，包含从基板侧起依次为含有选自氮、碳及氟中的至少一种元素的(N、C、F)层、和含有Cu及Si的Cu-Si扩散层的层叠结构，且所述(N、C、F)层所含的氮、碳及氟中的至少一种元素与所述半导体层所含的Si结合。

公开(公告)号：CN101971294A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980108416.2

申请日：2009-04-17

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  越智元隆 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  横田嘉宏 ,  福间信也 ,  后藤裕史

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66575 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种能够省略在纯Al或Al合金的Al系合金配线与半导体层之间的阻障金属层的直接接触技术，其是可以在宽的工艺余度的范围将Al系合金配线与半导体层直接且可靠地连接的技术。本发明涉及一种配线结构，其为在基板之上从基板侧开始依次具备半导体层、纯Al或Al合金的Al系合金膜的配线结构，在所述半导体层和所述Al系合金膜之间含有从基板侧开始依次为(N、C、F)层以及Al-Si扩散层的层叠结构，所述(N、C、F)层为含有选自氮、碳和氟中的至少一种元素的层，所述Al-Si扩散层含有Al和Si，且所述(N、C、F)层中所含的氮、碳和氟中的至少一种的元素与所述半导体层中所含的Si结合。

公开(公告)号：CN101911232A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200980102139.4

申请日：2009-02-20

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 三木绫 ,  后藤裕史 ,  奥野博行 ,  岸智弥 ,  南部旭

IPC: H01H13/712 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  G06F3/041 ,  H01B5/14 ,  C22F1/00

CPC classification number: G06F3/041 ,  C22C21/00 ,  H05K1/09

Abstract: 提供一种可靠性高的触摸屏传感器，其具有难以发生断线和随时间流逝造成的电阻增加，且显示出低电阻，并且能够确保与透明导电膜的导电性而能够直接与该透明导电膜连接的折回配线。本发明涉及触摸屏传感器，其具有透明导电膜和与之直接连接的由铝合金膜形成的折回配线，所述铝合金膜含有从Ni和Co构成的X组中选出的至少一种元素，其合计为0.2～10原子％，并且，所述铝合金膜的硬度为2～15GPa。