铁电器件、半导体装置
    71.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116438634A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202180071444.2

    申请日:2021-10-12

    Abstract: 提供一种包括具有良好的铁电性的金属氮化物膜(130)的铁电器件(100)。铁电器件包括第一导电体(110)、第一导电体上的金属氮化物膜、金属氮化物膜上的第二导电体(120)、第二导电体上的第一绝缘体(155)以及第一绝缘体上的第二绝缘体(152)。第一绝缘体具有接触于金属氮化物膜的侧面、第二导电体的侧面及顶面的每一个的区域,金属氮化物膜具有铁电性,金属氮化物膜包含第一元素、第二元素及氮,第一元素为选自第13族元素中的一个以上的元素,第二元素为选自除第一元素之外的第13族元素和第2族元素至第6族元素中的一个以上的元素,第一导电体和第二导电体都包含氮,第一绝缘体包含铝及氧,并且,第二绝缘体包含硅及氮。

    正极活性物质、正极活性物质的制造方法以及二次电池

    公开(公告)号:CN109417170B

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN201780039613.8

    申请日:2017-06-29

    Abstract: 提供一种可以提高二次电池的循环特性的正极活性物质。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表层部设置有两种区域,其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物,而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和表层部的两种区域是拓扑衍生的,由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外,因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物,所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。

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