正极活性物质的制造方法
    71.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115956063A

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202180050208.2

    申请日:2021-08-06

    Abstract: 提供一种高纯度化的正极活性物质的制造方法。另外,提供一种反复进行充放电结晶结构也不容易崩塌的正极活性物质的制造方法。本发明的一个方式是一种包含锂及过渡金属的正极活性物质的制造方法,包括:使用包含过渡金属的水溶液和碱性水溶液来制造包含过渡金属的氢氧化物的第一步骤;准备锂化合物的第二步骤;混合锂化合物及氢氧化物来形成混合物的第三步骤;以及加热混合物来形成包含锂及过渡金属的复合氧化物的第四步骤,其中,在第二步骤中,作为锂化合物准备纯度为99.99%以上的材料,并且,在露点为‑50℃以下的含氧气氛中进行第四步骤中的加热。

    显示装置、显示模块及电子设备
    73.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112970053A

    公开(公告)日:2021-06-15

    申请号:CN201980072306.9

    申请日:2019-10-22

    Abstract: 提供一种开口率高的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置,在像素中包括第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层、第二绝缘层、导电层、像素电极、包含液晶材料的层及公共电极。第一绝缘层位于第一晶体管的沟道形成区域上。导电层位于第一绝缘层上。第二绝缘层位于第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层及导电层上。像素电极位于第二绝缘层上,包含液晶材料的层位于像素电极上,公共电极位于包含液晶材料的层上。公共电极隔着包含液晶材料的层及像素电极重叠于导电层。像素包括导电层与第一晶体管电连接的第一连接部和像素电极与第二晶体管电连接的第二连接部。导电层、像素电极及公共电极都具有使可见光透过的功能。

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