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公开(公告)号：CN104471733A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380013869.3
申请日：2013-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5262 , C09K11/06 , H01L27/3206 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5028 , H01L51/504 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/5265 , H01L51/5278 , H01L2251/308 , H01L2251/5384
Abstract: 本发明提供一种外部量子效率高的发光元件。提供一种寿命长的发光元件。一种发光元件，在一对电极之间具有发光层。发光层至少包含磷光化合物、具有电子传输性的第一有机化合物（主体材料）及具有空穴传输性的第二有机化合物（辅助材料）。发光层具有第一发光层和第二发光层的叠层结构，并且，相比第二发光层，第一发光层包含更高比例的第二有机化合物。另外，在发光层（第一发光层及第二发光层）中，第一有机化合物和第二有机化合物的组合形成激基复合物。
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公开(公告)号：CN103579530A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310333077.6
申请日：2013-08-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/54
CPC classification number: H01L51/5016 , C09K11/02 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1092 , H01L51/0051 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0056 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0079 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L2251/552
Abstract: 本发明的一个方式提供一种将荧光材料用作发光物质的发光元件，其中进一步提高发光效率。本发明的一个方式提供一种混合使用热活化延迟荧光物质和荧光材料的发光元件。通过对荧光材料的S1能级的吸收中的最长波长一侧的吸收带重叠热活化延迟荧光物质的发射光谱，可以将热活化延迟荧光物质的S1的能量转移到荧光材料的S1。此外，也可以由热活化延迟荧光物质的T1能级的能量的一部分生成热活化延迟荧光物质的S1，而使热活化延迟荧光物质的S1转移到荧光材料的S1。
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公开(公告)号：CN103155201A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201280001907.9
申请日：2012-08-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50 , C07D239/26 , C09K11/06
CPC classification number: C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1044 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , C09K2211/1096 , C09K2211/185 , H01L51/0058 , H01L51/0067 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5072 , H01L2251/552
Abstract: 本发明的一个方式是一种包括一对电极之间的EL层的发光元件。该EL层包括第一化合物及第二化合物。第一化合物是LUMO能级为-3.5eV以上且-2.5eV以下的磷光铱金属配合物，并且第二化合物是包含嘧啶骨架的有机化合物。另外，本发明的另一个方式是一种包括一对电极之间的EL层的发光元件。该EL层包括第一化合物及第二化合物。第一化合物是包含二嗪骨架的磷光铱金属配合物，并且第二化合物是包含嘧啶骨架的有机化合物。
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公开(公告)号：CN102757782A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210128495.7
申请日：2012-04-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5016 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L27/3206 , H01L27/3209 , H01L51/0085 , H01L51/5068 , H01L51/5265 , H01L51/5278 , H01L2251/5361 , H01L2251/5384
Abstract: 本发明提供一种新的利用磷光发光的发光装置。另外，本发明提供一种利用磷光发光的电子设备及照明装置。本发明的一个方式是一种包含磷光有机金属铱配合物的发光装置，该磷光有机金属铱配合物包含铱及在4位具有芳基的嘧啶或在2位具有芳基的1，3，5-三嗪。嘧啶或1，3，5-三嗪中的氮的一个配位到铱。此外，嘧啶和1，3，5-三嗪的每一个具有烷基或芳基等取代基。另外，与嘧啶的4位或1，3，5-三嗪的2位结合的芳基的邻位与铱结合。
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公开(公告)号：CN119604125A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411209721.3
申请日：2024-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种可用于高清晰的显示装置且具有低驱动电压及良好的电流效率的发光器件。提供一种通过光刻工序制造的包括多个发光单元及位于发光单元之间的中间层的串联型发光器件，其中，中间层包括金属或金属氧化物、包含具有供电子基团的第一缺π电子型杂芳环的第一有机化合物及具有第二缺π电子型杂芳环的第二有机化合物的第一区域，第二有机化合物的LUMO能级比所述第一有机化合物的LUMO能级小0.30eV以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119233668A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410847030.X
申请日：2024-06-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种可用于高清晰显示装置的驱动电压低、电流效率良好的发光器件。提供一种串联型发光器件，该发光器件利用光刻工序制造并包括多个发光单元和位于发光单元间的中间层，中间层是包括金属氧化物及包含具有供电子基团的菲咯啉环的有机化合物的层，中间层与阳极侧的发光单元接触。
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公开(公告)号：CN118742077A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410333329.3
申请日：2024-03-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种可以适用于高清晰显示装置的串联型发光器件。本发明的一个方式是一种发光器件，该发光器件包括第一电极、与第一电极对置的第二电极以及第一电极和第二电极之间的第一发光层及第二发光层，在第一发光层和第二发光层之间包括第一层，第一层的GSP_slope(mV/nm)为正负号与第一发光层的GSP_slope(mV/nm)相反的值。(注意，GSP_slope(mV/nm)是在膜的表面电位为V(mV)且厚度为d(nm)时由V/d表示的参数)。
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公开(公告)号：CN118440083A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410118303.7
申请日：2024-01-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种具有电子注入性对水的溶解性低的有机化合物、发光器件、显示装置及电子设备。提供一种由通式(G1)表示的有机化合物。在通式(G1)中，Ar是由通式(Ar‑1)表示的芳香族骨架，L表示亚烷基或亚芳基，n表示0至3的整数，m表示1至4的整数，R1至R12分别独立地表示氢或烷基。在通式(Ar‑1)中，环A、环B、环C及环D分别独立地表示苯环、萘环或菲环，并且环A、环B、环C及环D上的任意m个碳原子具有通式(G1)中的键，X1表示C、Si或Ge，α1表示单键、O、S、具有取代基的C、具有取代基的Si或具有取代基的Ge。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117204121A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202280030228.8
申请日：2022-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/12
Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的发光器件。该发光器件包括第一电极、第二电极、第一单元以及第一层。第一单元被夹在第一电极与第二电极之间，具有第二层、第三层及第四层。第二层被夹在第三层与第四层之间，第二层包含发光材料。第四层被夹在第二层与第二电极之间，包含第一有机化合物。第一有机化合物具有缺π电子型杂芳环骨架及富π电子型杂芳环骨架，HOMO能级在‑6.0eV以上且‑5.6eV以下的范围内。此外，第一层被夹在第一电极与第一单元之间，与第一层接触，并包含第二有机化合物及第三有机化合物。
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公开(公告)号：CN115417775A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210502663.8
申请日：2022-05-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的一个方式提供一种驱动电压低的有机半导体器件。提供一种空穴传输层用材料、电子阻挡层用材料、电子传输层用材料、空穴阻挡层用材料、发光器件、发光装置、电子设备及照明装置。提供一种发光器件，包括阳极、阴极以及上述阳极和上述阴极之间的EL层，其中上述EL层包括空穴传输层和发光层，上述空穴传输层位于上述阳极和上述发光层之间，上述空穴传输层不与上述阳极接触，上述空穴传输层包含蒸镀膜的表面电势的电位梯度GSP_slope(mV/nm)为20(mV/nm)以上的发光器件的传输层用材料。
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