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公开(公告)号：CN103030632A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210579702.0
申请日：2011-03-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D403/10 , C07D405/10 , C07D409/10
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D403/10 , C07D405/10 , C07D409/10 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , H01L51/0052 , H01L51/0056 , H01L51/0058 , H01L51/0067 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5048 , H01L51/5056 , H05B33/10
Abstract: 本发明的目的是提供可用于发光元件、作为在其中分散有发光物质的发光层的主体材料的新型杂环化合物。本发明的其他目的是提供具有低的驱动电压的发光元件、具有高的电流效率的发光元件、和具有长的寿命的发光元件。提供包括其中二苯并[f,h]喹喔啉环和空穴传输骨架通过亚芳基键合的化合物的发光元件，和各自使用该发光元件的发光器件、电子器件、和照明器件。提供由以下通式(G1)表示的杂环化合物。
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公开(公告)号：CN102643240A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210025092.X
申请日：2012-02-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D241/38 , C09K11/06 , H05B33/14
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D403/10 , C07D405/10 , C07D409/10 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L51/0052 , H01L51/0056 , H01L51/0058 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/508 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H05B33/14
Abstract: 本发明的一个方式提供一种新的杂环化合物，在发光元件中，该杂环化合物可以用作使发光层的发光物质分散的主体材料。本发明的一个方式提供由通式(G1)表示的杂环化合物。在通式中，A表示取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基或者取代或未取代的咔唑基，R11至R19分别表示氢、碳数为1至4的烷基或者取代或未取代的碳数为6至13的的芳基，并且，Ar表示取代或未取代的碳数为6至13的的亚芳基。
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公开(公告)号：CN102637830A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210029202.X
申请日：2012-02-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5218 , H01L51/5036 , H01L51/5265
Abstract: 本发明涉及发光元件、显示装置、照明装置、及其制造方法。公开了一种发光元件，包括第一电极、透射光的第二电极、以及插入在第一电极和第二电极之间的发光层。所述第一电极包括能够反射光的第一导电层、设置在所述第一导电层上的并且包括钛的第二导电层、以及透射光并且包括金属氧化物的第三导电层，所述金属氧化物的功函数高于所述第一导电层的功函数。
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公开(公告)号：CN101615623B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910164150.5
申请日：2006-03-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1255 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/105 , H01L27/112 , H01L27/11206 , H01L27/11286 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/13 , H01L27/285 , H01L51/0042 , H01L51/0051 , H01L51/0059 , H01L51/0081 , H01L51/0533
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种存储器电路、非易失性存储装置以及包括该存储装置的半导体装置，其中在制造过程之后可以将数据添加到存储装置，并且可以防止因重写导致的伪造等现象。本发明的另一个目的是提供一种具有高可靠性且廉价的非易失性存储装置以及包括该存储装置的半导体装置。一种存储元件包括第一导电层、第二导电层、厚度大于等于0.1纳米且小于等于4纳米且与该第一导电层接触的第一绝缘层，以及夹在该第一导电层、第一绝缘层和第二导电层之间的有机化合物层。
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公开(公告)号：CN101153026B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710153238.8
申请日：2007-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D241/42 , C07D403/14 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
CPC classification number: C07D403/14 , C07D241/36 , C07D241/42 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H05B33/20 , Y10T428/31504
Abstract: 本发明的目的在于提供新的双极性有机化合物，特别是提供耐热性优良的双极性有机化合物；提供电化学稳定的双极性有机化合物；通过使用新的双极性有机化合物，提供驱动电压低、耗电量少的发光元件及发光装置；通过使用新的双极性有机化合物，提供耐热性优良的发光元件及发光装置；通过使用新的双极性有机化合物，提供使用寿命长的发光元件及发光装置。为了实现上述目的，提供通式1所示的喹喔啉衍生物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101124202B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200580048536.X
申请日：2005-12-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: C07D403/10 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H05B33/14
Abstract: 本发明的一个目的是提供对反复氧化反应有抵抗性的发光物质。本发明的另一个目的是提供对反复还原反应有抵抗性的发光元件。本发明的一个方面是用通式(1)表示的蒽衍生物。在通式(1)中，R1表示氢或具有1-4个碳原子的烷基；R2表示氢、具有1-4个碳原子的烷基和具有6-12个碳原子的芳基中的任何一个，其可具有取代基或没有取代基；Ph1表示苯基，其可具有取代基或没有取代基；X1表示具有6-15个碳原子的亚芳基。
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公开(公告)号：CN102391132A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110205070.7
申请日：2008-02-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07C211/61 , C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/52 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/007 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5048
Abstract: 本发明的一个目标是通过使用具有足够高T1水平的空穴传输物质来提供具有高发光效率的发光元件。此外，本发明的另一目标是通过使用具有足够高T1水平的空穴传输物质来提供具有低功率消耗的发光器件和电子设备。本发明提供了一种在阳极和阴极之间具有包含其中结合一个氨基的螺-9，9′-联芴衍生物的第一层和包含磷光化合物的第二层的发光元件。
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公开(公告)号：CN102190653A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110052847.0
申请日：2011-03-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D409/10 , C07D405/10 , C07D403/10 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L27/32 , G02F1/13357
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D403/10 , C07D405/10 , C07D409/10 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , H01L51/0052 , H01L51/0056 , H01L51/0058 , H01L51/0067 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5048 , H01L51/5056 , H05B33/10
Abstract: 本发明的目的是提供可用于发光元件、作为在其中分散有发光物质的发光层的主体材料的新型杂环化合物。本发明的其他目的是提供具有低的驱动电压的发光元件、具有高的电流效率的发光元件、和具有长的寿命的发光元件。提供包括其中二苯并[f，h]喹喔啉环和空穴传输骨架通过亚芳基键合的化合物的发光元件，和各自使用该发光元件的发光器件、电子器件、和照明器件。提供由以下通式(G1)表示的杂环化合物。
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公开(公告)号：CN102127422A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010609289.9
申请日：2006-07-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C09K11/06 , C07D209/86 , H01L51/50 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/006 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H05B33/14
Abstract: 本发明目的是提供咔唑衍生物，该咔唑衍生物可用作制造具有耐重复氧化反应性的发光元件材料的原材料。该咔唑衍生物由以下通式(1)表示。在通式(1)中，R1表示选自以下基团中的任一个：含1-4个碳原子的烷基如甲基、乙基和叔丁基，和含1-12个碳原子的芳基如苯基、联苯、和萘基。
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公开(公告)号：CN101043069B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200710087898.0
申请日：2007-03-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/504 , H01L51/5016 , H01L51/5028 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L2251/562
Abstract: 本发明的目的在于提供一种适合采用磷光化合物的发光元件的元件结构。另一目的在于利用所述元件结构提供具有高发光效率的发光元件。特别是，另一目的是提供具有高发光效率和长寿命的发光元件。制备了一种发光元件，其包括所提供的彼此接触并且位于第一电极和第二电极之间的第一发光层和第二发光层，其中第一发光层包含空穴传输主体材料和磷光化合物，并且第二发光层包含电子传输主体材料和磷光化合物。
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