公开(公告)号：CN1533596A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN03800685.5

申请日：2003-07-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/45568 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244

Abstract: 一种等离子体处理装置，其具有：处理容器，由外壁围成，具有支承被处理衬底的支承台；排气系统，与所述处理容器相结合；微波透过窗，作为所述外壁的一部分设置在所述处理容器上面，并与所述支承台上的被处理衬底相对；等离子体气体供给部分，向所述处理容器中供给等离子体气体；以及微波天线，对应于所述微波设置在所述处理容器上面；其中，所述等离子体气体供给部分包括多孔介质，并通过所述多孔介质向所述处理容器供给所述等离子体气体。

公开(公告)号：CN1509496A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN02807490.4

申请日：2002-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 在微波等离子体处理装置中，通过使正对被处理基片的喷盘或等离子体透过窗的、正对所述被处理基片的一侧成凹面状，来补偿被处理基片周围部分中的等离子体密度的降低。其结果，即使在进行蚀刻等低压下的等离子体处理时，也能在被处理基片表面附近维持稳定均匀的等离子体。此外，通过所述结构，还可以促进等离子体的点火。

公开(公告)号：CN1500370A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN02807326.6

申请日：2002-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H05H1/00 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32266 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32954 ,  H01J37/3299

Abstract: 通过等离子体处理装置中的导波管(26)向处理室中导入微波，产生等离子体。通过反射监测器(40)和功率监测器(42)监测被在处理室内产生的等离子体反射的反射波的功率。此外，通过入射监测器(36)和频率监测器(48)监测由磁控管(24)产生的微波的频率。根据监测的反射波功率和频率控制供给到磁控管的功率。通过这种方法来控制等离子体密度使其恒定。

公开(公告)号：CN1500291A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN02807542.0

申请日：2002-12-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  小谷光司 ,  须川成利

IPC: H01L27/092

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 一种CMOS器件，包括在硅基片的(100)面上形成并具有其他结晶面的结构，以及由在所述结构上通过微波等离子体处理形成的高质量的栅极绝缘膜和在其上形成的栅电极构成的p通道MOS晶体管和n通道MOS晶体管，其中，设定所述结构的尺寸和形状，使得所述p通道MOS晶体管和n通道MOS晶体管之间的载流子迁移率平衡。

公开(公告)号：CN1149342C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN98801149.2

申请日：1998-08-13

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘 ,  东京电子株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  加贺爪哲 ,  杉山一彦 ,  深田収 ,  尾泽进 ,  佐藤义浩 ,  土肥亮介 ,  宇野富雄 ,  西野功二 ,  福田浩幸 ,  池田信一 ,  山路道雄

IPC: F15D1/08 ,  B23P15/16

CPC classification number: G01F1/40 ,  G05D7/0186

Abstract: 一种压力式流量控制装置中使用的节流孔，节流孔具备入口圆锥部1和与其相连接的节流平行部2，该节流平行部2为在压力式流量控制装置中使用的节流孔中，将穿设在主体构件D上的下孔6一方的开口端部切削而形成的喇叭吹口状；并且还具备圆锥扩径部3和与其相连接的平行扩径部4，该圆锥扩径部3与通过将上述下孔6另一方的开口端部扩径而形成的上述节流平行部2相连接。

公开(公告)号：CN1463468A

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN02802155.X

申请日：2002-06-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192

Abstract: 在处理容器(22)的内部，设有装载台(24)，用来装载半导体晶片(W)。微波发生器(76)产生微波，通过平面天线部件(66)导入到处理容器(22)内。平面天线部件(66)具有沿若干圆周排列的若干贯通孔(84)，所述若干圆是非同心圆。平面天线部件径向的等离子体密度分布均匀。

公开(公告)号：CN1460287A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02800920.7

申请日：2002-03-28

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也 ,  本乡俊明

IPC: H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244

Abstract: 一种具有放射线槽天线的微波等离子体处理装置，可抑制异常放电，提高微波等离子体的激发效率。在放射线槽天线与同轴波导管的连接部中，使同轴波导管中的供电线前端部离开构成辐射面的槽板。

公开(公告)号：CN1460286A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02800919.3

申请日：2002-03-28

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32238 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244

Abstract: 一种等离子体处理装置，由：通过外壁围成、并具备保持被处理基板的保持台的处理容器；与上述处理容器连接的排气系统；向上述处理容器中供给等离子体气体的等离子体气体供给部；对应于上述被处理基板而设置于上述处理容器上的微波天线；以及面对上述被处理基板设置在上述保持台上的被处理基板与上述等离子体气体供给部之间的处理气体供给部；构成。上述处理气体供给部由：形成于上述处理容器中内、使等离子体通过的多个第1开口部；可连接于处理气体源的处理气体通路；与上述处理气体通路连通的多个第2开口部；以及相对上述第2开口部设置、使由上述第2开口部排放出的处理气体扩散的扩散部；构成。

公开(公告)号：CN1340848A

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN01130680.7

申请日：2001-08-20

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 三森健一 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67086 ,  B08B3/041 ,  B08B3/123 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/6708

Abstract: 提供在适宜的条件下使用省液型喷嘴的湿式处理装置。包括具有向着被处理基板W开口的大致长方形的导入开口面8a及向着上述被处理物开口的大致长方形的回收开口面9a,上述导入开口面和回收开口面相互在一个面上,而且与长边方向平行地配置的喷嘴1和、基板W相对喷嘴1移动的同时,在导入开口面8a和基板W的被处理面间导入处理液,从回收开口面9a和基板W的被处理面间吸引处理液并进行回收。此时将从上述导入开口面8a经过上述基板W的被处理面流入到上述回收开口面9a的处理液的流量控制在导入开口面的长边方向每1cm为0.02～0.3L/分钟。

公开(公告)号：CN1272186A

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：CN99800859.1

申请日：1999-05-27

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  加贺爪哲 ,  池田信一 ,  西野功二 ,  吉川和博 ,  出田英二 ,  土肥亮介 ,  宇野富雄 ,  山路道雄

IPC: G05D7/06

CPC classification number: G05D7/0635 ,  Y10T137/7759 ,  Y10T137/7761

Abstract: 使半导体制造装置等所使用的具备压力式流量控制装置的气体供给设备更小型化而降低制造成本,同时改善过度流量特性,防止气体供给开始时的气体的过调节现象的发生,提高流量控制精度与设备可靠性,由此,减少半导体制品质量的不均一,同时提高半导体制品的制造效率。具体地讲,是在将节流孔的上游侧压力保持成为节流孔的下游侧压力的约2倍以上的状态下,一边进行气体的流量控制,一边通过节流孔对应阀向加工过程供给气体,在上述具备压力式流量控制装置的气体供给设备上,气体供给设备的构成包括:从气体供给源接受气体的控制阀,设置在控制阀下游侧的节流孔对应阀,设置于前述控制阀与节流孔对应阀之间的压力检测器,设置于节流孔对应阀的阀动机构部下游侧的节流孔,在根据前述压力检测器的检测压力P1将流量作为Qc=KP1(式中K为常数)进行运算、同时将流量指令信号Qs与运算流量Qc的差作为控制信号Qy向控制阀的驱动部输出的运算控制装置。