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公开(公告)号：CN117393072A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311317822.8
申请日：2023-10-11
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G16C20/70 , G16C20/30 , G06F18/211 , G06F18/2135 , G06N3/08 , G01N23/223 , G01N23/2202
Abstract: 本发明公开了一种基于CARS‑PCA‑BLS的XRF重金属元素定量分析方法。首先，从土壤样品中获取对应的X射线荧光光谱数据；然后，针对土壤中的重金属元素，利用CARS方法对X射线荧光光谱数据进行特征选择，获取相关性高的可靠数据，剔除冗余信息；接着，将筛选的最优特征输入到BLS宽度神经网络进行训练，应用PCA方法计算宽度学习系统的节点主成分信息，提取具有最大方差的节点主成分特征；最后，使用经过PCA优化的BLS对XRF重金属元素含量进行定量预测。本发明简单易操作，具有较高的预测准确率，且结果直观易懂，不仅能高效和准确的对待测土壤的重金属元素含量进行定量预测，而且还具有较高的可解释性和推理性。
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公开(公告)号：CN116492941A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310591029.0
申请日：2023-05-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: B01J13/00
Abstract: 本发明提出了一种基于电化学脉冲沉积的图案化PEDOT:PSS水凝胶及制备方法。制备装置包括电解池、电化学工作站、基底、导电层、牺牲金属层，电解池内设有PEDOT:PSS水溶液，导电层与电化学工作站的工作电极相连接，牺牲金属层在电化学工作站的激励下形成金属阳离子，金属阳离子在PEDOT:PSS水溶液中对PEDOT：PSS实现静电吸附，最终在导电层上形成以牺牲金属层为模板的图案化形状。本发明通过各项沉积参数的调控实现了图案化PEDOT:PSS水凝胶的厚度调控。制备流程简单，成本低廉，实用性高，充分实现PEDOT:PSS水凝胶图案化。
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公开(公告)号：CN114609220B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210166235.2
申请日：2022-02-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N27/407 , G06F30/10 , G06F30/20 , G16C10/00
Abstract: 本发明属于离子电导率的求解领域，具体为一种求解三相界面离子电导率的方法，基于第一性原理分子动力学，可应用于固体电解质气体传感器。本发明从固体电解质离子电导率定义出发，在原子级模型基础上，模拟仿真运动离子的迁移过程，使三相界面的微观结构演变真实可见。首先构建三相界面模型，然后利用AIMD仿真三相界面的微观结构演变，同时结合计算机语言Python使微观结构演变进一步进化为离子电导率数值。本发明既真实还原了固体电解质气体传感器三相界面的微观结构，同时真实模拟了气体分子在三相界面的反应过程，解决了当前求解固体电解质离子电导率建模难、无法适用于三相界面、以及求解结果分析处理难的问题。
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公开(公告)号：CN114380847B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111367565.X
申请日：2021-11-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: C07D513/04 , B05D7/24 , B05D5/06 , H10K30/20 , H10K71/00
Abstract: 本发明属于有机光电材料领域，具体涉及一种噻二唑并苯并三唑近红外有机光电小分子及其制备方法和应用。本发明将具有强缺电子特征的醌式受体单元[1,2,5]噻二唑[3,4‑f]苯并三唑引入到分子设计中，构建A‑D‑A‑D‑A型噻二唑并苯并三唑近红外有机光电小分子，以[1,2,5]噻二唑[3,4‑f]苯并三唑为中心单元，D为噻吩类结构单元，2‑(2‑亚甲基‑3‑氧代‑2,3‑二氢‑1H‑茚‑1‑亚基)丙二腈为末端基团，有效降低了分子的带隙。制备方法简单、易溶解、易成膜，具有高消光系数，吸收范围超1.2μm，具有高结晶性；应用于近红外或宽光谱型光电探测器件时表现出了优越的性能，其在0.4‑1.2μm光谱范围内比探测率可以达到1011Jones以上，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115521303A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211356541.9
申请日：2022-11-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: C07D417/14 , H01L51/42 , H01L51/46
Abstract: 本发明属于有机光电材料技术领域，具体提供一种深能级有机光电小分子材料及其制备方法与应用，用以解决现有有机光电小分子材料存在能级不够深的问题。本发明深能级有机光电小分子材料具有苯并噻二唑与噻吩结构，以苯并噻二唑为中心、以噻吩结构单元为连接、以2‑(2‑亚甲基‑3‑氧代‑2,3‑二氢‑1H‑茚‑1‑亚基)丙二腈为末端基团，其最低未被占据能级低于‑4.2eV，最低未被占据能级深至‑4.22eV、最高占据能级深达‑6.24eV，即实现深能级；进一步，基于本发明深能级有机小分子材料的器件的外量子效率和响应度显著提高，进而提升有机光电探测器件的性能，光谱探测范围可覆盖0.4～1.3μm，且优化后的比探测率可以达到1010Jones以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115377290A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210869601.0
申请日：2022-07-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有短波红外响应的宽光谱有机光电探测器，属于有机光电探测器技术领域。该光电探测器创新性地采用新型光敏层材料，实现了从0.3μm到1.4μm的宽光谱响应，且在短波红外波段的比探测率可达1012Jones；同时，器件的结构和制备工艺简单，工作电压小，可应用于大面积器件，成本低，应用范围广。
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公开(公告)号：CN114512615A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111633250.5
申请日：2021-12-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供的基于有机‑金属离子螯合电子传输层的有机光电探测器，属于有机半导体薄膜光电探测器技术领域，包括自下而上依次设置的衬底、导电阴极、电子传输层、光活性层、空穴传输层和金属阳极；其中电子传输层含有N‑Sn键，通过将0.3wt％的PEIE溶液与15mg/ml的(Sn(CH3COO)2·4H2O溶液按照10：(1～10)的体积比混合，旋涂后经100～200℃热退火所得。电子传输层PEIE‑Sn具有较好的空气稳定性、对紫外不敏感，引入的Sn2+与PEIE中的N元素发生螯合，减少导电阴极的界面缺陷，优化器件的能级排列促进电子传输，抑制PEIE与光活性层材料之间的化学反应，提升器件性能。
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公开(公告)号：CN113270553A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110575986.5
申请日：2021-05-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种有机光电探测器制备方法及制备的有机光电探测器，制备方法中先制备透明导电电极，然后制备第一电极修饰层，然后采用包括具有温度依赖性聚集行为的有机材料的活性层溶液制备活性层，活性层制备过程采用先加热旋涂后热退火处理的分布协同热处理方法，然后制备第二电极修饰层，最后蒸镀金属电极并封装获取光电探测器，有机光电探测器包括自下而上设置的基底、透明导电电极、第一电极修饰层、活性层、第二电极修饰层和金属电极；本发明能够调控活性层相分离尺度并优化其内部构形，保持厚膜器件低暗电流密度且提升器件光响应率和外量子效率EQE，进而提高器件比探测率D*。
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公开(公告)号：CN112735469A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110227395.9
申请日：2021-03-02
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于语音信号处理技术领域，公开了一种低内存语音关键词检测方法、系统、介质、设备及终端，对语音信号进行预处理、时频域特征MFCC提取、关注和时序卷积神经网络模型训练；对TACRNN模型中全连接层的参数通过SVD技术进行降维，并对降维参数进行低位量化，降低需要存储模型参数的存储量。本发明不先对原有模型参数进行SVD实现模型参数的压缩，充分运用了模型参数间的关联性极大地减少了对参数存储的内存需求。本发明不同于传统的模型参数采用双精度浮点表示的做法；在对模型参数进行SVD降维的基础上，对压缩后的参数用低位表示，减少了对模型参数的内存需求。进一步的强化和适应轻量级设备对语音检测算法的部署能力。
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公开(公告)号：CN111504493A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010328018.X
申请日：2020-04-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01K7/18
Abstract: 本发明公开了一种柔性温度传感器的制作方法，涉及柔性传感器技术领域，为了解决现有柔性温度传感器的制备过程无法经过高温退火，导致的普遍存在迟滞较大、无法达到高性能的技术问题；本发明的技术方案包括如下步骤：清洗硬质基底、光刻成形、沉积牺牲层和金属层并去除光刻胶、高温退火、制作柔性基底、刻蚀牺牲层。即可得到柔性温度传感器；本发明适用于对温度敏感的柔性可穿戴材料,所制备的柔性温度传感器兼具柔性和强度，先在刚性基片上制作金属温敏电阻，从而进行高温退火，有助于改善金属温敏电阻的硬度，降低残余应力，解决柔性传感器普遍的迟滞较大的难题，同时使金属结构更加稳定，消除组织缺陷，从而提高柔性温度传感器的整体性能。
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