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公开(公告)号：CN101887171A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010222497.3
申请日：2010-07-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 光学元件表面波纹度对其激光损伤阈值影响的评价方法及由此获得元件最佳加工参数的方法，涉及一种光学元件的表面质量评价方法以及一种获得元件最佳加工参数的方法。所述评价方法为：首先获得原始加工表面的形貌数据矩阵，然后利用功率谱密度法、二维连续小波变换法及傅立叶模方法，获得各个特征频率对应的相对激光损伤阈值，然后选择其中的最小值作为评价结果；所述获得元件最佳加工参数的方法，即利用该评价方法，通过比较各种加工参数条件下得到的光学元件的相对激光损伤阈值，进而获得最优加工参数。本发明可用于评价光学元件的质量，并可用于指导光学元件的加工过程。
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公开(公告)号：CN101621348A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910108844.7
申请日：2009-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明涉及一种基于斜投影的OC-CDMA扩频系统及方法。所述基于斜投影的OC-CDMA系统包括：用户PN码构建模块、扩频模块、BPSK调制模块、斜投影解扩模块及BPSK解调模块。所述基于斜投影的OC-CDMA扩频方法包括以下步骤：第一步：构建用户PN码；第二步：利用用户PN码对基带信号进行扩频操作，得到宽带信号；第三步：对宽带信号进行BPSK调制；第四步：构建斜投影解扩矩阵，将BPSK调制后的宽带信号解扩成窄带信号；第五步：将解扩后的窄带信号进行BPSK解调。本发明可以在不需要用户地址码正交的情况下就能够正确的解调。这就极大的放宽了对地址码选择的限制，使得用户可用码片的数目大大增加，且在斜投影框架下进行解调可以有效的抑制了码间干扰。
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公开(公告)号：CN118536632B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202410174236.0
申请日：2024-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种电动公交充电站选址和定容的优化方法，它属于电动公交充电站规划与运营技术领域。本发明解决了现有电动公交充电站选址和定容优化方法的温度适应性差的问题。本发明提供了寒区低温环境下电动公交充电站选址定容两阶段优化方法，构建寒区充电站渐进覆盖选址模型确定充电站的最佳选址位置，基于充电站选址结果，建立充电站定容规划模型确定各充电站的容量设置方案。由于本发明的选址定容两阶段优化方法在寒区低温环境下仍然适用，提高了方法的温度适应性。本发明方法可以应用于电动公交充电站选址和定容优化。
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公开(公告)号：CN118536632A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410174236.0
申请日：2024-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种电动公交充电站选址和定容的优化方法，它属于电动公交充电站规划与运营技术领域。本发明解决了现有电动公交充电站选址和定容优化方法的温度适应性差的问题。本发明提供了寒区低温环境下电动公交充电站选址定容两阶段优化方法，构建寒区充电站渐进覆盖选址模型确定充电站的最佳选址位置，基于充电站选址结果，建立充电站定容规划模型确定各充电站的容量设置方案。由于本发明的选址定容两阶段优化方法在寒区低温环境下仍然适用，提高了方法的温度适应性。本发明方法可以应用于电动公交充电站选址和定容优化。
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公开(公告)号：CN116908183A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310610921.9
申请日：2023-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明基于变倍环倍数变换的大口径KDP晶体微缺陷快速检测与寻位方法，涉及光学工程技术领域，为解决现有方法扫描效率低、图像成像质量低、易发生图像漏拍的现象的问题。本发明采用基于仿CMT跟踪算法的特征点匹配方法确定各个变倍环倍数下转换系数，进一步计算不同倍数下扫描显微镜的实际视野范围；通过寻边运动，并提取元件边缘图像，确定元件中心坐标值，实现晶体全局坐标转换；基于低倍数扫描显微镜，采用栅格式往复扫描策略进行整块晶体元件表面微缺陷扫描，基于中倍数扫描显微镜对元件表面微缺陷进行寻位；在对晶体元件表面微缺陷扫描及寻位过程中，均采用基于梯度算法的图像处理方法，最终快速、准确得到各个微缺陷的位置、形状、尺寸信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115854924A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211505077.5
申请日：2022-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01B11/26
Abstract: 本发明提供一种紫外光学元件激光损伤过程中材料喷溅角度的预测方法，属于工程光学技术领域。为解决现有技术采用实验方式对紫外光学元件激光损伤过程中材料喷溅角度进行预测，由于检测装置性能的限制无法精确获得损伤初期等离子体喷溅行为；且对于特定表面微纳缺陷无法重复进行损伤性实验，无法有效预测其激光损伤过程中材料喷溅角度的问题。通过对激光损伤过程中材料喷溅的形成机理进行分析，采用等密度的离子点群模拟紫外光学元件加工表面微纳缺陷区，基于麦克斯韦、牛顿‑洛伦兹物理方程研究高功率激光辐照下缺陷区等离子体演变过程并获得激光损伤过程中材料喷溅角度。通过本发明方法可准确获得紫外光学元件激光损伤过程中材料喷溅角度。
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公开(公告)号：CN111458312B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010158345.5
申请日：2020-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种软脆光学晶体加工表层微区荧光性缺陷检测光学系统，涉及一种光学晶体缺陷检测光学系统。目的是解决现有晶体表层缺陷检测装置无法获得晶体表层缺陷的受激荧光的稳态光谱和内部结构的问题。检测光学系统由可变波长激光器、第一反射镜、光阑、二向色镜、显微物镜、晶体元件、载物台、白光光源、第二反射镜、滤光片、第一透镜、光纤、光谱仪、时间相关单光子计数器、计算机、第三反射镜、第二透镜和CCD相机构成。本发明即可以实现晶体元件表层缺陷，也能够实现表层缺陷激发稳态荧光光谱以及表层缺陷激发瞬态荧光光谱的检测。本发明适用于晶体表层缺陷检测。
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公开(公告)号：CN111504958B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202010158348.9
申请日：2020-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 一种软脆光学晶体加工表层荧光性缺陷检测方法，涉及一种晶体缺陷检测方法。目的是解决现有方法无法获得晶体表层缺陷的受激荧光的稳态光谱和内部结构的问题。检测方法利用软脆光学晶体加工表层微区荧光性缺陷检测光学系统中进行，一、缺陷定位；二、测量背底；三、测量可见光波段稳态荧光光谱；四、测量可见光波段瞬态荧光光谱；五、测量近红外波段稳态荧光光谱；六、改变波长获得不同激发光波长下的可见光波段瞬态荧光光谱和近红外波段稳态荧光光谱。本发明可以实现晶体元件表层缺陷、表层缺陷激发稳态荧光光谱以及表层缺陷激发瞬态荧光光谱的检测。本发明适用于晶体表层缺陷检测。
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公开(公告)号：CN109523061B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201811230978.1
申请日：2018-10-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于情景分析的突发事件应急决策方法，本发明涉及突发事件应急决策方法。本发明的目的是为了解决现有突发事件反应机制设置不合理，应急管理人员直接凭借经验或者使用人工神经网络划分等方法对突发事件展开应急决策并不能很好的缩短反应时间，不符合实际情况，导致突发事件应急管理效率低以及准确率低问题。一种基于情景分析的突发事件应急决策方法具体过程为：步骤一、构建基础情景库；步骤二、从目标情景中抽取目标情景的特征要素知识元，然后将目标情景的特征要素知识元输入到基础情景库中进行检索与匹配，得到对应的应急决策方案；本发明属于应急交通管理领域。
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公开(公告)号：CN114324393A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111621354.4
申请日：2021-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种熔融石英光学元件加工表面缺陷区引发激光损伤初期能量沉积计算方法，它属于工程光学领域，本发明为解决现有技术缺乏有效的方法用于计算或表征熔融石英光学元件加工表面缺陷区引发激光损伤初期能量沉积的问题；本发明按如下步骤进行：步骤一确定熔融石英光学元件加工表面缺陷区缺陷能级结构；步骤二、获取熔融石英光学元件加工表面缺陷区和无缺陷区受激发产生的荧光发射光谱荧光强度；步骤三、建立光学元件加工表面缺陷区材料非线性离化模型；步骤四、获取熔融石英光学元件无缺陷表面各能级电子密度随时间演变曲线及能量沉积过程中产生的温度；步骤五、获取表征熔融石英光学元件加工表面引发激光损伤初期能量沉积过程的温度和自由电子密度。
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