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公开(公告)号：CN113150376A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110410683.8
申请日：2021-04-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种双层超宽带薄型吸波超材料的仿真及制备方法；属于宽带薄型吸波超材料技术领域。本发明要解决现有的吸波超材料中有效吸收带宽窄及材料厚度较大的技术问题。本发明方法：配置PVA水溶液，加入石墨烯，得到悬浊液；填充上下层模具中；复合在一起得到双层超宽带薄型吸波超材料；测试双层超宽带薄型吸波超材料的吸波性能，得到反射损耗曲线，并与CST Studio Suite的仿真结果进行比较，验证其超宽带的微波有效吸收效果。本发明的制备方法简单，制备效率高，有效吸收带宽宽，不使用专用设备，可实现工业化大规模生产，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN111517788A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010428069.X
申请日：2020-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 一种具有高剩余极化强度的铌酸钾钠陶瓷材料的制备方法，它涉及提高K0.5Na0.5NbO3陶瓷剩余极化强度的制备方法。它是要解决现有无铅K0.5Na0.5NbO3陶瓷剩余极化强度低的技术问题。本方法：烘干之后的碳酸钾和碳酸钠粉末与五氧化二铌粉末混合后湿法球磨，烘干后放在管式炉预烧，然后再湿法球磨，烘干后在氧气气氛下放入热压炉中进行高温高压烧结，将热压烧结得到的陶瓷切片放入管式炉中进行氧气退火，可得到具有高剩余极化强度的K0.5Na0.5NbO3陶瓷。该陶瓷的剩余极化强度为24～27μC/cm2，是利用传统固相方法制备的K0.5Na0.5NbO3陶瓷的1.6～2.7倍，可用于电气、电子领域。
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公开(公告)号：CN107473744B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201710846011.5
申请日：2017-09-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 一种钛酸钡基陶瓷材料中类圆形晶粒与高长径比棒状晶粒比例的气氛调节方法，它涉及钛酸钡基陶瓷材料的制备方法。它是要解决陶瓷材料中棒状晶粒长径比低并且棒状晶粒比例难以调节的技术问题。本制法：将碳酸钡、碳酸钙、二氧化钛、三氧化二铁、五氧化二钽和二氧化锆按照0.2Ba(Zr0.2Ti0.8)O3–0.8Ba0.7Ca0.3FeTaO5的化学计量比混匀，粉末混合后湿法球磨，烘干后预烧，然后再湿法球磨，烘干后加入粘结剂压制成预制体，再将预制体在不同的气氛下烧结，得到钛酸钡基陶瓷材料。通过调节陶瓷烧结气氛可以实现陶瓷产品表面高长径比棒状晶粒所占比例从0到100％的调节，可用于电气、电子领域。
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公开(公告)号：CN110451575A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910859617.1
申请日：2019-09-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于尺寸效应增强铁酸铋纳米粉末磁性的方法，属于多铁性材料/磁电耦合材料的技术领域。本发明是要解决现有的单相多铁材料铁酸铋的易产生杂相和铁磁性弱这两个技术问题。本发明方法如下：一、在搅拌下向乙二醇单甲醚中依次加入五水硝酸铋和九水硝酸铁，完毕后滴加稀硝酸直至pH值为3～4；二、继续搅拌，加入一水柠檬酸，搅拌均匀后，再加入乙二醇，搅拌均匀；三、然后置于水浴中磁力搅拌，再干燥；四、二阶段保温；五、然后研磨，加入稀硝酸，磁力搅拌后用去离子水清洗，烘干，得到BiFeO3纯相纳米粉末。本发明铁酸铋的铁磁性能显著增强。
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公开(公告)号：CN105926040B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201610473008.9
申请日：2016-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种以二异丙胺卤盐为前体材料的有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体的制备方法，涉及一种有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体的制备方法。本发明为了解决现有技术制备的有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体生长质量差、生长条纹多和残余应力大的问题。制备方法：一、制备钙钛矿晶体的前体材料；二、制备目标籽晶；三、进行晶体静置生长；四、继续进行晶体静置生长；五、重复步骤四至得到目标尺寸的晶体。本发明制备方法可以提高有机‑无机杂化钙钛矿晶体的生长质量，减少生长条纹和残余应力；用于复合半导体微电子开关、发光器件以及光伏器件等光电功能器件的研制中。本发明适用于有机‑无机杂化钙钛矿结构晶体的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106810237A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710075048.2
申请日：2017-02-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/495 , C04B35/634
Abstract: 一种单相多铁陶瓷材料及其制备方法,本发明涉及单相多铁陶瓷及其制备方法。本发明是要解决现有的单相多铁材料铁酸铋的铁磁性弱的技术问题。本发明的单相多铁陶瓷材料的化学表达式为(1‑x)Ba(Zr0.2Ti0.8)O3–x(Ba0.7Ca0.3)(Fe0.5Ta0.5)O3，其中x＝0.2～0.4。制法：碳酸钡、碳酸钙、二氧化钛、三氧化二铁、五氧化二钽和二氧化锆粉末混合后湿法球磨，烘干后放在管式炉预烧，然后再湿法球磨，烘干后加入粘结剂压制成预制体，再将预制体于管式炉中烧结，得到单相多铁陶瓷材料。单相多铁陶瓷材料在室温下是四方相钙钛矿结构，同时具有铁磁性和铁电性，可用于电气、电子领域。
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公开(公告)号：CN103603044A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310636441.6
申请日：2013-11-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法，它涉及钽铌酸钾晶体及其制备方法。本发明是要解决现有的低铌钽铌酸钾晶体居里温度低，而用现有晶体生长方法无法得到富铌钽铌酸钾单晶的技术问题。本发明的富铌掺锂钽铌酸钾单晶的表示式为K0.95Li0.05Ta1-xNbxO3，其中x=0.50～0.90。方法：将碳酸钾、碳酸锂、氧化钽和氧化铌粉末并混合均匀和球磨后，压片，然后预烧得到多晶片，再将多晶片捣碎、湿磨得到生长单晶的原料，在晶体提拉生长炉内经籽晶接种、提拉、等径生长后，得到富铌掺锂钽铌酸钾单晶。该单晶的相变温度为310～500K，可用在无铅压电铁电器件中。
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公开(公告)号：CN102086529B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201010598266.2
申请日：2010-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法，它涉及一种单晶的制备方法。本发明的目的是提供一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法。制备方法如下：用无水乙醇将碳酸钾、碳酸锂、氧化钽、氧化铌、氧化铒和氧化镱的混合物的粉末研磨至无水乙醇挥发完全，然后放入铂金坩埚中，将铂金坩埚放入晶体生长炉内，进行晶体生长，即得铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶。本发明利用提拉法成功生长铒镱掺杂钽铌酸钾锂单晶，并且能够实现铒镱掺杂钽铌酸钾锂单晶的可控生长；另外该方法相对工艺比较简单，不使用专用设备，不需要特殊气氛生长，对环境无污染，本发明方法对于铒镱掺杂钽铌酸钾锂单晶的大规模制备和全固态短波长激光器的应用起到了重要的推动作用。
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公开(公告)号：CN102140692A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110058798.1
申请日：2011-03-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 钬镱双掺铌酸钾锂单晶及其制备方法，它涉及铌酸钾锂单晶及其制备方法。本发明要解决目前尚没有以铌酸钾锂为基质的频率上转换性能的材料的技术问题。本发明的钬镱双掺铌酸钾锂单晶是由氧化镱、氧化钬、氧化铌、碳酸锂和碳酸钾制成；方法：称取氧化镱、氧化钬、氧化铌、碳酸锂和碳酸钾并混合均匀，再研磨后放在坩埚中，在晶体生长炉内先烧结得到铌酸钾锂多晶，采用逐步降温法，即得钬镱双掺铌酸钾锂单晶。本发明的单晶在975nm激光的激发下产生545nm绿光和650nm红光，可用于频率上转换短波长全固态激光器领域及太阳能电池、彩色显示和生物识别等领域。
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