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公开(公告)号：CN113053820B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110168041.1
申请日：2021-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：具有前侧和背侧的衬底；从衬底突出并由隔离部件包围的有源区域；形成于衬底的前侧上并设置在有源区域上的栅极堆叠件；形成于有源区域上并由栅极堆叠件插入的第一源极/漏极(S/D)部件和第二源极/漏极(S/D)部件；设置在第一S/D部件的顶面上的前侧接触部件；设置在第二S/D部件的底面上并电连接到第二S/D部件的底面的背侧接触部件；以及设置在具有第一厚度的第一S/D部件的底面和具有第二厚度的栅极堆叠件的底面上的半导体层，该第二厚度大于第一厚度。本申请的实施例还涉及形成集成电路结构的方法。
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公开(公告)号：CN119153516A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411172223.6
申请日：2024-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体器件包括晶体管。晶体管包括：多个堆叠的沟道；源极/漏极区，连接至堆叠的沟道；以及栅极金属，围绕在堆叠的沟道周围。晶体管包括多个内部间隔件，每个内部间隔件横向地定位在栅极金属和源极/漏极区之间，并且包括栅极金属和漏极/源极区之间的间隙和内部间隔件衬垫层。本申请的实施例还公开了形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN113224057B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202110443667.9
申请日：2021-04-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 半导体结构包括设置在半导体衬底上方的半导体层的第一堆叠件，其中半导体层的第一堆叠件包括第一SiGe层和设置在第一SiGe层上方的多个Si层，并且Si层基本上不含Ge；以及邻近半导体层的第一堆叠件的半导体层的第二堆叠件，其中半导体层的第二堆叠件包括第一SiGe层和设置在第一SiGe层上方的多个第二SiGe层，并且其中第一SiGe层和第二SiGe层具有不同的组分。半导体结构还包括与半导体层的第一堆叠件交错以形成第一器件的第一金属栅极堆叠件和与半导体层的第二堆叠件交错以形成不同于第一器件的第二器件的第二金属栅极堆叠件。本发明的实施例还涉及半导体结构的形成方法。
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公开(公告)号：CN113594157B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202110481499.2
申请日：2021-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本文公开了提供用于将多栅极器件的栅极彼此隔离的介电栅极隔离鳍的自对准栅极切割技术。示例性器件包括第一多栅极器件和第二多栅极器件，第一多栅极器件具有第一源极/漏极部件和围绕第一沟道层的第一金属栅极，第二多栅极器件具有第二源极/漏极部件和围绕第二沟道层的第二金属栅极。介电栅极隔离鳍将第一金属栅极和第二金属栅极分离。介电栅极隔离鳍包括具有第一介电常数的第一介电层和设置在第一介电层上方的具有第二介电常数的第二介电层。第二介电常数大于第一介电常数。第一金属栅极和第二金属栅极分别与第一沟道层和介电栅极隔离鳍以及第二沟道层和介电栅极隔离鳍物理接触。本申请的实施例还涉及多栅极器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN111599809B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202010101784.2
申请日：2020-02-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开实施例提供半导体结构及半导体结构的制造方法。半导体结构包含基底、基底上的晶体管、和隔离结构。晶体管包含基底上的外延区，外延区具有第一侧边界和相对于第一侧边界的第二侧边界。外延区的第一侧边界顺应于隔离结构的侧壁。
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公开(公告)号：CN113675193B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110882419.4
申请日：2021-08-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本发明的实施例提供了一种多栅极器件及其制造方法。一种方法和器件包括多栅极器件，具有设置在源极部件和漏极部件之间的沟道层、围绕沟道层的金属栅极、以及插入金属栅极和源极部件的第一气隙间隔件和插入金属栅极和漏极部件的第二气隙间隔件。背侧接触件延伸到源极部件。电源线金属化层连接到背侧接触件。
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公开(公告)号：CN113517275B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202110303546.4
申请日：2021-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体结构包括：电源轨，在半导体结构的背面上；第一互连结构，在半导体结构的正面上；以及源极部件、漏极部件、第一半导体鳍和栅极结构，在电源轨与第一互连结构之间。第一半导体鳍连接源极部件与漏极部件。栅极结构布置在第一半导体鳍的前面和两个侧面上。该半导体结构还包括：隔离结构，布置在电源轨与漏极部件之间以及电源轨与第一半导体鳍之间；以及通孔，穿过隔离结构并将源极部件连接到电源轨。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN113594158B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202110465251.7
申请日：2021-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本文公开了用于多栅极器件的自对准栅极切割技术，其提供了具有不对称金属栅极轮廓和不对称源极/漏极部件轮廓的多栅极器件。示例性多栅极器件具有沟道层、包裹沟道层的部分的金属栅极和设置在衬底上方的源极/漏极部件。沟道层沿第一方向在源极/漏极部件之间延伸。第一介电鳍和第二介电鳍设置在衬底上方并且配置不同。沟道层沿第二方向在第一介电鳍和第二介电鳍之间延伸。金属栅极设置在沟道层和第二介电鳍之间。在一些实施例中，第一介电鳍设置在第一隔离部件上，并且第二介电鳍设置在第二隔离部件上。第一隔离部件和第二隔离部件配置不同。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN117096156A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310928589.0
申请日：2023-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L21/8234 , B82Y40/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：纳米结构的第一堆叠件；纳米结构的第二堆叠件，与第一堆叠件水平偏移；第一源极/漏极区，邻接纳米结构的第一堆叠件；第二源极/漏极区，邻接纳米结构的第二堆叠件；壁结构，位于第一堆叠件与第二堆叠件之间并且与第一堆叠件的纳米结构间隔开；以及第一栅极结构，第一栅极结构包括：栅极介电层，包裹环绕第一堆叠件的纳米结构；和导电芯层，位于栅极介电层上，其中，第一堆叠件的一个纳米结构与壁结构之间的导电芯层的厚度在0纳米至1纳米的范围内。本申请的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN116314295A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310007843.3
申请日：2023-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/08 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28 , B82Y40/00
Abstract: 本申请的实施例提供了集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括在衬底上的纳米结构的第一垂直堆叠件、在衬底上的纳米结构的第二垂直堆叠件、在第一和第二垂直堆叠件之间并与第一和第二垂直堆叠件直接接触的壁结构、围绕纳米结构的三个侧的栅极结构和在纳米结构的第一垂直堆叠件旁边的源极/漏极区。
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