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公开(公告)号：CN215815916U
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202122274974.7
申请日：2021-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种多波长LED芯片，其中多波长LED芯片包括：依次堆叠在所述基板表面的键合层、金属反射镜、堆叠结构；所述堆叠结构包括发光结构和覆盖层，若干个所述发光结构沿所述第一方向依次堆叠且呈台阶状分布，各所述发光结构包括沿所述第一方向依次层叠的P型半导体层、有源层和N型半导体层；相邻两个发光结构通过覆盖层相互绝缘；金属连接层，其层叠于相邻两个发光结构所形成的台阶表面，用于串联对应的相邻两个发光结构，可优化晶体质量，提高多波长LED芯片发光效率。
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