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公开(公告)号：CN108855256A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810379613.9
申请日：2018-04-25
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种检测红细胞变形性的微流控芯片及其方法。本发明采用波浪形微流通道，包括依次连接的入口、第一缓冲直通道、第一连接部分、波浪通道、第二连接部分、第二缓冲直通道以及出口，在提供持续挤压应力的同时，红细胞还随着波浪的变化发生弯折变形，提供了另一种形式的应力；采用灌流液推进装置，通过高度差控制的压强梯度法，将灌流液注入至检测红细胞变形性的微流控芯片中，推动微流芯片中灌流液的流动；本发明能够达到体外检测红细胞变形性目的，能够从直径更是从形状上有效模拟人体毛细血管血液微循环环境，尤其能够体外实验模拟红细胞在脾脏处挤压情况。
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公开(公告)号：CN108767650A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810616911.5
申请日：2018-06-15
Applicant: 南开大学
IPC: H01S3/115
Abstract: 本发明公开一种功能复合电光Q开关，属于晶体材料在光电技术领域中的应用。本发明是由一块KDP类晶体或者LiNbO3晶体按照一定的设计切型制成的一种功能复合电光Q开关器件。它利用了电光晶体的自然双折射效应和电光效应，可以同时起到1/4波片和传统电光Q开关的作用，能够独立地进行加压式电光调Q。本发明的优点在于：加压式调Q时无需再使用1/4波片或者检偏镜，装调简单方便，有利于提高激光器的紧凑性和稳定性，并且降低了成本。
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公开(公告)号：CN105319737B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201510801179.5
申请日：2015-11-19
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及一种光学非线性偏振调控元件，其中，其包括：一绝缘透明基底；一设置于该绝缘透明基底的一表面的金属等离子激元层，所述等离子激元层包括多个周期设置的具有手性的微结构；以及一设置于该金属等离子激元层远离该绝缘透明基底的表面且将该金属等离子激元层覆盖的折射率可调控薄膜，所述折射率可调控薄膜包括折射率在光照下可调控的材料。一种调控入射光波偏振的方法，其包括：在某一时间内，采用一偏振入射光和一调控光同时从所述折射率可调控薄膜一侧照射如上述任意一项所述的光学非线性偏振调控元件。采用本发明的光学非线性偏振调控元件可以实现对偏振光的全光式调控。该方法具有方法简单，响应速度快的优点。
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公开(公告)号：CN107244669A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710461601.6
申请日：2017-06-14
Applicant: 南开大学
IPC: C01B32/194 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导石墨烯微纳结构的加工方法及其系统，本方法首先制备氧化物‑石墨烯‑基底材料三明治结构样品；其次，样品通过激光直写系统进行加工；超过阈值光强的区域内石墨烯在激光诱导下和氧化物发生碳热还原反应而被破坏，其他部分的石墨烯则不会被破坏得以保留，从而形成石墨烯微纳结构。本发明方法及系统操作简单，不需要借助掩模板进行曝光，避免了离子束加工中二次溅射的问题，能实现高精度的石墨烯结构及图案的加工，加工分辨率可通过激光光斑大小和激光能量调控，有利于复杂结构石墨烯图案的快速加工及高质量石墨烯结构器件的制备，可广泛的推广应用。
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公开(公告)号：CN104807416B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201510236182.7
申请日：2015-05-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微结构阵列的光学应变传感器设计及制造方法，首先在弹性体基底材料表面进行镀膜，利用微纳米加工方法在基底材料上制备具有光谱特征峰的微结构阵列；将制备好的器件固定在被测样品表面，利用光谱仪测量样品在形变前后及形变过程中的光谱，最终利用光谱特征峰的变化计算样品的形变量。本发明的微结构阵列光学应变传感器可以测量微小区域内形变量，且具有测量灵敏度高、检测速度快的优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106929917A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710280810.0
申请日：2017-04-25
Applicant: 南开大学 , 泰山体育产业集团有限公司
CPC classification number: C30B29/30 , C30B15/00 , G02F1/3551
Abstract: 本发明涉及非线性光学晶体领域，特别是涉及一种室温90°相位匹配的双掺铌酸锂晶体。所述的双掺铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、ZrO2和MgO制成，其中Li2CO3和Nb2O5的摩尔比为0.88～0.94∶1，ZrO2的掺入量按摩尔百分比计为1.1～1.9mol％，MgO的掺入量按摩尔百分比计为3.0～6.0mol％。本发明解决了现有掺镁铌酸锂晶体存在高的90°相位匹配温度(大于100℃)和窄的匹配温度半宽度(小于0.5℃)的问题。本发明提供的双掺铌酸锂晶体的90°相位匹配温度低至25.1℃，匹配温度半宽度达到1.2℃，不需要使用加热炉和精密温度控制部件，在室温条件下即可实现90°相位匹配，同时具有突出的抗光折变能力，比同成分掺镁(5.0mol％)铌酸锂晶体提高了2个数量级，可应用于激光倍频、光参量振荡、调Q开关和光波导等领域。
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公开(公告)号：CN106283194A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610766947.2
申请日：2016-08-29
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提出了一种铌酸锂晶体纳米畴结构的制备装置及方法，其目的在于解决现有极化技术在铌酸锂晶体中制备纳米畴结构中存在的技术难题，其适用于铁电晶体纳米畴工程领域中纳米畴结构的制备，尤其适用于Z切向的同成分铌酸锂晶体、掺镁铌酸锂晶体等。所述制备方法包括步骤：第一步，在铌酸锂晶体中构造畴壁结构；第二步，对该样品进行热处理；第三步，对样品进行二次极化。本技术通过改变热处理温度和热处理时间，可以制备出不同尺寸的纳米畴结构。畴结构的尺寸一般在百纳米量级，深度在百微米量级。利用该技术可以制备百微米长的高质量纳米畴结构。该技术具有操作简单，可以实现批量化、大面积制备纳米畴结构等特点。
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公开(公告)号：CN105319737A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510801179.5
申请日：2015-11-19
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/0136
Abstract: 本发明涉及一种光学非线性偏振调控元件，其中，其包括：一绝缘透明基底；一设置于该绝缘透明基底的一表面的金属等离子激元层，所述等离子激元层包括多个周期设置的具有手性的微结构；以及一设置于该金属等离子激元层远离该绝缘透明基底的表面且将该金属等离子激元层覆盖的折射率可调控薄膜，所述折射率可调控薄膜包括折射率在光照下可调控的材料。一种调控入射光波偏振的方法，其包括：在某一时间内，采用一偏振入射光和一调控光同时从所述折射率可调控薄膜一侧照射如上述任意一项所述的光学非线性偏振调控元件。采用本发明的光学非线性偏振调控元件可以实现对偏振光的全光式调控。该方法具有方法简单，响应速度快的优点。
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公开(公告)号：CN104931812A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510245720.9
申请日：2015-05-15
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种测量电光晶体电光系数的方法及装置，包括：使一束可见波段的激光依次通过起偏镜、毛玻璃、待测电光晶体、检偏镜，然后用白屏接收出射光点和由毛玻璃造成的散射光形成的干涉图样；其中起偏镜与检偏镜的偏振方向垂直，待测电光晶体上施加一个可调节的直流电压；首先通过理论分析选择合适的激光入射角(θ0，φ0)，(θ0，φ0)为入射激光传播方向与待测电光晶体各电感应主轴的夹角；测量时，先将待测电光晶体上施加的直流电压调节为OV，微调待测电光晶体与入射激光的夹角，使出射光点落在干涉图样中与入射角(θ0，φ0)对应的暗区上，然后逐渐增大直流电压，此过程中出射光点位置不变，而干涉图样将发生变化，当出射光点再次落在干涉图样的下一个紧邻暗区时，记下此时的直流电压数值U；再由理论计算可求得相应电光系数。
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公开(公告)号：CN102689927B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201210203084.X
申请日：2012-06-19
Applicant: 南开大学
IPC: C30B29/30
Abstract: 一种近化学计量比铌酸锂晶体的制备方法，包括：将碳酸锂质量含量为23%~45%的碳酸锂和五氧化二铌混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到富锂多晶粉末A，将A装入耐高温的坩埚下部；把待扩散的缺锂铌酸锂晶体放置在A上，晶体周围裸露的A用铂金片覆盖；再用碳酸锂质量含量为10%~18%的碳酸锂和五氧化二铌混合物经升温、熔化、降温结晶、粉碎，得到贫锂多晶粉末B，将B装入坩埚上部；然后将坩埚在高温炉中加热进行扩散处理，扩散温度为1000~1150℃，扩散时间根据扩散温度和晶体的厚度确定，扩散温度越高、晶体厚度越小需要的扩散时间越短，反之时间越长。经过扩散处理后，可以获得高质量的近化学计量比铌酸锂晶体。
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