用于定向镍基高温合金精密铸造的陶瓷型壳及其应用

    公开(公告)号:CN119076889A

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202411205518.9

    申请日:2024-08-30

    Abstract: 本发明实施例公开了用于定向镍基高温合金精密铸造的陶瓷型壳及其应用;用于定向镍基高温合金精密铸造的陶瓷型壳包括面层和背层,以质量百分比计,面层由4~10%的Ca2Mg2Al28O46、60~66%的白刚玉粉和30%的硅溶胶粘结剂制备而成。利用该陶瓷型壳精密铸造得到的合金叶片,其表面的反应层厚度为20μm,远远小于现有技术得到的合金叶片,在定向镍基高温合金的精密铸造领域有良好应用前景。

    一种陶瓷天线罩材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN118479896A

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202410541291.9

    申请日:2024-04-30

    Abstract: 本发明提供一种陶瓷天线罩材料及其制备方法,属于陶瓷天线罩领域。本发明首先将20~80份氮化硅粉体、40~90份单质硅粉体、0.2~0.5份烧结助剂、1~3份粘结剂及0.01~0.05份表面活性剂分散在溶剂中,形成固含量为30~60wt%的悬浊液;随后通过机械搅拌发泡、定向冷冻、脱模、真空干燥、氮化热处理,得到陶瓷天线罩材料。本发明陶瓷天线罩材料的显气孔率为36.0~76.0%,体积密度为1.5~2.6g/cm3,耐压强度为50~150MPa,断裂韧性为4.6~6.9MPa·m1/2。本发明制备的陶瓷天线罩材料具有开口气孔率高、轻量、断裂韧性高等特点,制备工艺简便,可在降低天线罩材料重量的同时提升其力学性能和断裂韧性,在高超声速飞行器等领域具有良好的应用前景。

    基于MgO调控原料晶体形貌的CMA材料的工业化制备方法

    公开(公告)号:CN114560687B

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202111653704.5

    申请日:2021-12-30

    Abstract: 本发明提供了一种基于MgO调控原料晶体形貌的CMA材料的工业化制备方法,步骤包括:根据CMA材料应用领域的不同,将氧化铝、氧化钙源和氧化镁按相应的质量百分比配备原料;将配备的原料混合采用湿法球磨得到的浆料;将料浆干燥后破碎筛分得到粉料;将粉料机压成型得到生坯;将生坯干燥后在空气气氛下烧结,然后冷却得到CMA材料。本发明提供的一种基于MgO调控原料晶体形貌的CMA材料的工业化制备方法,通过优化原料中MgO的加入量调控CMA材料的晶体形貌,可以制得用作致密耐火材料的等轴状晶体形貌的CMA材料和用作隔热保温层多孔耐火材料的片状或板片状晶体形貌的CMA材料,以适应不同工业领域的应用要求。

    基于MgO调控原料晶体形貌的CMA材料的工业化制备方法

    公开(公告)号:CN114560687A

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202111653704.5

    申请日:2021-12-30

    Abstract: 本发明提供了一种基于MgO调控原料晶体形貌的CMA材料的工业化制备方法,步骤包括:根据CMA材料应用领域的不同,将氧化铝、氧化钙源和氧化镁按相应的质量百分比配备原料;将配备的原料混合采用湿法球磨得到的浆料;将料浆干燥后破碎筛分得到粉料;将粉料机压成型得到生坯;将生坯干燥后在空气气氛下烧结,然后冷却得到CMA材料。本发明提供的一种基于MgO调控原料晶体形貌的CMA材料的工业化制备方法,通过优化原料中MgO的加入量调控CMA材料的晶体形貌,可以制得用作致密耐火材料的等轴状晶体形貌的CMA材料和用作隔热保温层多孔耐火材料的片状或板片状晶体形貌的CMA材料,以适应不同工业领域的应用要求。

    一种基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN114334631A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111415718.3

    申请日:2021-11-25

    Abstract: 本发明公开了一种基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法,通过将硼铝共掺杂到碳化硅中,能够将碳化硅的光响应范围由紫外光区扩展到可见光区的同时,也提升了碳化硅在光照条件下的光生载流子浓度,从而进一步优化了其光响应能力,提高了视觉传感的灵敏度;此外,通过将氮掺杂到硼铝共掺杂的碳化硅中,能够增加碳化硅的结构不对称性,从而提升了其压电系数,增加其压电响应能力,进而提高了触觉传感的灵敏度;基于对硼铝氮共掺杂碳化硅进行阳极电化学刻蚀处理,可得到形貌不同的一维碳化硅纳米结构,使一体化传感器可应用于更广泛的环境中。总之,本发明提供了一种操作过程简单、实用性强的基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法。

    一种六铝酸钙复相材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111574214B

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202010254679.2

    申请日:2020-04-02

    Abstract: 本发明公开了一种六铝酸钙复相材料及其制备方法,其方法包括:将铝粉、氧化铝粉和氧化钙粉放入高能球磨机中球磨,获得混合粉末;将所述混合粉末与结合剂混合后,经机压成型获得生坯;将所述生坯放入高温气氛炉中,在氮气气氛下,对所述生坯进行埋碳烧结,获得含六铝酸钙/氮氧化铝的六铝酸钙复相材料。本发明通过引入AlON来改善六铝酸钙材料的性能,可以在保证六铝酸钙材料化学稳定性的基础上,能使其材料致密度和抗渣侵蚀能力大大提升。同时,在制备六铝酸钙复相耐火材料的过程中,通过将铝粉直接氮化生成氮化铝作为氮源,并通过一部分铝粉充当还原剂,保证六铝酸钙AlON复相材料的纯度。

    一种具有较高质量比电容的碳化硅制备方法

    公开(公告)号:CN110775977B

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN201911019773.3

    申请日:2019-10-24

    Abstract: 本发明提供了一种具有较高质量比电容的碳化硅制备方法,其步骤包括:将研磨后的碳硅化铝湿法球磨处理,得碳硅化铝料浆;将所述碳硅化铝料浆干燥处理,得碳硅化铝粉末;向所述碳硅化铝粉末中加入浓度为20‑40%的氢氟酸,在隔绝空气条件下水浴加热至30‑70℃,搅拌反应36‑48h得反应混合液;将所述反应混合液离心处理,对得到的沉淀洗涤、过滤,再将滤出的固相干燥处理,得到碳化硅粉末材料。本发明提供的一种具有较高质量比电容的碳化硅制备方法,反应所需温度低,制得的碳化硅电化学性能优良。

    一种Zr4+离子掺杂的CA6基耐火材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112794710A

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN202110038972.X

    申请日:2021-01-12

    Abstract: 本发明公开了一种Zr4+离子掺杂的CA6基耐火材料及其制备方法,其中,制备方法包括:将氧化铝粉、氢氧化钙粉和氧化锆粉按质量比为(90‑270):(15‑45):1进行球磨,获得混料;对混料依次进行研磨和筛料处理,再压制成坯料;在空气气氛下,对坯料进行烧结处理,获得Zr4+离子掺杂的CA6基耐火材料。本发明采用高活性的纳米ZrO2、Ca(OH)2和Al2O3粉为原料,通过理论模拟优化ZrO2的添加量和合成条件,实现在降低合成温度的同时,还能获得Zr4+离子掺杂的致密且抗渣侵蚀性能优异的CA6基耐火材料。

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