公开(公告)号：CN110775977B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201911019773.3

申请日：2019-10-24

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 侯新梅 ,  郑子祥 ,  杨涛 ,  刘世纯 ,  王恩会 ,  陈俊红 ,  李斌

IPC: H01M4/58

Abstract: 本发明提供了一种具有较高质量比电容的碳化硅制备方法，其步骤包括：将研磨后的碳硅化铝湿法球磨处理，得碳硅化铝料浆；将所述碳硅化铝料浆干燥处理，得碳硅化铝粉末；向所述碳硅化铝粉末中加入浓度为20‑40％的氢氟酸，在隔绝空气条件下水浴加热至30‑70℃，搅拌反应36‑48h得反应混合液；将所述反应混合液离心处理，对得到的沉淀洗涤、过滤，再将滤出的固相干燥处理，得到碳化硅粉末材料。本发明提供的一种具有较高质量比电容的碳化硅制备方法，反应所需温度低，制得的碳化硅电化学性能优良。

公开(公告)号：CN110775977A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201911019773.3

申请日：2019-10-24

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 侯新梅 ,  杨涛 ,  刘世纯 ,  王恩会 ,  陈俊红 ,  李斌

IPC: C01B32/963

Abstract: 本发明提供了一种具有较高质量比电容的碳化硅制备方法，其步骤包括：将研磨后的碳硅化铝湿法球磨处理，得碳硅化铝料浆；将所述碳硅化铝料浆干燥处理，得碳硅化铝粉末；向所述碳硅化铝粉末中加入浓度为20-40％的氢氟酸，在隔绝空气条件下水浴加热至30-70℃，搅拌反应36-48h得反应混合液；将所述反应混合液离心处理，对得到的沉淀洗涤、过滤，再将滤出的固相干燥处理，得到碳化硅粉末材料。本发明提供的一种具有较高质量比电容的碳化硅制备方法，反应所需温度低，制得的碳化硅电化学性能优良。