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公开(公告)号：CN114019220A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202210014419.7
申请日：2022-01-07
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种电流检测器及电路，电流检测器包括：外壳及至少一组磁体，所述磁体位于所述外壳内，每组磁体包括：第一磁芯、第二磁芯、第一激励线圈、第二激励线圈及感应线圈；所述第一磁芯和第二磁芯对称耦合；所述第一激励线圈缠绕所述第一磁芯，用于产生第一激励磁场；所述第二激励线圈缠绕所述第二磁芯，用于产生第二激励磁场；所述第一激励线圈和第二激励线圈为反向串连连接；所述感应线圈缠绕于所述第一磁芯和第二磁芯的耦合中轴，用于感应待测导体产生感应磁场。所述电流检测器测量灵敏度高、抗干扰能力强，并且结构简单、加工难度较低，成本较低。
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公开(公告)号：CN113945773A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110283041.6
申请日：2021-03-16
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
IPC: G01R29/12
Abstract: 本发明实施例提供一种用于静电测试的监测装置及静电测试系统，属于CDM测试技术领域。所述监测装置包括：采集模块，与用于静电测试的静电泄放弹性针连接，用于在对所述静电泄放弹性针进行测试位置调试的过程中，采集所述静电泄放弹性针与被测试物体的接触压力，并生成对应的压力信号；控制模块，与所述采集模块连接，用于接收所述压力信号，并根据所述压力信号确定所述静电泄放弹性针与所述被测试物体的接触状态，以及生成对应于不同接触状态的不同控制指令；以及告警模块，与所述控制模块连接，用于响应于不同的所述控制指令而进行告警提示。通过该技术方案可以精确定位静电泄放弹性针的测试位置，提高测试的效率性和准确性。
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公开(公告)号：CN113782528A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111330860.8
申请日：2021-11-11
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L23/552 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供一种半导体器件、集成电路产品以及制造方法，属于半导体器件技术领域。所述半导体器件包括：基体；第一掺杂区，形成于所述基体，所述第一掺杂区是第一MOS的源区和漏区的掺杂区；第二掺杂区，形成于所述基体，所述第二掺杂区与所述源区的距离小于所述第二掺杂区与所述漏区的距离，所述第二掺杂区与所述源区的导电类型相反；互连层，具有导电性，与所述第二掺杂区和所述源区有接触。本发明可为半导体器件提供抗电磁干扰能力。
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公开(公告)号：CN113707558A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111257655.3
申请日：2021-10-27
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/40 , G03F1/00
Abstract: 本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体地涉及一种用于制备高压LDMOS器件的方法及器件，包括提供第二导电类型的衬底；在衬底的中形成第一导电类型的漂移区与第二导电类型的体区；在漂移区上生长场氧化物；形成覆盖于漂移区的一部分和体区的一部分的栅介质层；在栅介质层上形成栅电极；在体区表面形成源区；以及在漂移区表面形成漏区；其中，使用局部线性掺杂工艺对第一选定区域注入第一导电类型离子，使用掩膜版调节漂移区的离子掺杂浓度，以使得漂移区中的第一子区域和第二子区域中的离子掺杂浓度降低从而第一子区域和第二子区域的离子掺杂浓度相对于漂移区中的第一子区域和第二子区域之外的其他子区域的离子掺杂浓度呈现非线性特征。
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公开(公告)号：CN112510143B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202011455669.1
申请日：2020-12-10
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明提供一种纵向结构柔性热电器件及其制造方法，属于热电应用领域。所述器件包括：上基板，具有基板电极；下基板，具有基板电极；p型热电粒子和n型热电粒子，所述p型热电粒子和所述n型热电粒子交替排布在所述上基板与所述下基板之间并与所述基板电极焊接固定，每一个p型热电粒子首尾各串接一个n型热电粒子；所述上基板沿其基板电极图案呈分割状态，且分割裂痕与其基板电极无交叉。通过上基板的分割线，使得热电器件具有一定的弯曲能力，解决了目前纵向结构热电器不具备柔性可弯曲性能的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114222142A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202210165456.8
申请日：2022-02-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 复旦大学
Abstract: 本申请实施例提供一种基于脉冲神经网络的图像编码方法及装置，属于神经计算及图像处理技术领域。方法包括：获取待处理图像；对于待处理图像中的每一像素点，获取像素点的特征属性，依据像素点的特征属性确定像素点的信息强度值；将像素点编码为表征像素点在预设时间窗口内对应的脉冲发放时刻的时域编码数据，并以时域编码数据作为待处理数据输入输入神经元，像素点对应的脉冲发放时刻与像素点的信息强度值负相关。本申请通过将像素点的信息强度值近似线性地映射到预设时间窗口内的脉冲发放时刻，使得输入输入神经元的像素点的信息强度值越高，输入神经元的脉冲发放时间越早，从而有助于提高有效数据的区分度，降低数据处理的延时和计算复杂度。
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公开(公告)号：CN114694727A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210177188.1
申请日：2022-02-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 复旦大学
Abstract: 本申请实施例提供一种非易失性存储单元数据读取方法及存内计算数据读取方法，属于半导体技术领域。方法包括：响应于第一数据读取指令，向非易失性存储器件与位线连接的一端施加第一电压，并向三端开关元件与源线连接的一端施加第二电压，第二电压低于第一电压，且第一电压与第二电压的差值大于三端开关元件的阈值电压；通过非易失性存储器件与位线连接的一端获取非易失性存储器件的存储数据。本申请能有效避免了现有的反向读取过程中需对与非易失性存储器件连接的源线施加高电压，导致开关元件产生衬偏效应，进而导致开关元件阈值电压变化，影响存储单元的读取速度和裕度的问题。
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公开(公告)号：CN114222142B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210165456.8
申请日：2022-02-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 复旦大学
Abstract: 本申请实施例提供一种基于脉冲神经网络的图像编码方法及装置，属于神经计算及图像处理技术领域。方法包括：获取待处理图像；对于待处理图像中的每一像素点，获取像素点的特征属性，依据像素点的特征属性确定像素点的信息强度值；将像素点编码为表征像素点在预设时间窗口内对应的脉冲发放时刻的时域编码数据，并以时域编码数据作为待处理数据输入输入神经元，像素点对应的脉冲发放时刻与像素点的信息强度值负相关。本申请通过将像素点的信息强度值近似线性地映射到预设时间窗口内的脉冲发放时刻，使得输入输入神经元的像素点的信息强度值越高，输入神经元的脉冲发放时间越早，从而有助于提高有效数据的区分度，降低数据处理的延时和计算复杂度。
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公开(公告)号：CN114420182B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210318852.X
申请日：2022-03-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 复旦大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本申请实施例提供一种非易失性存储单元的数据处理方法、装置及存储介质，属于半导体技术领域。方法包括：获取待处理数据；确定待处理数据对应的数据热度类别；向非易失性存储单元施加与待处理数据的数据热度类别对应的编程电压信号，以将待处理数据写入非易失性存储单元。本实施方式在对非易失性存储单元进行数据写操作时，基于考虑数据的数据热度类别，针对待处理数据的不同数据热度类别向非易失性存储单元施加不同大小的编程电压，从而使得不同数据热度类别的数据在非易失性存储单元中具有不同的数据保持时间，进而能够有效降低功耗。
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公开(公告)号：CN114420182A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210318852.X
申请日：2022-03-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 复旦大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本申请实施例提供一种非易失性存储单元的数据处理方法、装置及存储介质，属于半导体技术领域。方法包括：获取待处理数据；确定待处理数据对应的数据热度类别；向非易失性存储单元施加与待处理数据的数据热度类别对应的编程电压信号，以将待处理数据写入非易失性存储单元。本实施方式在对非易失性存储单元进行数据写操作时，基于考虑数据的数据热度类别，针对待处理数据的不同数据热度类别向非易失性存储单元施加不同大小的编程电压，从而使得不同数据热度类别的数据在非易失性存储单元中具有不同的数据保持时间，进而能够有效降低功耗。
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