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公开(公告)号：CN104377545A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410759292.7
申请日：2014-12-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种压电调制垂直腔半导体激光器结构，其包括：单晶片衬底(1)、缓冲层(2)、n型DBR反射镜(3)、载流子下限制层(4)、增益区(5)、载流子上限制层(6)、光电限制层(7)、p型DBR反射镜(8)、欧姆电极接触层(9)、第一透明电极(10)、两个第二金层(11)、SiO2增透膜(12)、两个SiN绝缘层(13)、第二透明电极(14)、两个第三金层(15)、第一金层(16)。其在加电工作时利用SiO2增透膜的压电特性使垂直腔半导体激光器的腔发生不同程度的形变，从而实现对垂直腔半导体激光器输出功率的压电调制。
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公开(公告)号：CN104377298A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410758966.1
申请日：2014-12-11
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L33/62 , H01S5/0224 , H01S5/02244
Abstract: 本发明提供一种表面型半导体激光器件倒装焊电极结构，属于激光技术应用领域。其包括：蓝宝石衬底、外延生长层、绝缘层、P型电极和N型电极，以及一个N’型电极和金线；所述N’型电极与P型电极等高，分别位于N型电极的两侧；所述金线的两端分别焊接在N型电极和N’型电极上。本发明改变传统的表面型半导体激光器件的结构，通过金线连接将N型电极提高到与P型电极到同一高度，该方法可以弥补蓝宝石激光器件P型电极与N型电极存在高度差的问题，同时此方法可适当增加P型电极与N型电极间距，在焊接过程中隔绝P型电极与N型电极的焊料，有效得防止了在焊接中可能发生的短路情况。
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公开(公告)号：CN104377125A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410535773.X
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28008 , H01L29/401
Abstract: 一种含自支撑结构的亚百纳米T型栅的制备方法，首先在器件外延层上淀积SiNx薄膜；在SiNx表面涂覆电子束光刻胶；在形成所述细栅线条的区域，所述SiNx表面露出；对所述露出SiNx进行刻蚀；在所述电子束光刻胶层表面和被栅金属填满的细栅线条区域表面一体形成栅金属层；栅金属层表面涂覆光学光刻胶；光学光刻胶层光刻出栅帽；栅金属层进行刻蚀，除去被所述栅帽覆盖的区域之外的栅金属；将残留的电子束光刻胶和光学光刻胶剥离，即在所述外延层上形成了T型栅。本发明提供的T型栅的制备方法不仅能够有效降低T型栅的尺寸、提高T型栅制作的效率，由于有SiNx对细栅脚的支撑作用，还能提高T型栅的机械强度，同时空气隙的存在尽可能降低了SiNx引入的寄生电容。
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公开(公告)号：CN104300061A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410536321.3
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/005 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L2933/0008
Abstract: 一种具有新型的P型电子阻挡层结构的发光二极管及生长方法，其为LED外延结构，从下向上的顺序依次包括衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱层、N型或者非故意掺杂GaN电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层；将衬底进行高温清洁处理进行氮化处理；所述GaN非掺杂层生长结束后，生长一层掺杂浓度稳定的N型GaN层；所述N型GaN层生长结束后，生长多量子阱层；所述多量子阱层生长结束后，生长阻挡层低温P型GaN层；生长P型接触层；外延生长结束后，降至室温即得LED外延结构，随后，经过清洗、沉积、光刻和刻蚀加工工艺制成单颗小尺寸芯片。
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公开(公告)号：CN104300060A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410535822.X
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/12
Abstract: 一种具有组分渐变缓冲层的绿光LED结构，包括蓝宝石衬底层、GaN成核层、非掺杂GaN层、高温n型GaN层、InxGa1-xN/GaN多量子阱层和p型GaN层，其特点是在高温n型GaN层与InxGa1-xN/GaN多量子阱层之间设置一低温组分渐变n型InyGa1-yN缓冲层。通过设置该缓冲层可以缓解InGaN多量子阱发光层所受到的应力，从而提高量子阱结构层的晶体质量，降低非辐射复合，增加绿光LED的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104300053A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410535949.1
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/005 , H01L33/32 , H01L2933/0008
Abstract: 本发明涉及一种ITO结构的LED芯片结构及其制备方法，在衬底上外延成核层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、InGaN/GaN多量子阱结构；外延生长多量子阱结构后，终止生长，采用P型掺杂ITO层代替传统的P型GaN外延层；在P型掺杂ITO层上制备P电极，刻蚀至N型掺杂GaN层，在其上制备N电极；所述P电极对应设置在P型掺杂ITO层上；对所述外延片进行刻蚀，在N型掺杂GaN层上制作N电极。本发明可以避免InGaN/GaN多量子阱结构后升温生长P-GaN所带来的In组分布不均匀，有利于提高波长均匀性；避免P-GaN外延生长，降低成本，提高产能；采用高透光、高电导率的ITO超薄层作为P型电流扩展层，可以有效的提高光出射效率，提高外量子效率。
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公开(公告)号：CN103866320A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410126288.7
申请日：2014-03-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提出了一种改善镍基碳化钨激光熔覆涂层的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，向镍基碳化钨涂层粉末中加入稀土氧化镧粉末，其组分的质量百分比为：氧化镧0.8%，碳化钨40%，镍基为59.2%，将上述原料粉末置于密封容器中，放入混料机中混合1-3h；步骤2，激光熔覆以普通A3钢为基材，用400目砂纸将基体打磨光洁，并用丙酮溶液擦拭除表面油污；激光功率为1500-1800w，所选用的光斑宽为5-10mm，扫描速度为1-2m/min，保护气为氮气，气流量为15l/min，送粉率为3-10g/min。
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公开(公告)号：CN102856783B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201210341921.5
申请日：2012-09-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明的中远红外超连续谱光纤激光器，涉及激光光电子领域，包括脉冲光纤激光器、石英光子晶体光纤、无源中红外硫系玻璃光纤、无源中远红外硫系玻璃光纤、滤波器、激励源和掺杂稀土离子的硫系玻璃光纤，脉冲光纤激光器发出的脉冲激光，通过石英光子晶体光纤产生超连续谱激光激励无源中红外硫系玻璃光纤，产生中红外超连续谱激光，经过滤波器过滤，过滤后的中红外超连续谱激光作为种子源激光，经过掺杂稀土离子的硫系玻璃光纤放大，放大的中红外激光激励无源中远红外硫系玻璃光纤，产生5~14μm波长的中远红外超连续谱激光。本发明的中远红外超连续谱光纤激光器，解决中远红外激光光源短缺问题，实现中远红外超连续谱激光输出。
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公开(公告)号：CN103552244A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310537641.6
申请日：2013-11-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: B29C67/00
Abstract: 基于多激光器扫描系统的3D激光打印装置，主要包括位移调整系统、多激光器扫描光学系统和光路切换系统，将多激光器扫描光学系统安装于位移调整系统的上方，光路切换系统分别与位移调整系统和多激光器扫描光学系统相连接。多激光器扫描光学系统由多种波长不同类型的激光器组成，该系统的每一种的构件中，都包含扩束准直系统、扫描振镜和f-θ透镜，其中扫描振镜具有两个不同的振镜，分别控制两个不同的方向，其在加工过程中用于控制激光加工的路径。当同一被加工部件中的材料不同或加工部位精密度要求改变时，通过光路切换系统将相应的激光光束切换到扫描输出系统中，其结构设计合理，精度较高，可针对多种材料打印，有效地降低了成本。
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公开(公告)号：CN102902030A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201110215421.2
申请日：2011-07-29
Applicant: 山西飞虹激光科技有限公司 , 北京工业大学
Abstract: 提供一种用于大功率激光传输的传能光缆，其包括传能光纤，该光纤的一端嵌入第一接头，其另一端嵌入第二接头，其光传输段部分包有金属套。第一接头包括金属管、分别密封该金属管两端的透明玻璃端帽和金属板、固定在金属板上的玻璃导管、穿过金属管和玻璃导管管壁的进水管、穿过金属管管壁的出水管、以及设置在金属管外壁中的温度传感器，并且其中一些部件上覆盖有光吸收材料。传能光纤的一端沿着金属管轴线穿过金属板延伸并与透明玻璃端帽耦合。温度传感器和/或包在光纤的光传输段部分的金属套连接到控制器上，使得当温度传感器所探测到的温度值大于第一预定阈值或当所述金属套的电阻大于第二预定阈值时，控制器切断激光器的输出。
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