-
公开(公告)号：CN104300015B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410539502.1
申请日：2014-10-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L31/0328 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: AlGaAs/GaInAs/Ge连续光谱太阳能电池，包括底电池、中间电池、顶电池以及连接各子电池的隧道结；所述底电池是Gepn结电池，所述中间电池Base层由晶格匹配的GaIn0.01As和In组分渐变的应变Ga1-xInxAs量子阱构成，所述顶电池是Base层为Al组分渐变的AlGaAs结构，所述多结太阳电池各子电池短路电流相等，并用隧道结相连接。同时，各子电池和其间的隧道结均与衬底实现晶格匹配。各子电池及其间的隧道结均用MOCVD在衬底上生长而成。该电池壳充分利用太阳光不同波段的光子能量，提高太阳电池的光电转换效率。
-
-
公开(公告)号：CN104300016A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410539485.1
申请日：2014-10-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/04 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/06 , H01L31/02167 , H01L31/042
Abstract: 一种采用SiO2作为Window层的太阳能电池，包括有包括衬底、电池PN结构、SiO2Window层、Contact接触层；其中，所述衬底、电池PN结构、SiO2Window层、Contact接触层从上至下依次层叠设置。通过采用1-3nmSiO2薄层作为太阳能电池的Window层，通过隧穿效应与电池PN结相连接，可以非常有利于减少太阳光子能量损失，提高太阳能电池转换效率。
-
-
公开(公告)号：CN104300061A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410536321.3
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/005 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L2933/0008
Abstract: 一种具有新型的P型电子阻挡层结构的发光二极管及生长方法，其为LED外延结构，从下向上的顺序依次包括衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱层、N型或者非故意掺杂GaN电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层；将衬底进行高温清洁处理进行氮化处理；所述GaN非掺杂层生长结束后，生长一层掺杂浓度稳定的N型GaN层；所述N型GaN层生长结束后，生长多量子阱层；所述多量子阱层生长结束后，生长阻挡层低温P型GaN层；生长P型接触层；外延生长结束后，降至室温即得LED外延结构，随后，经过清洗、沉积、光刻和刻蚀加工工艺制成单颗小尺寸芯片。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104300060A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410535822.X
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/12
Abstract: 一种具有组分渐变缓冲层的绿光LED结构，包括蓝宝石衬底层、GaN成核层、非掺杂GaN层、高温n型GaN层、InxGa1-xN/GaN多量子阱层和p型GaN层，其特点是在高温n型GaN层与InxGa1-xN/GaN多量子阱层之间设置一低温组分渐变n型InyGa1-yN缓冲层。通过设置该缓冲层可以缓解InGaN多量子阱发光层所受到的应力，从而提高量子阱结构层的晶体质量，降低非辐射复合，增加绿光LED的发光效率。
-
公开(公告)号：CN104300053A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410535949.1
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/005 , H01L33/32 , H01L2933/0008
Abstract: 本发明涉及一种ITO结构的LED芯片结构及其制备方法，在衬底上外延成核层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、InGaN/GaN多量子阱结构；外延生长多量子阱结构后，终止生长，采用P型掺杂ITO层代替传统的P型GaN外延层；在P型掺杂ITO层上制备P电极，刻蚀至N型掺杂GaN层，在其上制备N电极；所述P电极对应设置在P型掺杂ITO层上；对所述外延片进行刻蚀，在N型掺杂GaN层上制作N电极。本发明可以避免InGaN/GaN多量子阱结构后升温生长P-GaN所带来的In组分布不均匀，有利于提高波长均匀性；避免P-GaN外延生长，降低成本，提高产能；采用高透光、高电导率的ITO超薄层作为P型电流扩展层，可以有效的提高光出射效率，提高外量子效率。
-
公开(公告)号：CN102751365A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210257067.4
申请日：2012-07-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/052 , H01L31/048 , H01L31/058 , F24J2/46
Abstract: 本发明提供了一种聚光太阳能系统的气体冷却和热利用装置，涉及光伏技术领域，具体包括气体过滤器（2）、聚光太阳能箱体（3）、气体驱动器（1）和\或叶片发电机（10）、气体管路（5）以及气体热利用装置（4）；聚光太阳能箱体（3）在气体管路（5）中构成串联、并联或多级并联的形式，且与气体驱动器（1）和\或叶片发电机（10）、气体过滤器（2）以及气体热利用装置（4）通过气体管路（5）构成一个密闭或准密闭的气体回路。本发明所要解决的技术问题是提供一种聚光太阳能系统的气体冷却和热利用装置，用以使整个气体回路保持高度密闭和高度洁净，避免外界粉尘、油脂和水汽等污染物进入聚光太阳能箱体。
-
公开(公告)号：CN104300057A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410535523.6
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/005 , H01L33/145 , H01L2933/0008
Abstract: 一种高亮度GaN发光二极管器件的制作方法，该发明在P型氮化镓上制备电流阻挡层的同时制备了金属反射镜材料体系，从而在减少电极下方电流集中注入的现象同时，还可以使入射到电极体系上的部分光线反射回发光二级管内部。取外延结构；运用光刻办法，在外延结构的P型氮化镓上制作光刻胶掩膜形成N型台阶；采用蒸镀或溅射方法制作金属反射层，将电极位置以外的金属层剥离掉，形成金属反射层；运用等离子体增强化学气相沉积方法，在金属反射层上形成电流阻挡层；采用腐蚀液将没有光刻胶掩膜部分的透明导电薄膜去除后形成透明导电薄膜；蒸镀或溅射方法制作金属层形成金属电极；在外延片表面制作一层薄膜材料。
-
公开(公告)号：CN104300052A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410535508.1
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/26 , H01L2933/0008
Abstract: 一种石墨烯结构的LED芯片结构及其制备方法，在衬底上外延成核层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、InGaN/GaN多量子阱结构；外延生长多量子阱结构后，终止生长，采用P型掺杂石墨烯层代替传统的P型GaN外延层；在P型掺杂石墨烯层上制备P电极，刻蚀至N型掺杂GaN层，在其上制备N电极；所述P电极对应设置在P型掺杂石墨烯层上；对所述外延片进行刻蚀，在N型掺杂GaN层上制作N电极。本发明可以避免InGaN/GaN多量子阱结构后升温生长P-GaN所带来的In组分布不均匀，有利于提高波长均匀性；避免P-GaN外延生长，降低成本，提高产能；采用高透光、高电导率的石墨烯超薄层作为P型电流扩展层，可以有效的提高光出射效率，提高外量子效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.028 seconds)
