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公开(公告)号：CN103915464B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410093949.0
申请日：2014-03-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于透明RRAM栅控薄膜晶体管的1T1R阵列及其制备方法，所述1T1R阵列包括逻辑电路、信号输入电路、信号输出电路、电源Vdd；其中所述逻辑电路包括1T1R单元、第一晶体管；所述1T1R单元包括阻变电阻和第二晶体管。所述逻辑电路连接信号输入电路以及信号输出电路。本发明通过晶体管与阻变电阻的连接关系设计，实现了1T1R阵列复杂的逻辑功能。
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公开(公告)号：CN105627995A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610196256.3
申请日：2016-03-31
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
IPC: G01C11/02
Abstract: 本发明提供一种摄像装置、转动装置、测距装置、测距系统和测距方法，该摄像装置用于对目标物体进行测距，包括：一摄像头，包括一感光器件和一透镜组；一转动机构，带动所述摄像头以所述感光器件的中心点所在直线为旋转轴，在一转动平面上的第一位置和第二位置之间转动，其中，所述摄像头位于第二位置时，所述目标物体在所述感光器件上的成像位置在一投影平面上的投影位于所述感光器件的中心点在所述投影平面的投影上，所述投影平面平行于所述转动平面。摄像头在第一位置时目标物体在感光器件上的成像位置，以及摄像头在第一位置和第二位置之间的转动角度，可用于计算目标物体与摄像头的距离，即采用一个摄像头便可完成物体的测距。
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公开(公告)号：CN105589607A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610084809.6
申请日：2016-02-14
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
IPC: G06F3/042 , G06F3/043 , G06F3/0488
CPC classification number: G06F3/0412 , G04G21/08 , G06F3/0416 , G06F3/042 , G06F3/043 , G06F3/0488 , G06F3/0421 , G06F3/04886
Abstract: 一种触控系统、触控显示系统以及触控交互方法，该触控系统包括触摸检测装置、触控区定位装置、以及与触摸检测装置和触控区定位装置信号连接的处理装置；触摸检测装置配置为检测预设区域内触摸事件的发生位置并向处理装置发送关于触摸事件的发生位置的信息；触控区定位装置配置为发射第一光束和第二光束，以在第一位置以形成第一图案并且在第二位置形成第二图案；处理装置配置为对所述信息进行处理以获取触摸事件的发生位置并获取第一位置和第二位置。本发明实施例可避免触控操作遮挡显示屏幕。
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公开(公告)号：CN103441135B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201310367267.X
申请日：2013-08-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了1T1R和1R阻变存储器集成结构及其实现方法，通过在原有的衬底晶体管的漏极和源极同时分别制作具有MIM结构的阻变存储器结构，最后分别在衬底晶体管的漏极和源极的上方依次形成第一层金属前介质、第一层栓塞、第一层金属、第二层层间介质、第二层栓塞、MIM结构层、第三层层间介质、第三层栓塞、第二层金属和钝化层，实现所述衬底晶体管与阻变存储器的串联。本发明将1T1R结构中的阻变存储器和1R结构中的阻变存储器同时制作，工艺条件完全相同，可以减少光刻次数，减少制作成本，同时将1T1R结构和1R结构集成在一起，还能方便这两种结构中阻变存储器特性的比较，有助于研究电流过冲对器件转变特性的影响。
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公开(公告)号：CN103500796B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310478675.2
申请日：2013-10-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种基于氧化物的透明阻变随机存储器RRAM，包括三层结构：上电极，阻变层薄膜和下电极，所述上电极的材料为透明导电材料，选自ITO、FTO、ZTO中的一种；所述阻变薄膜材料为ZrO2；所述下电极的材料为透明导电材料，选自ITO、FTO、ZTO中的一种。本发明还提供制备RRAM的方法。本发明采用溶胶凝胶法，实现低成本RRAM的制备，设备和原料投资少；制得的RRAM器件一致性好，可以实现大面积RRAM器件的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102709306B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201210195545.3
申请日：2012-06-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种基于忆阻器和晶体管的存储器，包括串联的高迁移率晶体管和忆阻器，所述高迁移率晶体管是以锗或者III-V族材料作为衬底和沟道材料的MOS晶体管。本发明还提供了一种利用该存储器实现多阻态的方法。本发明通过高迁移率MOS晶体管和忆阻器串联方式，解决了常规MOS晶体管的驱动电流与多阻态存储器开态电流不匹配的问题，同时，利用高迁移率MOS晶体管的大驱动电流能力优势可以获得不同的器件阻态，从而增加数据存储密度，获得较快的存储器件工作速度。
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公开(公告)号：CN103022350B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210587167.3
申请日：2012-12-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种忆阻器件，包括衬底层，所述衬底层之上有多层隔离层，每两层隔离层之间包括一层忆阻单元，忆阻单元包括两层可动离子阻挡层和中间的平面电极层；还包括从最上层的隔离层刻蚀至最下层隔离层的顶电极刻蚀槽；所述顶电极刻蚀槽及最上层隔离层的表面覆盖有电解质层；所述顶电极刻蚀槽内设置有顶电极；还包括分别从最上层隔离层表面覆盖的电解质层刻蚀至各忆阻单元的平面电极层而形成的多个底电极。本发明并提供了制备该忆阻器件的制备方法。本发明提出的垂直结构的忆阻器件，简化了三维忆阻器件的工艺，同时采用可动金属离子阻挡层技术，有效解决可动离子污染问题。
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公开(公告)号：CN104091692A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410241013.8
申请日：2014-05-30
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种高转化效率的太阳能电池结构与制备方法，所述高转化效率的太阳能电池包括：染料敏化电区域、钙钛矿电池区域和透明导电氧化物层(6)；所述染料敏化电区域和钙钛矿电池区域通过所述透明导电氧化物层(6)连接。所述高转化效率的太阳能电池提高了染料敏化区域中光电转换效率的同时，实现了制备过程溶胶凝胶化，降低了制造成本，简化了制备过程，利于大面积制造。
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公开(公告)号：CN102610399B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201210062615.8
申请日：2012-03-09
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种敏化太阳能电池封装系统和封装方法，该敏化太阳能电池封装系统包括：设置在操作仓内的吸附装置、压力装置、可移动的点胶装置和滴液装置，以及设置在所述操作仓外的控制装置；所述吸附装置包括可移动的上吸附单元和下吸附单元，所述上、下吸附单元分别通过压力装置产生负压，分别用于吸附上、下电极基板，所述下吸附单元设有胶体固化灯；所述点胶装置和滴液装置分别由所述控制装置控制，分别用于对所述下电极基板进行自动点胶和自动滴液，所述压力装置分别控制所述点胶装置的点胶压强和滴液装置的滴液压强。本发明封装工艺简单，封装自动化程度高，并同时提高太阳能电池的长期稳定性。
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