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公开(公告)号：CN108982374A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810676430.3
申请日：2018-06-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种测量一维材料复极化率的装置及方法。所述方法分别利用左-(右-)旋椭圆偏振光与一维材料散射光的干涉，在两组结果中复极化率实部(虚部)贡献相反(相同)，从而定量测量一维材料的复极化率。所述装置包括光源、第一偏振片、1/4波片、第一保偏镜头、被测一维材料样品、第二保偏镜头、第二偏振片和光谱仪。或者，所述装置包括光源、第一偏振片、1/4波片、分光镜、保偏镜头、被测一维材料样品、第二偏振片、反射镜和光谱仪。本发明首次实现了对一维材料复极化率的测量，具有测量速度快、测量频带广(1.6eV-2.7eV)、不破坏被测样品、操作简单、设备易得等特点。
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公开(公告)号：CN108728813A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710278012.4
申请日：2017-04-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种快速连续制备超大单晶薄膜的方法及装置，涉及超大单晶薄膜的制备方法。所述方法为将原材料(如金属箔片)或所需耐高温衬底放在耐高温隔离支架中，置于局部高温加热体上，然后利用常压化学或物理气相沉积法，采用局部高温加热，并在非熔融状态下利用高温驱动单个小晶畴或成核位点长大的原理，通过两端的转动装置，直接或在各类耐高温衬底表面快速连续获得高质量超大单晶薄膜。本发明提出的方法，解决了传统方法制备的单晶薄膜能耗高、工艺复杂、设备昂贵，以及所制备单晶薄膜尺寸受限、质量不高导致性能大大降低等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速连续制备高质量超大单晶薄膜样品。
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公开(公告)号：CN104697946B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201510061035.0
申请日：2015-02-04
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/31
Abstract: 本发明公开了一种衬底上碳纳米管水平阵列密度的快速光学表征方法。该方法包括如下步骤：将单根碳纳米管的光学吸收性质推广至宏观材料中，将二维材料(如石墨烯)的光学表征方法引入碳纳米管水平阵列领域，建立光学衬度与碳纳米管水平阵列密度及不同类型碳纳米管比例之间的定量公式，利用交叉偏振方法显著提高碳纳米管的光学信号(10‑100倍)，实现所述高密度碳纳米管水平阵列的光学表征。本发明提供的方法，克服了传统表征方法耗时、操作复杂、易损伤样品的缺点，实现了衬底上碳纳米管密度和类型的快速、准确、无损伤的表征，可广泛应用于碳纳米管的生长和测试实验中，为优化碳纳米管生长方法提供必不可少的监控和反馈措施。
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公开(公告)号：CN107740118A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710961693.4
申请日：2017-10-17
Applicant: 北京大学
IPC: C23F15/00
CPC classification number: C23F15/00
Abstract: 本发明提供了一种晶面依赖的石墨烯防护金属腐蚀的方法。所述方法将石墨烯利用化学气相沉积等方法覆盖在金属箔片表面，利用石墨烯的完全不可穿透性以及与金属衬底之间的相互作用，对自然氧化、热水蒸汽熏以及海水环境下的金属进行防护，保护金属不被腐蚀。本发明提出的方法，解决了金属氧化腐蚀的问题，通过非常简单的方法，实现了石墨烯对金属的防护。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105603514B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201610098623.6
申请日：2016-02-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸Cu(111)单晶铜箔和超大尺寸单晶石墨烯的制备方法。所述方法为用掺杂金属元素的多晶铜箔作为原料，利用特殊退火工艺制备出超大尺寸单晶Cu(111)，然后利用常压化学气相沉积法，以Cu(111)单晶为衬底获得超大尺寸高质量单晶石墨烯。本发明提出的方法，解决了单晶Cu(111)价格昂贵的问题，并利用衬底的调控作用制备出超大尺寸单晶石墨烯，解决了石墨烯生长中单晶尺寸小、生长过程复杂等技术问题，通过非常简单的方法，实现了铜箔单晶和高质量大尺寸的单晶石墨烯样品的制备。
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公开(公告)号：CN105112998A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510561590.X
申请日：2015-09-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种氧化物衬底辅助的快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法，涉及单晶石墨烯的制备方法。其主要特征为用金属箔片作为催化剂及生长基底，用氧化物作为衬底与金属箔片紧密接触，然后利用常压化学气相沉积法，快速获得大尺寸高质量单晶石墨烯。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备大尺寸单晶石墨烯中常用单晶作为基底、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题，通过非常简单的方法，实现了极其快速地制备出高质量大尺寸的单晶石墨烯样品。
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公开(公告)号：CN119698118A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411910605.4
申请日：2024-12-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请涉及光伏技术领域，提供了一种光电转化层及其制备方法、光伏器件和应用。光电转化层包括至少一层Janus MXY二维材料层，M包括Mo或W，X包括S、Se或Te，Y包括S、Se或Te，且X与Y的元素不相同。本申请利用Janus MXY二维材料层的垂直极化特性，展现出极强的自发光电流现象，使光伏器件具有超高的光响应性和超快的光响应速度。
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公开(公告)号：CN111338022B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202010326527.9
申请日：2020-04-23
Abstract: 本公开涉及光学工程及光通讯技术领域，提出了一种光纤及具有其的电光调制器。光纤包括光纤本体和覆盖层组，光纤本体上设置有空气孔，空气孔沿光纤本体的长度方向延伸；空气孔的孔壁上设置有覆盖层组，覆盖层组包括第一石墨烯层、第二石墨烯层以及夹设在第一石墨烯层和第二石墨烯层之间的绝缘层，第一石墨烯层设置在空气孔的孔壁上。光纤本体、第一石墨烯层、绝缘层以及第二石墨烯层的结合可以实现光纤中光强、光相位等光信号的调节，该调制具有制作工艺简单，与光纤通信系统集成方便等优点，在光纤通信，传感器和雷达系统等领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118087031A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410242108.5
申请日：2024-03-04
Applicant: 北京大学 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本申请提供一种新型IV‑VI族半导体晶圆级薄膜及其制备方法，涉及半导体材料领域。制备方法包括：在衬底的表面物理气相沉积前驱体膜层，前驱体膜层包括M膜以及分散于M膜中的X颗粒，M包括Ge或Sn，X包括S或Se。在前驱体膜层的表面利用原子层沉积法形成盖层，获得中间体，其中盖层的生长温度≤200℃，盖层与衬底连接并形成容置前驱体膜层的限域空间；在常压惰性氛围下，使中间体先升温至220‑280℃低温热处理1‑5h，接着升温至IV‑VI族半导体的生长温度并高温热处理至少3h，其能够制得厚度可控且均一的晶圆级IV‑VI族半导体薄膜。
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