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公开(公告)号：CN1365136A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN01100454.1
申请日：2001-01-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种III族氮化物单/多层异一种质应变薄膜的制作方法,包括如下制备步骤:(1)用一衬底,使在该衬底上外延的III族氮化物晶体生长平面能够和(0001)晶面垂直;(2)在衬底材料上外延预定厚度的III族氮化物作为下一步外延生长模板;(3)在模板上外延生长预定结构的III族氮化物单/多层异质应变薄膜,在垂直该外延薄膜平面的方向上没有压电场。
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公开(公告)号：CN118609713A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410254224.9
申请日：2024-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G16C60/00
Abstract: 本申请提出一种材料生长参数的调整系统及方法，包括：数据获取模块，用于获取生长参数对应的第一参数值及原位表征数据；处理模块，用于根据正在生长材料的目标类型及目标生长阶段，从通过可扩充模型接口与调整系统连接的参数获取模型中确定目标参数获取模型；模型调用模块，用于通过可扩充模型接口，将第一参数值及原位表征数据中的至少一项输入至目标参数预测模型，获取输出结果；模型数据再处理模块，用于根据输出结果确定生长参数对应的第二参数值；参数调整模块用于基于第二参数值，对生成参数对应的参数值进行调整。降低调整系统的处理数据量，避免系统卡顿，提高数据处理效率，进而提高对生长参数控制的及时性，提高材料生长质量和良品率。
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公开(公告)号：CN118169087A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410198627.6
申请日：2024-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种可同时获得深紫外显微荧光图像和荧光光谱的装置，包括：深紫外激发光模块，用于激发出待测样品的荧光；光学显微镜模块，包括二向色镜、长波通滤光镜和第一分光镜等，二向色镜用于偏转深紫外激光，以使深紫外激光射向待测样品，从而激发出荧光，并使从样品发出的荧光透过，长波通滤光镜用于对穿过二向色镜的荧光进行过滤，以滤除深紫外激光透过荧光，第一分光镜用于将过滤后的荧光分成第一束荧光和第二束荧光；显微荧光成像模块和显微荧光光谱模块并行连接于光学显微镜模块的输出端，显微荧光成像模块用于捕捉第一束荧光以获得深紫外波段的荧光图像，显微荧光光谱模块用于捕捉第二束荧光以获得深紫外波段的荧光光谱。
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公开(公告)号：CN118155765A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410254216.4
申请日：2024-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G16C60/00 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本公开提出一种兼顾材料生长和工艺制备的模型预测方法及装置，涉及机器学习技术领域，该方法包括：确定待制备器件的第一功能参数和目标制备材料的生长参数信息，其中，第一功能参数表征期望的器件参数的参数范围；将第一功能参数和生长参数信息输入到材料生长预测模型中，以得到第二功能参数；确定工艺流程参数和环境感知参数；将工艺流程参数、第二功能参数和环境感知参数输入到材料工艺预测模型中，以得到第三功能参数。由此，可以能在材料生长制备阶段就能兼顾不同工艺流程并自动优化不同生长参数信息，以及预生成具体工艺流程的内容，有效提高器件制备的成品率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN117373904A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311337093.2
申请日：2023-10-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种外延生长方法及外延膜，包括：在单晶衬底上制备包含目标材料的第一外延层；使用激光束在第一外延层上切割出图形，得到图形化衬底；将图形化衬底置于生长设备中进行横向和纵向外延生长，得到第二外延层。该制备方法能够有效缓解衬底与外延膜之间的应力，降低外延体系的残余应力水平，从而得到高质量、低应力的外延层，并且能够抑制生长方向螺旋位错的传播，降低位错密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116093738A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310167451.3
申请日：2023-02-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体激光器领域，具体涉及垂直腔面发射激光器及其制备方法，该激光器包括衬底；缓冲结构覆盖于锗/硅或锗衬底表面包括：成核层与衬底表面接触，用于在衬底的表面提供成核点；第一缓冲层覆盖于成核层上，用于合并成核层三维岛结构，并形成无反相畴的表面；第二缓冲层覆盖于第一缓冲层上，用于提供平整的表面；谐振腔设置于缓冲结构上，包括：第一布拉格反射镜位于第二缓冲层上，用于反射激光器内的光形成激光振荡；第二布拉格反射镜与第一布拉格反射镜通过有源层分隔开，用于反射激光器内的光形成激光振荡；有源层用于提供增益产生激光；电极设置于谐振腔内或与衬底接触，用于电流的注入。
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公开(公告)号：CN111653324B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010482034.4
申请日：2020-05-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种材料生长速率测量方法，具体针对由两种材料交替生长构成的多量子阱或超晶格结构，能同时测量组成两种材料不同组分的生长速率的方法，或能同时测量两种材料的各自生长速率的方法。本公开采用多个在相同生长速率下制备的样品，结合X射线衍射(XRD)或透射电子显微镜等测量，构建函数计算得到材料的生长速率，使得对于厚度很薄的薄膜的材料生长速率的测量更加精确。
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公开(公告)号：CN115458422A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211086480.9
申请日：2022-09-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种基于机器学习的半导体工艺过程控制方法，涉及外延半导体薄膜生长技术领域。该方法包括：步骤S1，获取当前的生产条件参数，控制样品在生产条件参数下生长；步骤S2，获取原位监测仪器采集到的样品的当前生长数据，使用机器学习算法预测当前生长数据对应的未来生长质量，其中，原位监测仪器为非接触性原位表征仪器，且无需停止当前生长过程进行表征；步骤S3，判断未来生长质量是否小于预设的生长质量阈值，如果是，则结束生长；否则，使用机器学习算法调整生产条件参数，得到更新后的生产条件参数，重复上述步骤S1～步骤S2继续生长，直至未来生长质量小于预设的生长质量阈值。
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公开(公告)号：CN114551222A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210154390.2
申请日：2022-02-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本公开提供了一种CMOS兼容硅衬底上的III‑V族化合物材料生长方法，包括：对CMOS兼容硅衬底进行第一预处理，在第一预处理后的CMOS兼容硅衬底的表面生成V族原子浸润层，在生成V族原子浸润层后的CMOS兼容硅衬底的上表面生成III‑V族化合物成核层，在成核层的上表面生成III‑V族化合物低温缓冲层，在低温缓冲层的上表面生成III‑V族化合物高温缓冲层，在高温缓冲层的上表面生成III‑V族化合物外延层。本公开在预处理后的CMOS兼容硅衬底上依次生成V族原子浸润层、成核层和低温缓冲层，可以在CMOS兼容硅衬底和成核层界面处形成在生长平面内传播的失配位错阵列，减少向生长方向传播的穿透位错密度，减少位错、反相畴界等缺陷对器件的光电性能的影响，以及对器件表面平整度的影响。
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公开(公告)号：CN114112145A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111330097.9
申请日：2021-11-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中云宝(北京)科技有限公司
Abstract: 本公开提供一种薄膜本征应力测量方法，包括：取N个衬底，依次分别在各衬底上逐层外延1至N层薄膜，得到N个外延衬底，其中，N≥2，且N为整数，处于相同层数的薄膜相同；测量各外延衬底在室温下的曲率值，得到测量曲率值；建立各外延衬底的有限元模型，在有限元模型中计算各外延衬底在室温下的曲率值，得到计算曲率值；计算使相同层数外延衬底的测量曲率值与计算曲率值的平方和最小，逐层计算得到各层薄膜的本征应力。本公开提供的薄膜本征应力测量方法，可以准确测量III‑V族氮化物半导体材料多层薄膜结构中各层薄膜材料的本征应力，测量方法简单，成本低廉。
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