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公开(公告)号：CN103897604A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210587505.3
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及计算机领域，具体涉及一种可有效应用于计算机NiP硬盘的计算机硬盘化学机械抛光液。计算机硬盘化学机械抛光液，为含有氧化剂、研磨粒子、盐类添加剂以及pH调节剂的水溶液；所述盐类添加剂通式为X-R-Y，其中X为阳离子，Y为阴离子，R为直链烃基或其衍生物。通过本发明提供的化学机械抛光浆液，硬盘的抛光速率达到了90nm/min,表面粗糙度较低，硬盘的表面质量和加工效率得到了有效的提高。
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公开(公告)号：CN103897603A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210586914.1
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光液领域，尤其涉及一种可有效应用于相变材料GST的化学机械抛光液。本发明提供一种GST中性化学机械抛光液，以重量百分比计，包括如下组分：二氧化硅抛光颗粒0.2-30wt%；氧化剂0.01-5wt%；表面活性剂0.01-4wt%；余量为pH值调节剂和去离子水；所述GST中性化学机械抛光液的pH值为6-8。本发明提供的用于相变材料GST的中性化学机械抛光液，所述的经过烷基改性，金属氧化物包裹，胺型改性，无机离子改性等方法改性的SiO2抛光颗粒，在pH值6-8范围内，zeta电位的绝对值30-80mv，胶体达到了稳定，从而形成稳定的中性化学机械抛光液。
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公开(公告)号：CN103897202A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210586912.2
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种以聚苯乙烯纳米颗粒作为内核，以氧化硅作为壳层，形成聚苯乙烯/氧化硅核壳型纳米复合磨料抛光液的制备方法，属精密抛光材料制备工艺技术领域。本发明提供一种聚苯乙烯/氧化硅核壳型纳米复合磨料的制备方法，包括如下步骤：（1）聚苯乙烯纳米颗粒的制备；（2）在步骤1制备得到的PS胶体中加入醇，搅拌得到均匀混合的液体，之后加入氨水，其用量为0.3～8wt%；最后加入TEOS；搅拌12～48小时即可得到复合磨料；（3）由复合磨料制备抛光液。本发明提供的聚苯乙烯/氧化硅核壳型纳米复合磨料的制备方法所制备的复合磨料具有光滑的表面，适合作为抛光液中的磨料。
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公开(公告)号：CN103896287A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210587490.0
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/14
Abstract: 本发明涉及CMP技术抛光领域，特别是涉及一种非球形二氧化硅溶胶及其制备方法。本发明提供一种非球形二氧化硅溶胶，包括液体介质和溶胶颗粒，所述溶胶颗粒由2~10个二氧化硅胶体粒子聚集而成。本产品的有益效果是：通过二价金属离子的诱导作用，形成非球形的二氧化硅晶种。在该晶种表面包覆一层聚苯乙烯薄层（由苯乙烯聚合而成）。由于晶种是非球形的，表面的曲率各处不同，有正有负。在具有负曲率（即凹陷处）的地方表面张力大，聚苯乙烯不易包覆，故留下了空洞，露出二氧化硅。持续添加的硅酸会优先附着在这些露出二氧化硅的表面，并进行脱水聚合，最终形成2-10个小颗粒聚集成的大颗粒状二氧化硅胶体粒子。
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公开(公告)号：CN103618045A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310415207.0
申请日：2013-09-12
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种低功耗相变存储器结构的制备方法，在硅衬底上的第一电介质层内刻蚀填充圆柱形钨材料下电极；然后在第一电介质层上生长第二电介质层，并刻蚀形成纵向沟槽Ⅰ；在沟槽Ⅰ内生长导电薄膜层、第三电介质薄层和填满沟槽Ⅰ的第四电介质层；进而在填充体上生长第五电介质层，并刻蚀形成横向沟槽Ⅱ；在沟槽Ⅱ内生长相变材料层和第六电介质薄层；然后从沟槽Ⅱ底部垂直向下刻蚀直至第一电介质层，形成横向沟槽Ⅲ；在沟槽Ⅲ内生长填充第七电介质层；然后从填充体上垂直向下刻蚀直至第一电介质层，形成纵向的沟槽Ⅳ，并在沟槽Ⅳ内填充第八电介质层；继而在填充体上生长刻蚀两个横向金属条作为上电极；本方法具有降低器件的功耗、提升良率的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103589344A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310567464.6
申请日：2013-11-14
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种氧化铝抛光液的制备方法，首先将氧化铝粉末经搅拌分散于酸性水溶液中，形成酸性氧化铝分散液；然后加热搅拌条件下，滴加硅酸盐水溶液，滴加完毕后停止加热；继续搅拌陈化即得；在氧化铝分散液的基础上，通过引入硅酸盐，利用硅和铝间独特的亲和作用，在氧化铝颗粒表面形成部分硅原子替代、电荷反转，从而有效提高氧化铝抛光液的悬浮稳定性，而与此同时不影响抛光性能。
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公开(公告)号：CN102757732B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210219203.0
申请日：2012-06-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种化学机械抛光液，尤其涉及一种可有效应用于Al衬底化学机械抛光工艺的抛光液。本发明提供一种Al衬底用化学机械抛光液,包含抛光颗粒、氧化剂、鳌合剂、腐蚀抑制剂、表面活性剂、pH调节剂及水性介质。其中以抛光液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：抛光颗粒0.1-50wt%；氧化剂0.01-10wt%；螯合剂0.01-5wt%；腐蚀抑制剂0.0001-5wt%；表面活性剂0.001-2wt%；余量为pH调节剂和水性介质。可显著降低化学机械抛光后Al衬底表面的桔皮坑等缺陷,从而大大改善抛光后Al衬底表面质量。
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公开(公告)号：CN101834273B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010102213.7
申请日：2010-01-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法，该单元结构包括集成电路衬底、位于集成电路衬底上的第一绝缘介质层、被第一绝缘介质层包围并与集成电路衬底连接的驱动二极管、被第一绝缘介质层包围并位于驱动二极管上的过渡层、位于第一绝缘介质层上的第二绝缘介质层、被第二绝缘介质层包围并位于过渡层上的下电极、位于第二绝缘介质层上的第三绝缘介质层、被第三绝缘介质层包围并位于下电极上的相变材料层和位于相变材料层上的上电极；所述的过渡层的热导率为0.01W/m·K～20W/m·K。该结构可有效地减少从下电极的热损耗，提高加热效率，并通过对驱动二极管的加热提高其正向导通电流，从而达到降低相变存储器功耗的目的。
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公开(公告)号：CN101935596B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010281508.5
申请日：2010-09-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种相变材料抛光后清洗液，包括至少两种氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂、酸性介质和去离子水；以清洗液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：氧化剂总量0.01-10wt％，表面活性剂0.01-4wt％，金属防腐抑制剂0.0001-20wt％，酸性介质0.2-30wt％，余量为去离子水。本发明提供的抛光后清洗液，通过采用两种以上氧化剂的协同作用，大大提高了硫系化合物相变材料GexSbyTe(1-x-y)的抛光后清洗效率，其残留去除速率大大提高，可达9-70nm/min。
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