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公开(公告)号：CN107161988A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710357233.0
申请日：2017-05-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种在蓝宝石衬底上制备纳米晶石墨烯的方法，属于半导体材料制备领域。本发明包括以下步骤：将蓝宝石衬底放入石墨烯PECVD等离子体设备内，抽真空，充入惰性气体至目标压力；加热蓝宝石衬底到目标温度；蓝宝石衬底在氢气气氛下预处理；设定PECVD等离子体的源功率至目标功率，设定腔体压力到目标压力，设定氢气气体流量至目标流量，开启PECVD等离子体电源，形成等离子体；通入碳源，设定碳源流量至目标流量，设定生长时间，生长石墨烯；关闭碳源，关闭PECVD等离子体，生长结束，降温至室温。该方法制备的石墨烯材料无需转移，且降低了晶圆级石墨烯的制备成本，对石墨烯基础研究和器件研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN119170652A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411135378.2
申请日：2024-08-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/808 , H01L29/423 , H01L29/36 , H01L21/337
Abstract: 本发明提供了一种凹槽栅delta掺杂金刚石结型场效应晶体管及其制备方法，属于半导体器件及制造方法技术领域，凹槽栅delta掺杂金刚石结型场效应晶体管包括金刚石衬底、i‑p++‑i三层delta掺杂结构、源电极、漏电极、N型掺杂单晶金刚石外延薄膜和凹槽栅极，制备方法包括依次制备上述结构。本发明提供的一种凹槽栅delta掺杂金刚石结型场效应晶体管及其制备方法，i‑p++‑i三层delta掺杂结构具备高载流子浓度和高迁移率的掺杂沟道，能形成PN结来耗尽沟道载流子，能有效调控器件开关，而且在栅漏漂移区内，形成纵向PN结能够调制电场分布，有效提高器件击穿电压，能避免形成空间电荷区导致寄生电阻增大，通过凹槽栅极可以在实现上述结构的同时，调制电场提高器件击穿电压。
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公开(公告)号：CN118957750A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411028016.3
申请日：2024-07-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种氮化铝/金刚石异质结材料及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括氢处理金刚石衬底表面，得到氢终端金刚石；在氢终端金刚石表面外延氮化铝薄膜。本发明采用微波等离子体化学气相沉积以及脉冲激光沉积法生长氮化铝薄膜的制备方式，实现了材料功能层不受器件工艺过程的损害，从而提升了材料电性能及器件性能稳定性，有利于制备高质量的金刚石器件。
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公开(公告)号：CN118109900A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311710823.9
申请日：2023-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种金刚石氮化铝异质结外延材料制备方法，该方法包括：在氢气气氛下对单晶立方结构的金刚石衬底进行热处理，得到表面修复后的金刚石衬底，其中，金刚石衬底为001晶向。将表面修复后的金刚石衬底在氢等离子体中进行氢处理，在金刚石衬底表面形成C‑H键，得到氢处理后的金刚石衬底。在氢处理后的金刚石衬底表面生长立方结构的氮化铝，制备得到立方结构的金刚石氮化铝异质结外延材料。本发明采用001晶向的立方结构金刚石衬底进行外延生长，可制备得到立方结构氮化铝，形成金刚石氮化铝异质结。制备得到的立方金刚石/立方氮化铝的异质结晶格匹配度高、异质结界面外延缺陷少，提升了金刚石氮化铝异质结外延材料的导电性能。
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公开(公告)号：CN115491764B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202211213382.7
申请日：2022-09-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种剥离外延金刚石与GaN材料的方法。该方法包括：在GaN衬底上表面生长外延层；在外延层的上表面生长外延金刚石；在外延金刚石上表面距离外延金刚石边缘的预设位置处进行激光切割，采用激光切割产生的热量将外延金刚石与外延层进行边缘分离，得到第一样品；将第一样品放入腐蚀溶液中进行腐蚀，将外延层腐蚀掉后，得到分离的外延金刚石与GaN衬底。本发明能够在不损伤GaN材料功能层的前提下，实现外延金刚石与GaN材料的彻底分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114047556B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111348894.X
申请日：2021-11-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种基于金刚石NV色心的磁力探测头及磁力探测系统。该磁力探测头包括：金刚石NV色心系综样品，其为毫米级块状结构、内部阵列设置多个用于冷媒流通的微流道，各微流道的一端与用于冷媒入口的冷媒管密封连接、另一端与用于冷媒出口的冷媒管密封连接；微波天线，设置在金刚石NV色心系综样品表面，用于与微波源连接；光纤，与金刚石NV色心系综样品的一端面连接、且避开冷媒管所在的端面。本发明能够通过在毫米级的金刚石NV色心系综样品内部设置用于冷媒流通的微流道，可通过在微流道内部通入冷媒，降低金刚石NV色心系综样品的整体温度，提高探测灵敏度。(56)对比文件盛百城等.碳化硅衬底外延石墨烯.半导体技术.2019,第44卷(第08期),第635-640页.宁伟光;张扬;李中豪;唐军.金刚石NV~-色心系综自旋相干动力学解耦.量子光学学报.2019,第25卷(第02期),第215-220页.林朝东;王芳;张少文;王生毅;高健.Ib型金刚石NV色心系综的制备及磁检测.微纳电子技术.2017,第55卷(第01期),第45-50页.王凯悦;郭睿昂;王宏兴.金刚石氮-空位缺陷发光的温度依赖性.物理学报.2020,第69卷(第12期),第328-335页.
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公开(公告)号：CN116716591A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310637288.2
申请日：2023-05-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C23C16/27 , C23C16/458 , C30B25/12 , C30B29/04
Abstract: 本申请适用于金刚石技术领域，提供了尤其涉及钼托结构和金刚石制备方法。该钼托结构包括钼托本体，所述钼托本体呈圆柱体结构，在所述钼托本体的上表面上开设有多个圆环状凹槽，所述多个圆环状凹槽依次嵌套；由所述钼托本体的上表面的中部到边缘的方向上，相邻的两个圆环状凹槽之间的距离变大。本申请通过对钼托结构的凹槽形状进行设计，优化单晶金刚石衬底温度均匀性，最终有效抑制单晶衬底边缘的温度过高现象，从而获得高外延质量的单晶金刚石外延片。
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公开(公告)号：CN116359807A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310315128.6
申请日：2023-03-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R33/032 , G01R33/00
Abstract: 本申请适用于金刚石色心量子传感技术领域，提供了一种金刚石NV色心磁力探测装置及系统，该装置包括：三个两两互相垂直的探测模块、光纤、微波模块和荧光传输模块，每个探测模块包括两个磁通量聚集器、金刚石样品、第一聚焦镜、第二聚焦镜、滤光片和光电探测器，金刚石样品为NV色心系综，两个磁通量聚集器分别与金刚石样品的上表面和下表面接触放置，第一聚焦镜和第二聚焦镜分别设于金刚石样品的两侧，金刚石样品与微波模块相连，光纤中的激光通过第一聚焦镜聚焦在金刚石样品上，金刚石样品在激光和微波模块提供的微波的作用下产生的荧光被第二聚焦镜收集后经过滤光片，并通过光电探测器导入荧光传输模块。本申请能够实现矢量磁场的实时探测。
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公开(公告)号：CN116106796A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310077203.X
申请日：2023-02-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明提供一种金刚石NV色心磁强测量系统。该系统包括：金刚石NV色心系综薄片、磁通量聚集器、脉冲模块、微波模块、激光模块和第一光电探测器。脉冲模块分别向微波模块和激光模块发送脉冲信号，以控制微波模块发出微波和激光模块发出激光。微波模块发出的微波和激光模块发出的激光入射至金刚石NV色心系综薄片。金刚石NV色心系综薄片在微波和激光的激发下产生的荧光入射至第一光电探测器。本发明能够通过脉冲信号控制微波模块和激光模块的开关，减少微波模块和激光模块的开启时间，减少微波和激光对磁通量聚集器的作用时间，减少引起磁通量聚集器本身的低频涡旋噪声和热噪声，减少磁通量聚集器对磁信号的干扰，提升低频磁测量灵敏度。
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公开(公告)号：CN115436847A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210974923.1
申请日：2022-08-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R33/032
Abstract: 本申请适用于金刚石色心量子传感技术领域，提供了金刚石色心微波激射器及其制备方法，该金刚石色心微波激射器包括：铜腔体；蓝宝石谐振体，蓝宝石谐振体位于铜腔体中部；金刚石色心，金刚石色心位于蓝宝石谐振体中部；粗光纤，粗光纤的第一端与金刚石色心连接，粗光纤的第二端用于与激光器连接；第一磁通量聚集器和第二磁通量聚集器；第一铜线圈和第二铜线圈；第一磁通量聚集器的第一端与第一铜线圈连接，第一磁通量聚集器的第二端与金刚石色心下表面连接，第二磁通量聚集器的第一端与第二铜线圈连接，第二磁通量聚集器的第二端与金刚石色心上表面连接。本申请减小了激射器的体积、质量和功耗，解决了传统的激射器偏执强磁场施加困难的难题。
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