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公开(公告)号:CN109338391A
公开(公告)日:2019-02-15
申请号:CN201811217045.9
申请日:2018-10-18
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明涉及了一种用于光电化学分解水制氢的基底的制备方法及其产品和应用,利用传统的水热法在新的实验参数的条件下在FTO玻璃表面制备性能优越的In2S3超薄纳米片阵列,制备出的In2S3超薄纳米片阵列致密而均匀;在制备好的In2S3光电化学分解水的基底上继续生长ZnO纳米颗粒,ZnO半导体与In2S3构建异质结,通过控制ZnO生长的时间来控制ZnO纳米颗粒的粒径及ZnO在In2S3薄膜中的含量,从而实现对In2S3光电性能的调控,显著提高光解水基底的光电流。将In2S3纳米片阵列与ZnO纳米颗粒的制备结合起来,构成In2S3-ZnO异质结,利用ZnO纳米颗粒均匀、表面积大的优点提高In2S3光电性能,按照本方案制备出的复合光阳极结构在500 W模拟太阳光的照射下比纯In2S3光阳极结构的光电流提高3倍。
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公开(公告)号:CN104990959B
公开(公告)日:2018-07-13
申请号:CN201510405767.7
申请日:2015-07-10
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明涉及一种对有毒有害气体硫化氢具有良好响应性和选择性的铜和氧化锡的复合气敏材料的制备方法。通过控制反应中原料铜源和亚锡源的质量比,利用一步溶剂热法获得铜和氧化锡的复合气敏材料。气敏测试结果显示本发明中的铜和氧化锡的复合气敏材料对有毒有害气体硫化氢表现出良好的选择性和响应性,其响应温度在120℃且对其他气体几乎没有响应。本发明具有制备工艺简单易行且产物性能好等特点,使得该铜和氧化锡的复合气敏材料在气敏传感器领域具有很好的应用前景,能够在实际生产中最大程度的降低成本和保障人身安全。
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公开(公告)号:CN108165938A
公开(公告)日:2018-06-15
申请号:CN201711383553.X
申请日:2017-12-20
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: C23C14/35 , C23C14/18 , C23C16/30 , C23C16/455 , C25D11/26 , C23C28/04 , C25B1/04 , C25B11/06 , H01G9/20
Abstract: 本发明提供一种异质结光化学阵列的制备方法及其产品和应用,在FTO玻璃基底利用磁控溅射共溅射制备一层Ti薄膜,利用电化学腐蚀方法获得TiO2纳米管阵列薄膜,在氢气气氛下进行等离子体处理,以及在此基础上利用原子层沉积在纳米管表面制备一层MoS2纳米薄膜。本发明提供的一种异质结光化学阵列的制备方法,通过磁控溅射、电化学腐蚀、等离子处理以及原子层沉积等具有高可重复性的技术的使用,确保了所制备的阵列的重复稳定性。本发明制备方法可控,重复性较好,所得产品具有宽光谱吸收特点,大幅提升了太阳光的利用效率。
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公开(公告)号:CN107824782A
公开(公告)日:2018-03-23
申请号:CN201711047081.0
申请日:2017-10-31
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
CPC classification number: B22F1/0088 , B82Y30/00 , C23C18/42
Abstract: 本发明涉及一种顶端负载钯的金纳米棒的制备方法及其产品和应用,将金纳米棒离心后分散在十六烷基三甲基氯化铵(CTAC)溶液中,加入硝酸银溶液和维生素C溶液后,恒温环境下振荡反应后获得中间产物A;将反应所得的中间产物离心分散在低浓度的CTAB溶液中,加入氯钯酸溶液和维生素C溶液若干,室温下静置后,将获得的产物离心处理保存在去离子水中,即可获得一种顶端负载钯的金纳米棒。该方案中制备出的顶端负载钯的金纳米棒,其共振波长(横向)可达至1350nm,较未负载钯的金纳米棒红移了360nm,极大促进了金纳米棒在第二近红外窗口(1000-1400nm)的广泛应用。
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公开(公告)号:CN106198867B
公开(公告)日:2018-02-09
申请号:CN201610516641.1
申请日:2016-07-04
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种简单的制备ZnNb2O6气敏材料的方法,该方法利用水热法合成ZnNb2O6前驱体,然后高温煅烧得到ZnNb2O6纳米材料。金属氧化物较单纯ZnO材料气体选择性、灵敏度均有大幅提升,解决金属氧化物选择性差的难题。该方法的优点在于通过水热和高温煅烧结合制备高性能气敏材料,材料的性能稳定,气体选择性好,具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN105428609B
公开(公告)日:2017-12-08
申请号:CN201510671621.7
申请日:2015-10-16
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及了一种SnS2纳米盘@RGO复合材料的制备方法,具体涉及到采用相关Sn盐,采用控制反应物浓度、反应温度及时间即可实现纳米复合结构的制备。具体为将一定量的氧化石墨烯超声分散为水溶液后;加入溶于酸溶液的Sn盐溶液搅拌形成均匀的混合溶液;后缓慢加入定量的乙酰硫脲后持续搅拌,将搅拌后的溶液放入反应釜中后放置在马弗炉中,于180℃下反应12小时取出;采用冰水混合溶液降温后将反应的沉淀产物离心提纯后用乙醇和去离子水洗涤3次,在真空干燥箱中于60℃下干燥5小时,即可制得可明显提高电池比容量和降低循环损失率的SnS2纳米盘@RGO复合材料。
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公开(公告)号:CN105417572B
公开(公告)日:2017-10-27
申请号:CN201510753968.6
申请日:2015-11-09
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种p‑n型SnO2/CuO复合微球的制备方法,该方法利用水热法合成n型氧化锡和p型氧化铜复合微球,首先采用水热法合成纯态CuO微球,然后用二次水热法实现SnO2/CuO复合微球。本发明的SnO2/CuO复合微球制备方法简单,反应温度低,设备要求不高,无需后续处理条件即可获得SnO2/CuO复合微球结构,该发明制备的SnO2/CuO复合微球对CO气体具有快速响应,响应温度低,可大大降低能耗,具有较大的应用前景,另外可用于太阳电池光阳极、光催化等领域。
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公开(公告)号:CN104409337B
公开(公告)日:2017-10-27
申请号:CN201410614869.5
申请日:2014-11-05
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: H01L21/203 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及了一种硫和银共掺杂p型氧化锌光电薄膜的制备方法,采用磁控溅射和热氧化技术制备,将磁控溅射腔抽到真空环境下,并加热经严格清洗的基底,使用纯度大于99.99%的硫化锌靶材和银靶,用双靶共同溅射的方法沉积ZnS:Ag薄膜;将获得的ZnS:Ag放置在氧气气氛下热氧化处理。本发明涉及的制备方法,参数易控,可重复性高,可实现掺杂浓度的控制,适用产业化生产环境。
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公开(公告)号:CN107282070A
公开(公告)日:2017-10-24
申请号:CN201710383926.7
申请日:2017-05-26
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种三维花片状硫铟锌微-纳米线阵列及其制备方法和应用,以经过预处理的锌片为基底,以铟源、硫源为前驱体,通过控制溶剂热反应的温度和时间,从而制备出ZnIn2S4微-纳米线阵列。本发明制备的三维花片状结构的ZnIn2S4微-纳米线阵列,是固体基底上的首创;依据本发明提供的方法制备的ZnIn2S4微-纳米线阵列具有比表面积高,反射率低,陷光性好,缺陷较少且能够反复使用等优异特性;且制备方法简单,过程易控,成本低廉,无毒环保,在光催化制氢,光催化降解有机污染物,人工光合作用,光催化杀菌,太阳能电池等领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号:CN107032399A
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201710316456.2
申请日:2017-05-08
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: C01G31/00
CPC classification number: C01G31/00 , C01P2002/82 , C01P2004/03
Abstract: 本发明涉及一种具单斜白钨矿晶型钒酸铋纳米片及其制备方法和应用,采用醇‑水热法,配置适量的Bi(NO)3·5H2O乙二醇溶液和NH4VO3水悬浮液液;通过优化NH4VO3水悬浮液液加入Bi(NO)3·5H2O乙二醇溶液中的方式控制反应过程;将反应完全的溶液放入高压反应釜反应,冷却至室温后将产物用去离子水和无水乙醇交替冲洗;放置管式炉中煅烧,即可在不添加表面活性剂的条件下制备尺寸均匀并具有良好光催化性能的单斜白钨矿晶型的钒酸铋纳米片。本发明提供了一种醇‑水热方法,在不添加任何表面活性剂或螯合剂的条件下,通过优化加料模式及煅烧的方法,成功制备了尺寸均匀并对甲基橙具有良好光催化性能的单斜白钨矿晶型的钒酸铋纳米片,其褪色率能够达到98.44%;该制备方法简单可控,重复性高,具有明显的应用价值。
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