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公开(公告)号：CN105000587B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201510403040.5
申请日：2015-07-10
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明涉及了一种对酒精具有良好气敏性能的星状自组装结构氧化铜纳米材料制备及应用，具体涉及到不使用表面活性剂和模板，仅用反应物控制酸碱浓度、水热温度、时间控制材料形貌的制备方法。方位为将5mmol可溶性铜盐溶入一定量的去离子水中，后缓慢加入10-15mmol氢氧化钠，在室温下采用磁力搅拌30分钟；后将所得的溶液体系转入水热反应釜中，在180--200℃下反应10-12小时；将反应后的沉淀产物离心提纯后用乙醇和去离子水洗涤3次，在真空干燥箱中于60℃下干燥6小时，即可制得对酒精具有良好气敏响应性能的星状自组装结构CuO。
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公开(公告)号：CN105499602A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510973724.9
申请日：2015-12-21
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
CPC classification number: B22F9/24 , B82Y40/00 , G01N21/658
Abstract: 本发明提供了一种基于还原法合成金纳米颗粒的SERS基底制备方法，所述方法通过对硅片表面进行修饰，实现氨基化过程，然后通过还原氯金酸溶液的方法使金纳米颗粒较均匀地吸附在基底上，制成可重复的、有高增强因子的SERS基底。本发明制备的SERS活性基底具有制备工艺简单易行、重复性强、增强因子大等优点，具备小分子和大分子检测的应用潜力。
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公开(公告)号：CN105428609A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510671621.7
申请日：2015-10-16
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/364 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及了一种SnS2纳米盘@RGO复合材料的制备方法，具体涉及到采用相关Sn盐，采用控制反应物浓度、反应温度及时间即可实现纳米复合结构的制备。具体为将一定量的氧化石墨烯超生分散为水溶液后；加入溶于酸溶液的Sn盐溶液搅拌形成均匀的混合溶液；后缓慢加入定量的乙酰硫脲后持续搅拌，将搅拌后的溶液放入反应釜中后放置在马弗炉中，于180℃下反应12小时取出；采用冰水混合溶液降温后将反应的沉淀产物离心提纯后用乙醇和去离子水洗涤3次，在真空干燥箱中于60℃下干燥5小时，即可制得可明显提高电池比容量和降低循环损失率的SnS2纳米盘@RGO复合材料。
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公开(公告)号：CN105000587A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510403040.5
申请日：2015-07-10
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明涉及了一种对酒精具有良好气敏性能的星状自组装结构氧化铜纳米材料制备及应用，具体涉及到不使用表面活性剂和模板，仅用反应物控制酸碱浓度、水热温度、时间控制材料形貌的制备方法。方位为将5mmol可溶性铜盐溶入一定量的去离子水中，后缓慢加入10-15mmol氢氧化钠，在室温下采用磁力搅拌30分钟；后将所得的溶液体系转入水热反应釜中，在180-200℃下反应10-12小时；将反应后的沉淀产物离心提纯后用乙醇和去离子水洗涤3次，在真空干燥箱中于60℃下干燥6小时，即可制得对酒精具有良好气敏响应性能的星状自组装结构CuO。
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公开(公告)号：CN104561937B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201510005822.3
申请日：2015-01-05
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/30
Abstract: 本发明涉及一种原子层沉积制备具有固体润滑作用的WS2薄膜方法，将经严格清洗的基底放入ALD腔内，使用六羰基钨(W(CO)6)固体钨源和H2S气体硫源制备WS2薄膜。原子层沉积系统腔内沉积温度应加热到300‑400℃的沉积温度；设置钨前驱体源W(CO)6固体的加热温度为60℃，载气流量为100‑200sccm；硫前驱体源10%的H2S气体,载气流量为150‑250sccm。设置沉积过程中六羰基钨固体源的脉冲时间为0.1‑0.3秒，高纯氮气冲洗15‑25秒；H2S气体源的脉冲时间为10‑20秒，高纯氮冲洗20‑30秒。本发明涉及的制备方法，参数易控，可重复性高，适用于产业化生产环境。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104451597B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201410662452.6
申请日：2014-11-19
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及了一种固体润滑ZnS薄膜的制备方法，将经严格清洗的基底放入原子层沉积系统（ALD）腔内，使用二乙基锌（Zn(C2H5)2）液体金属源和H2S气体硫源制备ZnS薄膜；将获得的ZnS薄膜采用硫化退火工艺进行处理，得到固体润滑ZnS薄膜。本发明方法采用原子层沉积工艺，可以较好地控制ZnS薄膜的厚度，提高金属源和气体源的利用率。硫化系统工艺参数完善，在少量H2S下即可完成硫化退火步骤；制备的ZnS薄膜颗粒分布均匀，力学性质优异，摩擦系数可稳定在0.1的数量级上。本发明涉及的制备方法，参数易控，可重复性高，适用产业化生产环境。
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公开(公告)号：CN105331943A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510752910.X
申请日：2015-11-09
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/5873 , G01N21/658
Abstract: 本发明涉及了一种基于共溅射后腐蚀修饰获得表面拉曼散射信号增强基底的制备方法，具体涉及到将表面清洁后的基底利用磁控溅射方法，采用双靶共溅射的工艺控制溅射功率和时间，获得非完全连续的岛状金属薄膜后，继续用酸溶液进行腐蚀修饰，从而获得具有SERS效应的基底。将腐蚀修饰后的基底用去离子水清洗后在真空干燥箱中干燥，即可制得对甘油探针分子具有明显增强效应的SERS基底。该制备方法所需材料丰富，制备工艺成熟，可重复性好，易于实现批次制备。
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公开(公告)号：CN104409337A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410614869.5
申请日：2014-11-05
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: H01L21/203 , H01L21/02
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/0623 , C23C14/14 , C23C14/5853 , H01L31/02963
Abstract: 本发明涉及了一种硫和银共掺杂p型氧化锌光电薄膜的制备方法，采用磁控溅射和热氧化技术制备，将磁控溅射腔抽到真空环境下，并加热经严格清洗的基底，使用纯度大于99.99%的硫化锌靶材和银靶，用双靶共同溅射的方法沉积ZnS：Ag薄膜；将获得的ZnS:Ag放置在氧气气氛下热氧化处理。本发明涉及的制备方法，参数易控，可重复性高，可实现掺杂浓度的控制，适用产业化生产环境。
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公开(公告)号：CN105428609B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510671621.7
申请日：2015-10-16
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及了一种SnS2纳米盘@RGO复合材料的制备方法，具体涉及到采用相关Sn盐，采用控制反应物浓度、反应温度及时间即可实现纳米复合结构的制备。具体为将一定量的氧化石墨烯超声分散为水溶液后；加入溶于酸溶液的Sn盐溶液搅拌形成均匀的混合溶液；后缓慢加入定量的乙酰硫脲后持续搅拌，将搅拌后的溶液放入反应釜中后放置在马弗炉中，于180℃下反应12小时取出；采用冰水混合溶液降温后将反应的沉淀产物离心提纯后用乙醇和去离子水洗涤3次，在真空干燥箱中于60℃下干燥5小时，即可制得可明显提高电池比容量和降低循环损失率的SnS2纳米盘@RGO复合材料。
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公开(公告)号：CN104409337B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410614869.5
申请日：2014-11-05
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: H01L21/203 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及了一种硫和银共掺杂p型氧化锌光电薄膜的制备方法，采用磁控溅射和热氧化技术制备，将磁控溅射腔抽到真空环境下，并加热经严格清洗的基底，使用纯度大于99.99%的硫化锌靶材和银靶，用双靶共同溅射的方法沉积ZnS：Ag薄膜；将获得的ZnS:Ag放置在氧气气氛下热氧化处理。本发明涉及的制备方法，参数易控，可重复性高，可实现掺杂浓度的控制，适用产业化生产环境。
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