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公开(公告)号：CN210375634U
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201921403148.4
申请日：2019-08-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本申请提供一种片上波导损耗测量装置。该片上波导损耗测量装置包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；形成于所述顶层硅中的沿直线方向延伸的直线型波导，所述直线型波导的光入射端与所述光耦合器的光出射端在横向上对置；形成于所述顶层硅中的环形谐振腔，所述环形谐振腔与所述直线型波导之间的最小距离为第一距离；位于所述直线型波导的靠近所述光耦合器一侧的偏振调节元件，所述偏振调节元件调节所述直线型波导中的光的偏振态；光电探测器，其形成于所述顶层硅上，探测所述直线型波导的光输出端所输出的光并生成电流；以及加热器，其形成于所述环形谐振腔的预定距离处。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210123485U
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201921035734.8
申请日：2019-07-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本申请提供一种硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件。该硅基光耦合结构包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的第一光栅结构和第一光波导结构，所述第一光栅结构的条形刻痕分布于横向上，并且，所述第一光栅结构和所述第一光波导结构在横向上连接；位于所述第一光栅结构的上方的第二光栅结构，所述第二光栅结构的条形刻痕分布于横向上，并且，所述第二光栅结构与所述第一光栅结构在纵向上对置；与所述第二光栅结构在横向上连接的第二光波导结构；以及覆盖所述第一光栅结构、所述第一光波导结构、所述第二光栅结构以及所述第二光波导结构的外包层。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209880627U
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201921035453.2
申请日：2019-07-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型提供一种基于晶圆键合技术的Ⅲ-Ⅴ/Si异质结构，包括：硅波导层；介质层，位于所述硅波导层上，所述硅波导层中具有Ⅲ-Ⅴ族材料异质集成窗口，该集成窗口显露所述硅波导层；单晶材料层，填充于所述集成窗口中并覆盖所述介质层，所述单晶材料层为单晶硅层或单晶Ⅲ-Ⅴ族材料层；Ⅲ-Ⅴ族材料衬底，键合于所述单晶材料层。本实用新型通过将具有单晶结构的Ⅲ-Ⅴ族材料衬底与硅直接键合方式集成，可获得高质量的Ⅲ-Ⅴ族材料。本实用新型可有效发挥硅材料与Ⅲ-Ⅴ族材料优势，形成Ⅲ-Ⅴ族材料/硅异质结结构，大大提升光电器件的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN208444041U
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201821124540.0
申请日：2018-07-16
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本实用新型提供的三维集成光互连芯片，包括：器件晶圆，所述器件晶圆包括具有器件结构的正面以及与所述正面相对的背面，且所述器件晶圆具有自所述正面向所述背面方向延伸的硅通孔；载体晶圆，与所述器件晶圆的正面键合；所述器件晶圆的背面具有球形焊点以及自所述背面向所述正面延伸的光耦合端面。本实用新型在简化三维集成光互连芯片中光耦合端面的制造工艺的同时，改善了光耦合端面的质量，降低了三维集成光互连芯片的制造成本。
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公开(公告)号：CN210375638U
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201921455306.0
申请日：2019-09-03
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本申请提供一种片上波导损耗测量装置。该片上波导损耗测量装置具有至少一个片上波导损耗测量单元，其中，各所述片上波导损耗测量单元包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；位于所述光耦合器的光出射端一侧的分束器，所述分束器接收所述光耦合器的光出射端射出的光；形成于所述顶层硅中的波导组，所述波导组具有两个以上的波导，各所述波导分别接收所述分束器射出的光，并且，各波导的长度均不相等；以及形成于所述顶层硅上的两个以上的光电探测器，各所述波导的光输出端所输出的光被一个所述光电探测器探测，所述光电探测器生成与探测到的光对应的电流。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210375633U
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201921373455.2
申请日：2019-08-22
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本申请提供一种硅基片上波导损耗测量装置。该片上波导损耗测量装置，包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；形成于所述顶层硅中的法布里-珀罗谐振腔，所述法布里-珀罗谐振腔的光入射端与所述光耦合器的光出射端在横向上对置；光电探测器，其形成于所述顶层硅上；以及加热器，其形成于所述法布里-珀罗谐振腔的预定距离处。使用本申请的片上波导损耗测量装置，可以有效降低光纤与芯片对准精度要求，减小波导损耗测量结构面积，实现高效快速的波导损耗测量。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210182395U
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201921034835.3
申请日：2019-07-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/0312 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型提供一种基于晶圆键合技术的集成锗光电探测器，包括：硅波导层，所述硅波导层中形成有锗光电探测器的下接触层；介质层，位于所述硅波导层上，所述硅波导层中具有锗光电探测器集成窗口，该集成窗口显露所述下接触层；单晶材料层，填充于所述集成窗口中，所述单晶材料层为单晶硅层或单晶锗材料层；锗吸收区，键合于所述单晶材料层；上接触层，形成于所述锗吸收区上部；下电极，形成于所述下接触层上；上电极，形成所述上接触层上。本实用新型通过将具有单晶结构的锗材料衬底与硅直接键合方式集成，可以获得质量更高的锗材料以及锗/硅异质结构，有利于锗光电探测器暗电流等特性的优化。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210040212U
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201921254955.4
申请日：2019-08-05
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/09 , H01L31/18 , G02B6/122 , G02B6/13
Abstract: 本实用新型提供一种基于光子晶体的波导型锗光电探测器，所述锗光电探测器包括：硅波导结构；锗光电探测器，连接于所述硅波导结构，所述锗光电探测器的锗吸收区及所述锗吸收区外围的周边硅材料区中具有周期性排列的介质材料，以形成具有慢光效应的光子晶体结构。本实用新型与传统波导型锗光电探测器相比，可以实现更高效的光吸收效率，通过减小器件尺寸，实现低暗电流、低电容和高响应度光电探测器制备。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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