硅基高抑制比单边带调制器芯片

    公开(公告)号:CN114114531A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202111295494.7

    申请日:2021-11-03

    Abstract: 本发明公开一种硅基高抑制比单边带调制器芯片,包含一个分光比可调的硅基双平行马赫曾德调制器(DP‑MZM)和一个陷波滤波器。连续光信号输入到硅基双平行马赫曾德调制器中,待调制微波信号通过90°电桥分为幅度相等、相位差为90°的两路信号,分别输入到硅基双平行马赫曾德调制器的射频输入端,实现光学单边带信号。通过引入基于1×2马赫曾德干涉结构的分光比可调分路器对两个并行排布调制器和主调制器的两臂分光进行独立调节,有效补偿工艺误差等引入的调制器不对称性。陷波滤波器进一步滤除杂散边带,提高单边带信号的边带抑制比。本发明具有工作带宽大、抑制比高等优点。

    基于延时的光学频率传递装置和光学频率传递方法

    公开(公告)号:CN114006660A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202111270550.1

    申请日:2021-10-29

    Abstract: 一种基于延时的光学频率传递装置和方法,该装置由本地端、传递链路和中继端组成,本地端的输入光信号通过传递链路传输到中继端,同时中继端的从激光器的输出光信号在经过相同的传递链路传输到本地端后再次被反射回中继端。该方法中两路经过传递链路的信号光到达中继端后输入至光学频率延时比对单元获得主激光器和从激光器之间的相对频率偏差,使用该相对频率偏差反馈控制从激光器的输出光的信号频率,使得从激光器和本地端输入光信号之间的频率相对稳定。通过对两路光信号施加不同的附加时间延迟进行频率比传统传递方法可以减小传递链路引入的相位噪声。中继站采用相位补偿方式可向下一个链路进行光学频率传递,实现级联的光学频率传递。

    硅基片上傅里叶变换光谱仪及获得光源重构光谱的方法

    公开(公告)号:CN111947780A

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN202010753010.8

    申请日:2020-07-30

    Abstract: 一种硅基片上傅里叶变换光谱仪及获得光源重构光谱的方法,所述的光谱仪包括波导输入耦合器、级联光开关、非等臂亚波长光栅(SWG)波导对和锗硅探测器,所述的级联光开关通过非等臂SWG波导对连接。通过调节光开关状态选通光路,构成具有不同光程差的一系列非等臂马赫-增德尔干涉器(MZI)阵列,实现基于空间外差相干的傅里叶变换光谱仪,并利用压缩感知算法对光谱进行重构。相比于传统无源MZI阵列结构,可以有效降低芯片尺寸、提高采样点数;非等臂SWG波导对可以有效提高芯片温度稳定性、扩大工作带宽。本发明能够满足傅里叶变换光谱仪对于小型化、便携化的应用需求,并能够解决现有硅基片上光谱仪普遍对温度敏感的问题。

    谐振腔辅助相变可重构光信号处理芯片

    公开(公告)号:CN110187521A

    公开(公告)日:2019-08-30

    申请号:CN201910402821.0

    申请日:2019-05-15

    Abstract: 一种谐振腔辅助相变可重构光信号处理芯片,包含多根垂直总线波导和多根水平总线波导,在每根垂直总线波导和每根水平总线波导的交叉处均设有一个环形谐振腔,在所述的环形谐振腔上沉积一定厚度的相变材料层,每个环形谐振腔具有不同的特定的谐振波长,所述的相变材料层的状态的变化通过加载光脉冲或者电脉冲来实现。相变材料的自保持特性使得器件没有静态功耗,能量消耗只发生在相变材料状态变化的过程中,大大降低了器件的功耗。本发明该芯片具有响应速度快、功耗低和多次擦写的特点。

    基于巴特勒矩阵的集成二维多波束激光雷达发射系统

    公开(公告)号:CN109633611A

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201811484764.7

    申请日:2018-12-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于巴特勒矩阵的集成二维多波束激光雷达发射系统,包括可调激光器阵列、调频连续波调制阵列、N×N巴特勒光学矩阵网络、N×M光学扩束网络、M路移相器阵列和M路二维激光雷达发射端,可调激光器阵列输出的窄线宽连续光经过调频连续波调制阵列产生N路调频连续光信号,经过N×N巴特勒矩阵网络和N×M光学扩束网络处理后,每一路调频连续光信号的能量均分到M路输出端口,M路移相器阵列对M路光信号产生相位差连续可调的等差相位;通过M路二维激光雷达发射端将相位差连续可调的M路光信号发射,实现不多于N个不同的二维可调发射波束。系统简单且能提高雷达的分辨率、抗干扰能力和生存能力,充分利用了发射波束能量。

    基于浮栅充放电的状态非易失光开关及其制备方法

    公开(公告)号:CN108538785A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201810175506.4

    申请日:2018-03-02

    Abstract: 一种基于浮栅充放电的状态非易失光开关及其制备方法。光开关由下到上依次为单晶硅衬底、二氧化硅埋层、单晶硅n型掺杂层、绝缘二氧化硅层、单晶硅浮栅层、氧氮氧隔离层、单晶硅p型掺杂层、二氧化硅上包层和金属电极,本发明整体上包含两个串联连接的浮栅电容,浮栅内的载流子浓度可通过电子隧穿效应改变。由于载流子色散效应导致波导有效折射率的改变,从而可实现对光路的调控。切换后的光路可以在电压断掉后还能保持原状态,在光通信和光互连数据交换领域具有广阔的应用前景。

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