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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113885128A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111122981.3
申请日：2021-09-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明涉及一种硅基可重构微波光子多波束形成网络芯片，包括光纤耦合器、光开关阵列、光分路器、超宽带连续可调光真延迟线阵列和探测器阵列；所述光纤耦合器用于输入微波光子相控阵雷达的单边带调制光信号，所述光开关阵列和光分路器用于形成微波光子多波束和微波光子单波束所用阵元数目的重构，所述超宽带连续可调光真延迟线阵列用于独立地调节每个微波阵元上的延迟，所述探测器阵列用于输出微波信号。有益效果是用于微波光子相控阵雷达，实现大瞬时带宽、高分辨率、可重构微波光子多波束形成。
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公开(公告)号：CN118050938A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410274359.1
申请日：2024-03-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种具备大工艺容差的高速马赫曾德电光开关及其集成可调光延时线，开关采用具有三种不同宽度的脊形波导、两个3‑dB耦合器和两个基于p‑i‑n二极管移相器组成的具备高工艺容差和π/2初始相位差的推挽式马赫曾德电光开关，可实现对工艺误差不敏感并具备高切换速度的多通道集成光可调延时线。该种延时线利用片上集成的光开关的状态切换实现芯片上不同光行进路径的切换，实现不同延时量的切换，具备高工艺容差、低带内串扰和高延时切换速度的特性。
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公开(公告)号：CN114114531B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202111295494.7
申请日：2021-11-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开一种硅基高抑制比单边带调制器芯片，包含一个分光比可调的硅基双平行马赫曾德调制器(DP‑MZM)和一个陷波滤波器。连续光信号输入到硅基双平行马赫曾德调制器中，待调制微波信号通过90°电桥分为幅度相等、相位差为90°的两路信号，分别输入到硅基双平行马赫曾德调制器的射频输入端，实现光学单边带信号。通过引入基于1×2马赫曾德干涉结构的分光比可调分路器对两个并行排布调制器和主调制器的两臂分光进行独立调节，有效补偿工艺误差等引入的调制器不对称性。陷波滤波器进一步滤除杂散边带，提高单边带信号的边带抑制比。本发明具有工作带宽大、抑制比高等优点。
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公开(公告)号：CN113885128B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202111122981.3
申请日：2021-09-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明涉及一种硅基可重构微波光子多波束形成网络芯片，包括光纤耦合器、光开关阵列、光分路器、超宽带连续可调光真延迟线阵列和探测器阵列；所述光纤耦合器用于输入微波光子相控阵雷达的单边带调制光信号，所述光开关阵列和光分路器用于形成微波光子多波束和微波光子单波束所用阵元数目的重构，所述超宽带连续可调光真延迟线阵列用于独立地调节每个微波阵元上的延迟，所述探测器阵列用于输出微波信号。有益效果是用于微波光子相控阵雷达，实现大瞬时带宽、高分辨率、可重构微波光子多波束形成。
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公开(公告)号：CN114114531A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111295494.7
申请日：2021-11-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开一种硅基高抑制比单边带调制器芯片，包含一个分光比可调的硅基双平行马赫曾德调制器(DP‑MZM)和一个陷波滤波器。连续光信号输入到硅基双平行马赫曾德调制器中，待调制微波信号通过90°电桥分为幅度相等、相位差为90°的两路信号，分别输入到硅基双平行马赫曾德调制器的射频输入端，实现光学单边带信号。通过引入基于1×2马赫曾德干涉结构的分光比可调分路器对两个并行排布调制器和主调制器的两臂分光进行独立调节，有效补偿工艺误差等引入的调制器不对称性。陷波滤波器进一步滤除杂散边带，提高单边带信号的边带抑制比。本发明具有工作带宽大、抑制比高等优点。
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