公开(公告)号：CN1794086A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200610023238.1

申请日：2006-01-12

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 侯中宇 ,  蔡炳初 ,  徐东 ,  张亚非

IPC: G03F7/00 ,  C01B31/02

Abstract: 一种微细加工技术领域的在感光材料表面覆盖并图形化碳基纳米结构的方法，首先制备碳纳米管薄膜，然后制备感光材料图形，最后进行反应离子辅助等离子体增强气相沉积，即使用反应离子辅助等离子体刻蚀技术刻蚀碳纳米管薄膜，同时利用形成的复合等离子体在感光材料层表面形成新的碳基纳米结构，所使用的刻蚀气体，必须能够依靠物理轰击、化学反应或者两者的综合作用刻蚀碳纳米管，即能够将碳纳米管分解成为碳基纳米颗粒，从而形成复合等离子体。本发明形成的碳基纳米结构与基体可以有很好的结合力，很好的垂直取向性和密度、高度的一致性，同时，其密度、长度可以被控制，并适于加工实现阵列化设计和批量生产，因此有着广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN1793893A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510112216.8

申请日：2005-12-29

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 侯中宇 ,  蔡炳初 ,  张亚非 ,  徐东 ,  魏星

IPC: G01N27/62 ,  H01L49/00

Abstract: 一种传感器技术领域的使用一维纳米材料的微型气体传感器。本发明包括：衬底、金属底电极层、一维纳米材料层、金属支柱层、金属顶电极层。其中，金属底电极层设置在衬底上，一维纳米材料层设置在金属底电极层之上，金属支柱层设置在衬底之上，顶电极设置在衬底上。金属底电极层、一维纳米材料层与金属支柱层之间相互隔离，顶电极层和底电极层、一维纳米材料层之间有气体间隙相互隔离。本发明具有选择性高、灵敏度高、低能耗、成本低、易于实现阵列化、小型化的优点，并有利于提高安全性、稳定性。