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公开(公告)号：CN109749733A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811308021.4
申请日：2018-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点组合物、量子点聚合物复合物、以及包括其的层状结构体和电子装置。所述量子点组合物包括量子点、金属硫醇盐化合物、和溶剂，其中所述金属硫醇盐化合物包括疏水性部分、硫醚部分(-S-)、和多价金属，和其中所述疏水性部分包括氟化的有机基团、包含多个芳族环的基团、或其组合，所述包含多个芳族环的基团具有包括作为环状基团的一部分的季碳原子以及结合至所述季碳原子的两个芳族环的骨架结构。
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公开(公告)号：CN109239974A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810952629.4
申请日：2014-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357
Abstract: 本发明提供半导体纳米晶体组合物、半导体纳米晶体-聚合物复合物及用于液晶显示器件的背光单元，特别是提供半导体纳米晶体组合物和由其制备的半导体纳米晶体-聚合物复合物，所述半导体纳米晶体组合物包括：半导体纳米晶体、有机添加剂、和能聚合物质，其中所述组合物在进行聚合之后具有大于或等于约40％的雾度。
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公开(公告)号：CN108987423A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810567852.7
申请日：2018-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/15
Abstract: 公开了一种显示装置。所述显示装置可以包括发光元件阵列、晶体管阵列和颜色控制部件单片式地设置在一个基板上的单片器件。所述显示装置可以包括包含发光元件阵列的第一分层结构、包含晶体管阵列的第二分层结构、和包含颜色控制部件的第三分层结构，其中第二分层结构位于第一分层结构和第三分层结构之间。发光元件阵列可以包括包含无机材料的多个发光元件。多个发光元件可以具有竖直纳米结构。
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公开(公告)号：CN108110144A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711176209.3
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/025 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/06 , C09K11/703 , C09K11/883 , C09K2211/188 , G02B6/005 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/0039 , H01L51/0092 , H01L51/5012 , H01L51/502 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H05B33/14 , Y10S977/774 , Y10S977/783 , Y10S977/818 , Y10S977/824 , Y10S977/892 , Y10S977/896 , Y10S977/95 , Y10T428/1036 , Y10T428/1041 , H01L51/0077 , H01L51/56 , H01L2251/301
Abstract: 公开包括量子点的发光器件和显示器件。所述发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点的发光层，其中所述量子点包括半导体纳米晶体和结合至所述半导体纳米晶体的表面的配体，和其中所述配体包括有机硫醇配体或其盐和包含金属的多价金属化合物，所述金属包括Zn、In、Ga、Mg、Ca、Sc、Sn、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、Ba、Au、Hg、Tl、或其组合。所述显示器件包括所述发光器件。
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公开(公告)号：CN101241727A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810005438.3
申请日：2008-02-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B9/10
CPC classification number: G11B5/7325 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B9/02 , G11B9/08 , G11B9/1472
Abstract: 本发明公开了一种使用纳米晶粒子的信息存储介质、该信息存储介质的制造方法以及包含该信息存储介质的信息存储设备。该信息存储介质包括：导电层；第一绝缘层，形成于该导电层上；纳米晶层，形成于该第一绝缘层上并包括可以俘获电荷的导电纳米晶粒子；以及第二绝缘层，形成于该纳米晶层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1655057A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200410102383.X
申请日：2004-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C08F2/28 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C30B29/60 , C30B33/00 , G03F7/0043 , G03F7/0047 , G03F7/027 , H01L51/426 , H01L51/502 , Y02E10/549 , Y10S428/917 , Y10S977/773 , Y10T428/24802 , Y10T428/265 , Y10T428/2991 , Y10T428/2998 , Y10T428/31504 , Y10T428/31663
Abstract: 提供了与包含光敏功能基团表面配位的半导体纳米晶、包括半导体纳米晶的光敏组合物、和一种通过使用光敏的半导体纳米晶或光敏组合物制造膜，曝光所述膜并显影所述曝光膜来形成半导体纳米晶图案的方法。半导体纳米晶图案与半导体纳米晶在图案形成之前相比，显示出发光特性并且可以很有用地应用于有机－无机混合电致发光装置中。
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公开(公告)号：CN118829329A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410468063.3
申请日：2024-04-18
IPC: H10K71/12 , H10K71/15 , H10K50/115
Abstract: 本发明涉及制造图案化的膜方法以及包括图案化的膜的电致发光器件和显示装置。制造图案化的膜的方法包括：形成包括半导体纳米颗粒和添加剂的第一膜，其中所述添加剂包括多硫醇化合物，所述半导体纳米颗粒包括有机配体(例如在其表面上)，并且所述有机配体包括键合至所述半导体纳米颗粒的表面的第一官能团和碳‑碳不饱和键；将所述第一膜的一部分暴露于辐射以导致暴露区中的所述半导体纳米颗粒的相对于第一溶剂的溶解度的变化；使辐射处理的膜与所述第一溶剂接触以移除所述辐射处理的膜的未暴露区的至少一部分以获得图案化的膜。发光器件包括这样的图案化的膜作为发光层。
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公开(公告)号：CN110028948B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201910026870.9
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及无镉量子点、其制造方法、包括其的组合物、量子点‑聚合物复合物和显示器件。无镉量子点不包括镉且包括：包括铟和磷的半导体纳米晶体核、设置在所述半导体纳米晶体核上并且包括锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、以及设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包括锌和硫的第二半导体纳米晶体壳。
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公开(公告)号：CN117396016A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202310843690.6
申请日：2023-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及电致发光器件、包括其的显示设备和制造其的方法。电致发光器件包括彼此间隔开的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层、设置在所述发光层和所述第二电极之间的电子传输层、以及设置在所述电子传输层上的有机层。所述发光层包括多个半导体纳米颗粒，所述电子传输层包括多个金属氧化物纳米颗粒，并且所述有机层包括聚合物型酸化合物。
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公开(公告)号：CN108987423B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201810567852.7
申请日：2018-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/15
Abstract: 公开了一种显示装置。所述显示装置可以包括发光元件阵列、晶体管阵列和颜色控制部件单片式地设置在一个基板上的单片器件。所述显示装置可以包括包含发光元件阵列的第一分层结构、包含晶体管阵列的第二分层结构、和包含颜色控制部件的第三分层结构，其中第二分层结构位于第一分层结构和第三分层结构之间。发光元件阵列可以包括包含无机材料的多个发光元件。多个发光元件可以具有竖直纳米结构。
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