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公开(公告)号:CN110028969B
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN201910027234.8
申请日:2019-01-11
Abstract: 公开量子点的群、其制造方法、量子点‑聚合物复合物和显示装置。所述量子点的群包括多个不含镉的量子点,所述多个不含镉的量子点包括:包含铟和磷的半导体纳米晶体芯、设置在所述半导体纳米晶体芯上并且包含锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、和设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包含锌和硫的第二半导体纳米晶体壳,其中所述多个不含镉的量子点的平均颗粒尺寸大于或等于约5.5nm,所述多个不含镉的量子点的颗粒尺寸的标准偏差小于或等于所述平均颗粒尺寸的约20%,和所述多个不含镉的量子点的平均实度大于或等于约0.85。
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公开(公告)号:CN110028969A
公开(公告)日:2019-07-19
申请号:CN201910027234.8
申请日:2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点的群、其制造方法、量子点-聚合物复合物和显示装置。所述量子点的群包括多个不含镉的量子点,所述多个不含镉的量子点包括:包含铟和磷的半导体纳米晶体芯、设置在所述半导体纳米晶体芯上并且包含锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、和设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包含锌和硫的第二半导体纳米晶体壳,其中所述多个不含镉的量子点的平均颗粒尺寸大于或等于约5.5nm,所述多个不含镉的量子点的颗粒尺寸的标准偏差小于或等于所述平均颗粒尺寸的约20%,和所述多个不含镉的量子点的平均实度大于或等于约0.85。
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公开(公告)号:CN110028948B
公开(公告)日:2024-07-26
申请号:CN201910026870.9
申请日:2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及无镉量子点、其制造方法、包括其的组合物、量子点‑聚合物复合物和显示器件。无镉量子点不包括镉且包括:包括铟和磷的半导体纳米晶体核、设置在所述半导体纳米晶体核上并且包括锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、以及设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包括锌和硫的第二半导体纳米晶体壳。
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公开(公告)号:CN110028948A
公开(公告)日:2019-07-19
申请号:CN201910026870.9
申请日:2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及无镉量子点、其制造方法、包括其的组合物、量子点-聚合物复合物和显示器件。无镉量子点不包括镉且包括:包括铟和磷的半导体纳米晶体核、设置在所述半导体纳米晶体核上并且包括锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、以及设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包括锌和硫的第二半导体纳米晶体壳。
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