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公开(公告)号：CN1353027A
公开(公告)日：2002-06-12
申请号：CN01130506.1
申请日：2001-11-15
Applicant: 株式会社三社电机制作所
CPC classification number: B23K9/1056
Abstract: 从一种商用交流电源中将一种商用交流电压耦合到电源端中。交流电源属于提供更高电压的第一组或提供更低电压的第二组。整流器对施加到电源端的交流电压进行整流并在两个整流器输出端之间产生经整流的电压。开关单元运行以在整流器输出端之间有选择性地并联和串联连接升压转换器。变换器连接在相应的升压转换器的输出侧中以将从相关的升压转换器中输出的直流电压变换为高频电压。通过相关的变压器对高频电压进行变压,并通过整流器电路和电抗器将经变压的高频电压变换为直流电压。在该装置的输出端之间形成直流电压。控制单元控制所说的开关单元以使当第一组的商用交流电源连接到电源端时将升压转换器串联连接在整流器输出端之间,而当第二组的商用交流电源连接到电源端时将升压转换器并联连接在整流器输出端之间。
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公开(公告)号：CN1321058A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：CN01117163.4
申请日：2001-04-27
Applicant: 株式会社三社电机制作所
CPC classification number: H05B41/2928 , H05B41/2925 , Y02B20/208 , Y10S315/07
Abstract: 一种用于启动和驱动放电灯22的电源装置,包括直流－直流变换器,直流电流检测器,直流功率检测器,误差信号产生单元和控制单元。在从电源装置开始操作时起的一个预定时间间隔内,延迟电路42,比较器48和箝位二极管52的组合箝位直流功率误差信号,使得只能输出直流电流误差信号。驱动单元18用于用这种方式控制直流－直流转换器,使得所述直流电流误差信号为0。
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公开(公告)号：CN1053603C
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：CN97125527.X
申请日：1997-12-17
Applicant: 株式会社三社电机制作所
IPC: B23K9/067
Abstract: 一个等离子弧应用设备包括一个直流供电线路在该设备的喷炬电极和工件之间加上直流电压。第一电磁阀允许压缩空气以第一流速从空气压缩机流入处于喷炬电极和喷嘴之间的间隙中。同时，一个高频电压发生器也在该喷炬电极和喷嘴之间产生引导电弧。然后产生等离子弧。一个等离子弧检测器检测等离子弧的产生并且闭合第二电磁阀驱动器的开关。然后，第二电磁阀也允许压缩空气流入上述间隙。
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公开(公告)号：CN1175810A
公开(公告)日：1998-03-11
申请号：CN96111182.8
申请日：1996-09-05
Applicant: 株式会社三社电机制作所
IPC: H02H3/20
Abstract: 连接在交流电源与交流负载之间的开关为带有跳闸线圈的形式。该带跳闸线圈的开关,当跳闸线圈中流过规定的电流时,其接点断开。跳闸线圈与双向二端闸流管串联连接。该串联电路连接在交流负载的两端之间。双向二端闸流管,当在其端子间加有超过击穿电压的电压时导通。因此,使电流流过跳闸线圈,将开关的接点断开。
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公开(公告)号：CN1130316A
公开(公告)日：1996-09-04
申请号：CN95119212.4
申请日：1995-11-09
Applicant: 株式会社三社电机制作所
IPC: H02M11/00
CPC classification number: B23K10/00
Abstract: 一种用于等离子弧切割器的电源装置，包含将DC电源变换为高频电源的逆变器。输出变换电路对该高频电源进行整流和平波，用于在枪电极和工件之间提供电流。电流检测单元检测流经等离子负载的电流。基准信号发生单元产生一包括预定的DC信号和叠加在该DC信号上的预定的AC信号的信号。控制装置根据电流检测单元的输出和基准信号之间的差值控制逆变器，以便使在电极和工件之间提供的输出电流具有预定的恒定DC电流和叠加的预定的AC电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112737551A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011099804.3
申请日：2020-10-14
Applicant: 株式会社三社电机制作所
Inventor： 深井真志
IPC: H03K17/14 , H03K17/284 , H03K17/041
Abstract: 在通过使N沟道MOSFET和P沟道MOSFET进行推挽连接来放大输入脉冲信号而驱动输出元件的栅极驱动电路中，在所述N沟道MOSFET和所述P沟道MOSFET的栅极端子之间连接温度补偿电路，所述温度补偿电路随着周围温度的升高而降低所述N沟道MOSFET和所述P沟道MOSFET的各栅极电压。
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公开(公告)号：CN107078130B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201580053118.3
申请日：2015-09-16
Applicant: 株式会社三社电机制作所
Inventor： 高村明男
CPC classification number: H01L23/049 , H01L23/04 , H01L23/041 , H01L23/043 , H01L23/053 , H01L23/08 , H01L23/10 , H01L23/24 , H01L23/28 , H01L23/48 , H01L23/492 , H01L23/50 , H01L23/562 , H01L25/0655 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体模块具备：矩形状的底板；基板，在该底板上形成有包含半导体芯片等的电路；长方体形状的树脂制的壳体，被安装于前述底板，在内部收纳有前述基板；以及多个外部端子，使上端在前述壳体的上表面露出，下端被固定于前述基板。设置有沿着长尺寸方向将前述壳体的前表面和背面从上边切下后的第一壳体开口部和第二壳体开口部，在前述第一壳体开口部与第二壳体开口部之间的前述壳体上表面具备沿着长尺寸方向使前述多个外部端子的上端露出来保持的外部端子保持部。从前述第一壳体开口部和第二壳体开口部向前述基板上表面注入密封材料来密封半导体模块。
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公开(公告)号：CN109845409A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201880002607.X
申请日：2018-05-31
Applicant: 株式会社三社电机制作所
IPC: H05B41/288
Abstract: 本发明的目的在于提供一种不增加电源的额定输出，即便在灯在稳定状态时也能进行恒定电流控制的放电灯点灯控制装置。放电灯点灯控制装置在放电灯启动后的灯电压变化值小于一定值的灯稳定状态中，若灯电压上升则更改用于进行恒定电流控制的电流指令值。该更改为从放电灯启动时的第1电流指令值向比第1电流指令值小规定值的第2电流指令值的更改。根据该第2电流指令值进行恒定电流控制。之后每当灯电压上升，则将所述第2电流指令值更改为更小值，并根据该第2电流指令值进行恒定电流控制。
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公开(公告)号：CN107409481A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680016625.4
申请日：2016-03-01
Applicant: 株式会社三社电机制作所
Inventor： 伊藤达规
Abstract: 一种电气设备，在壳体(2)内部收容送风部(14)，送风部(14)的正面位于壳体(2)的正面壁(6)侧。设置在壳体(2)内的约束构件(20)与送风部(14)的背面接触。在壳体(2)的正面壁(6)侧，与送风部(14)相向地在送风部安装部(12)安装了送风部罩(30)。设置在送风部罩(30)的壳体(2)侧的面上的推压构件(48、48、50、50)，在送风部罩(30)向送风部安装部(12)安装的状态下，将送风部(12)的正面向约束构件(20)侧推压。
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公开(公告)号：CN107078130A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580053118.3
申请日：2015-09-16
Applicant: 株式会社三社电机制作所
Inventor： 高村明男
CPC classification number: H01L23/049 , H01L23/04 , H01L23/041 , H01L23/043 , H01L23/053 , H01L23/08 , H01L23/10 , H01L23/24 , H01L23/28 , H01L23/48 , H01L23/492 , H01L23/50 , H01L23/562 , H01L25/0655 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种容易进行焊接的目视并且能够在外部端子被安装于壳体的状态下进行回流焊工序的半导体模块。半导体模块具备：矩形状的底板；基板，在该底板上形成有包含半导体芯片等的电路；长方体形状的树脂制的壳体，被安装于前述底板，在内部收纳有前述基板；以及多个外部端子，使上端在前述壳体的上表面露出，下端被固定于前述基板。设置有沿着长尺寸方向将前述壳体的前表面和背面从上边切下后的第一壳体开口部和第二壳体开口部，在前述第一壳体开口部与第二壳体开口部之间的前述壳体上表面具备沿着长尺寸方向使前述多个外部端子的上端露出来保持的外部端子保持部。从前述第一壳体开口部和第二壳体开口部向前述基板上表面注入密封材料来密封半导体模块。
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