公开(公告)号：CN115702495A

公开(公告)日：2023-02-14

申请号：CN202080102229.X

申请日：2020-09-15

Applicant: 株式会社三社电机制作所

Inventor： 西村直树 ,  深井真志

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/12 ,  H01L25/18 ,  H01L23/367

Abstract: 目的在于提供导通电阻小且能进行高频工作的功率半导体模块。具备：电源供应用的半导体芯片（2），形成有电压驱动型开关元件且在主面上设置有栅极电极（20G）；散热板（3），与半导体芯片（2）的所述主面对置地配置并进行半导体芯片（2）的散热；布线基板（4），配置在半导体芯片（2）和散热板（3）之间并形成有与外部端子（6S）连接的栅极用布线图案（40G）；内插板（5），在配置于半导体芯片（2）和布线基板（4）之间的板状基材上形成有介于栅极电极（20G）和栅极用布线图案（40G）之间的栅极电阻（50）；树脂框体（7），将半导体芯片（2）、布线基板（4）和内插板（5）密封。

公开(公告)号：CN112737551A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202011099804.3

申请日：2020-10-14

Applicant: 株式会社三社电机制作所

Inventor： 深井真志

IPC: H03K17/14 ,  H03K17/284 ,  H03K17/041

Abstract: 在通过使N沟道MOSFET和P沟道MOSFET进行推挽连接来放大输入脉冲信号而驱动输出元件的栅极驱动电路中，在所述N沟道MOSFET和所述P沟道MOSFET的栅极端子之间连接温度补偿电路，所述温度补偿电路随着周围温度的升高而降低所述N沟道MOSFET和所述P沟道MOSFET的各栅极电压。

公开(公告)号：CN117650773A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202410073207.5

申请日：2020-10-14

Applicant: 株式会社三社电机制作所

Inventor： 深井真志

IPC: H03K17/14 ,  H03K17/284 ,  H03K17/041

Abstract: 在通过使N沟道MOSFET和P沟道MOSFET进行推挽连接来放大输入脉冲信号而驱动输出元件的栅极驱动电路中，在所述N沟道MOSFET和所述P沟道MOSFET的栅极端子之间连接温度补偿电路，所述温度补偿电路随着周围温度的升高而降低所述N沟道MOSFET和所述P沟道MOSFET的各栅极电压。