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公开(公告)号：CN115702495A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202080102229.X
申请日：2020-09-15
Applicant: 株式会社三社电机制作所
IPC: H01L25/07 , H01L23/12 , H01L25/18 , H01L23/367
Abstract: 目的在于提供导通电阻小且能进行高频工作的功率半导体模块。具备：电源供应用的半导体芯片（2），形成有电压驱动型开关元件且在主面上设置有栅极电极（20G）；散热板（3），与半导体芯片（2）的所述主面对置地配置并进行半导体芯片（2）的散热；布线基板（4），配置在半导体芯片（2）和散热板（3）之间并形成有与外部端子（6S）连接的栅极用布线图案（40G）；内插板（5），在配置于半导体芯片（2）和布线基板（4）之间的板状基材上形成有介于栅极电极（20G）和栅极用布线图案（40G）之间的栅极电阻（50）；树脂框体（7），将半导体芯片（2）、布线基板（4）和内插板（5）密封。
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