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公开(公告)号：CN109564883B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201780047349.2
申请日：2017-08-14
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 在提供半导体器件的方法(1000A)和具有用于执行该方法的指令的计算机可读介质中，该方法(1000A)包括接收(1005)第一晶圆缺陷图，其定义比较区域并标识晶圆的视觉缺陷位置。确定片到裸片、部分镜头到部分镜头和全镜头到全镜头的组。如果比较格式不是裸片到裸片(1015)，则接收(1020)映射信息，其提供比较区域内的裸片位置。提供(1025)晶圆布局图，其标识晶圆内的裸片位置。(1010)比较区域的格式，其中该格式选自包括裸
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公开(公告)号：CN117242566A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202280031456.7
申请日：2022-06-21
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 集成电路(IC)(100)包括半导体衬底(102)和互连区域(104)。半导体衬底(102)具有第一表面和与第一表面相反的第二表面。半导体衬底(102)具有带有无源部件(122)的第一区域。半导体衬底具有在第一区域之外的第二区域。第二区域的电阻小于第一区域的电阻。互连区域(104)在半导体衬底(102)的第二表面上。
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公开(公告)号：CN117242415A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202280030242.8
申请日：2022-06-06
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: G05F1/565
Abstract: 所描述的实施例包括用于抑制电压调节器中的过冲的电路。该电路包括第一偏移电压电路(474)和第二偏移电压电路(476)，每个偏移电压电路具有耦合到输入电压端子(402)的输入。第一比较器(480)具有耦合到第一偏移输出的第一比较器输入，以及耦合到参考电压端子的第二比较器输入(404)。第二比较器(482)具有耦合到第二偏移电路的输出的第三比较器输入，以及耦合到电压调节器输出(460)的第四比较器输入。或门(484)具有第一逻辑输入和第二逻辑输入以及逻辑输出。第一逻辑输入和第二逻辑输入分别耦合到第一比较器和第二比较器的输出。关断电路(486)具有耦合到逻辑输出的关断输入，并且被配置为在关断输出处提供关断信号以停止电流从电压调节器输出的流动。
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公开(公告)号：CN117238875A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310698855.5
申请日：2023-06-13
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 一种可布线引线框架(RLF)基板，具有导电层，导电层具有分别具有第一指状件和第二指状件的第一侧迹线和第二侧迹线，第一指状件与第二指状件彼此交错。过孔层在导电层上。过孔层的第一侧导电过孔导电地耦合到第一侧迹线。过孔层的第二侧导电过孔导电地耦合到第二侧迹线。电介质成型材料设置在导电层的交错的指状件之间并且设置在第一侧导电过孔与第二侧导电过孔之间。指状件和过孔形成用于阻抗匹配和滤波的叉指电容器(IDC)。
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公开(公告)号：CN117215763A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310671529.5
申请日：2023-06-07
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: G06F9/50
Abstract: 一种示例装置包括：带宽估计器电路系统，所述带宽估计器电路系统被配置为：获得第一内存事务；并且确定与所述内存事务相关联的消耗带宽；以及选通电路系统，所述选通电路系统被配置为：允许将所述内存事务传输到内存控制器电路系统；基于所述第一内存事务的消耗带宽，确定是否禁止由所述第一内存事务的源生成的第二内存事务通过；并且当确定禁止所述第二内存事务通过时，阻止传输所述第二内存事务达基于所述消耗带宽的一定量的时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111034053B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201880055430.X
申请日：2018-07-06
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H03M1/14
Abstract: 在一些示例中，系统(500)包括模数转换器(ADC)(520)，以接收模拟输入信号(502)和复位信号(522)。ADC(520)将模拟输入信号(502)转换成数字信号(524)。系统(500)还包括耦合至ADC(524)转换成内部模拟信号(537)。系统(500)进一步包括耦合至DAC(536)的第一电容器(534)，以接收内部模拟信号(537)。系统(500)包括耦合至第一电容器(534)的第一开关(532)，以将模拟输入信号(502)提供给第一电容器(534)。系统(500)还包括第二开关(538)，以将第一电容器(534)耦合至接地。(520)的数模转换器(DAC)(536)，以将数字信号
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公开(公告)号：CN117178485A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202280030280.3
申请日：2022-04-28
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H03M1/66
Abstract: 基准电压发生器(200)包括比较器(225)、数模转换器(DAC)(255)和开关电容器累加器(160)。该比较器接收基准电压输入(144)、反馈输入(195)和控制信号(148)。该DAC被耦合到比较器的输出，并且该开关电容器累加器被耦合到DAC的输出。在一些实施方式中，数字滤波器被耦合在比较器的输出和DAC的输入之间。该开关电容器累加器可以被耦合到缓冲器(170)，该缓冲器输出反馈输入和用于模数转换器(ADC)的基准电压(130)。在一些实施方式中，反馈回路包括N个开关电容器累加器和耦合到比较器的输出的N个一位DAC，这些开关电容器累加器中的每个都耦合到唯一的一位DAC。
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公开(公告)号：CN117174580A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210890957.2
申请日：2022-07-27
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L23/544 , H01L21/78
Abstract: 本申请题为“用于管芯分离以减少激光飞溅的激光烧蚀以及电子器件”。一种方法(200)包括执行(204)激光烧蚀工艺，该激光烧蚀工艺去除晶圆的一部分以在晶圆的相邻管芯区之间的划线区中形成沟槽，该沟槽从晶圆的第一侧面朝向晶圆的相对的第二侧面延伸，该沟槽延伸穿过晶圆的金属化结构和有源电路部分，并且该沟槽的底部与晶圆的第二侧面间隔开。该方法(200)还包括在激光烧蚀工艺之后执行(216)从晶圆分离各个半导体管芯的晶圆扩展工艺。
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公开(公告)号：CN117155387A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310636225.5
申请日：2023-05-31
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Inventor： B·亨特
Abstract: 本申请公开了输入依赖性共模偏置。一种电路(200)包括开关电容器电路(202)和电压发生器电路(204)。开关电容器电路(202)包括第一开关(238)、第二开关(242)、第三开关(208)和第四开关(228)以及第一电容器(230)和第二电容器(232)。第一电容器(230)具有第一端子和第二端子，第一端子耦合到第一开关(238)。第二电容器(232)具有第一端子和第二端子，第二端子耦合到第二开关(242)。第三开关(208)具有耦合到第一电容器和第二电容器(230，232)的第二端子的端子。第四开关(228)具有第一端子和第二端子，第一端子耦合到第三开关(208)的端子，并耦合到第一电容器和第二电容器(230，232)的第二端子。电压发生器电路(204)具有耦合到第四开关(228)的第二端子的输出，并被配置为响应于共模输入偏置电压在第四开关(228)的第二端子处提供共模输出偏置电压。
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公开(公告)号：CN117153834A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310564607.1
申请日：2023-05-18
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H05K1/02 , H05K1/18 , H05K3/28 , H01L23/538
Abstract: 一种电源转换器模块包括基板，所述基板具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面。所述电源转换器模块包括在所述基板的第一表面上的厚印刷铜(TPC)基板。所述TPC基板包括：第一层，所述第一层具有被图案化在所述基板的第一表面上的TPC；以及第二层，所述第二层具有被图案化在所述第一层上的电介质。所述TPC基板包括：第三层，所述第三层具有被图案化在所述第二层上的TPC。所述电源转换器模块包括：功率晶体管，所述功率晶体管安装在所述TPC基板上；以及控制集成电路(IC)芯片，所述控制IC芯片安装在所述TPC基板上。
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