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公开(公告)号：CN103193200A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310080874.8
申请日：2013-03-14
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明公开了一种镀制在衬底上的火棉胶薄膜的图形化方法。该方法包括如下步骤：利用薄膜沉积方法在火棉胶薄膜上沉积一种容易腐蚀的掩模层；利用微加工技术中的光刻、显影、腐蚀等方法把该掩模层进行处理，获得所需要火棉胶薄膜图形的掩模层图形；利用丙酮去除暴露出来的火棉胶薄膜，再利用掩模层材料腐蚀液腐蚀掉表面的掩模层，最终获得火棉胶薄膜所需要的微小图形。该方法能够精细地制作出火棉胶薄膜的微纳图形，而且具有所用材料成本低，方法简单，操作方便等优点，解决了目前火棉胶薄膜的图形化难题。
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公开(公告)号：CN100429797C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200610104433.7
申请日：2006-07-31
Applicant: 西安工业大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明是一种锆钛酸铅薄膜红外热成像探测器悬空结构的制作方法，采用在硅片上镀制一定厚度的氧化镁薄膜作为制作锆钛酸铅薄膜非致冷焦平面红外热成像探测器悬空结构的牺牲层，并通过控制牺牲层的厚度来控制悬空高度；采用等离子体增强化学气相沉积方法制作SiNx，用于平衡锆钛酸铅薄膜的应力；应用快速热处理方法对共电极Ti/Pt以及锆钛酸铅敏感薄膜进行快速热处理，获得高性能的锆钛酸铅薄膜。本发明主要解决了牺牲层材料的去除方法简单，并与其他结构之间的相容性好、在快速热处理时对读出电路的保护以及探测器的悬空部分与基片连接的问题，满足了工业生产的客观需要。
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公开(公告)号：CN208033681U
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201820399017.2
申请日：2018-03-23
Applicant: 西安工业大学
IPC: B23B21/00
Abstract: 本实用新型涉及一种直线微动刀架,包括基座和安装在基座上的三维刀架体，三维刀架体包括水平旋转机构、纵向摆动机构和纵向移动机构；水平旋转机构包括旋转体和角度调节机构，旋转体通过光孔设置在基座上，角度调节机构与旋转体相连可控制旋转体的旋转角度；纵向摆动机构包括摆动块和关节轴承，摆动块通过连接轴与旋转体铰接，关节轴承包括竖杆、横杆和轴承体，竖杆通过螺纹与摆动块的上端面连接，横杆外接调整手柄，调整手柄可带动横杆前后移动进而控制摆动块上下摆动；纵向移动机构包括位移螺杆和刀架，位移螺杆可带动刀架相对摆动块上下移动。本实用新型结构简单、易操作，刀架位置调整效率、精度高，可完成三个维度的调整。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN201408748Y
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200820222266.0
申请日：2008-11-04
Applicant: 西安工业大学
IPC: H01L23/00 , H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本实用新型提供了一种掩蔽层保护性能良好、精确深度和线宽控制、对硅有良好的各向异性及快速深刻蚀速率，能大量应用的高深宽比的硅基深槽结构。在硅基底上沉积MgO薄膜作为刻蚀掩蔽层，在硅基底上刻蚀的槽深达420μm，深宽比为4∶1，侧壁垂直度达89°。本实用新型采用MgO薄膜为掩蔽层材料，对硅的刻蚀选择比高，刻蚀前沉积的MgO薄膜厚度为1.5μm，深槽刻蚀完毕后，硅基底上掩蔽层即刻蚀后的MgO薄膜厚度为100nm－250nm。有效地解决了掩蔽层在长时间刻蚀中会失去对硅的保护或掩蔽层过厚导致脱落的技术问题。刻蚀后深槽具有一定深宽比，侧壁垂直，可重复性好，成本低，无污染等优点，在微器件加工中有广泛的实用前景。
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公开(公告)号：CN220099176U
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202321453554.8
申请日：2023-06-08
Applicant: 西安工业大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/30
Abstract: 一种用于大面积制备二维材料的气体传输装置，包括：真空管；输气管组，设置在真空管内，输气管组包括两气体传输单元，气体传输单元分别具有一进气端和一出气端，进气端与外部连通，气体传输单元通过出气端通出合成载气；调节件，调节件包括安装在真空管内的比例管，气体传输单元的出气端均与比例管连通，比例管内设置有分隔件，分隔件用于调节不同合成载气的通入量；气体混合箱，气体混合箱分别开设有进气口和出气口，进气口与比例管连通，进气口和出气口之间设置有絮流件；合成基底水平设置在出气口下方。本实用新型便于控制合成二维材料时相应的气体传输比例，避免因原子比例失调导致合成材料比例错误，增强了制备效果。
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公开(公告)号：CN220253170U
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202321453716.8
申请日：2023-06-08
Applicant: 西安工业大学
IPC: H01J29/58
Abstract: 本实用新型提供了一种用于微光像增强器的多层结构防离子反馈膜，包括反馈膜基底，所述反馈膜基底平面上分别设置有反馈膜体，反馈膜体表面嵌有数个反馈膜透射蜂窝网孔，反馈膜基底侧边上设有微光像增强层膜，而上方外边上则连接着反馈膜夹层，通过反馈膜体的作用是反射微光并防止离子反馈。反馈膜透射蜂窝网孔可有效过滤掉离子反馈信号，并且让更多的微光能够透射到反馈膜体中。微光像增强层膜是多层结构防离子反馈膜的上层，可有效增强微光像的亮度和清晰度，通过氧化钛层膜是多层结构防离子反馈膜的一层，它的作用是增加反馈膜体的折射率，以提高反射效果。氧化锆层膜是多层结构防离子反馈膜的一层，它的作用是提高反馈膜体的透明性和稳定性。
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公开(公告)号：CN220138328U
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202321453805.2
申请日：2023-06-08
Applicant: 西安工业大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/0224
Abstract: 本实用新型涉及光电转换技术领域，具体地说，涉及一种高效光汇聚的光电转换结构。其包括多个黑硅基底，所述黑硅基底上表面设置有下电极，所述下电极上表面覆盖有光敏层，所述光敏层上表面覆盖有上电极，所述上电极上表面填充有汇聚层，解决了大量入射光被反射而没有被光电转换结构有效吸收，从而使得该种光电转换结构效率低的情况。
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公开(公告)号：CN220106552U
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202321453429.7
申请日：2023-06-08
Applicant: 西安工业大学
IPC: H01L31/0203 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/0236
Abstract: 本实用新型涉及光电探测器技术领域，具体地说，涉及一种具有高效能谐振腔的光电探测器。其包括汇聚层，汇聚层下表面设有上衬底，汇聚层底端与上衬底顶端固定连接，上衬底底端固定连接有上黏附层，上黏附层底端固定连接有上反射层，上反射层的下侧设有光敏层，光敏层下侧设有下衬底，下衬底底端固定连接有信号处理层，信号处理层底端固定连接有集成电路层，下衬底顶端设置有半圆状凹槽反射结构，下衬底顶端依附于下黏附层，下黏附层顶端依附有下反射层，解决了现有的光电探测器中，光敏材料的光吸收弱，光电转换效率低的情况。
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