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公开(公告)号：CN113299678A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110398179.0
申请日：2021-04-14
Abstract: 本发明涉及一种集成封装微显示芯片，其特征在于，包括衬底，蓝光Micro‑LED子像素、红光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素和红光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素；所述Micro‑LED子像素的n电极与Micro‑OLED或Micro‑QLED的其中一个电极相连，Micro‑LED子像素的p电极、红光Micro‑OLED或Micro‑QLED的另一个电极、绿光Micro‑OLED或Micro‑QLED的另一个电极分别引出，形成四个集成封装微显示芯片的引出电极。本发明将蓝光Micro‑LED子像素和红光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素以及绿光Micro‑OLED或Micro‑QLED子像素相结合，并通过晶圆级集成封装成一个较大尺寸的具有三基色可控发光的微显示像素芯片。
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公开(公告)号：CN113299228A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110388578.9
申请日：2021-04-12
Abstract: 本发明涉及一种基于GaN的多功能集成半导体显示器件，所述半导体显示器件包括从上至上依次设置的蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层和像素单元；所述半导体显示器件每个像素单元均包括LED发光结构、开关驱动元器件、多量子阱光电探测器件、光波导和信号感知传感器。本发明实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置和功能的集成度。
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公开(公告)号：CN112820844A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110106846.3
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明涉及一种薄膜封装结构及其制备方法，所述薄膜封装结构包括从下至上依次设置的有机聚合物衬底、柔性有机光电器件和具有周期起伏纳米结构的无机与有机交叠的薄膜封装层，所述薄膜封装层由无机阻隔层与有机阻隔层交替层叠形成，所述有机阻隔层通过具有周期起伏纳米结构的模板压印形成周期起伏纳米结构，再在其上制备无机阻隔层，交叠形成薄膜封装层。所述薄膜封装结构具有高水氧阻隔性能和弯曲性能。
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公开(公告)号：CN110690328B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910982153.3
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件。包括μLED晶粒，波长下转换发光层，上、下驱动电极，绝缘体，光学微结构以及控制模块，所述上、下驱动电极和所述μLED晶粒无直接的电学接触，所述控制模块分别与所述上、下驱动电极电学连接，为所述上、下驱动电极提供交变驱动信号形成驱动电场，所述驱动电场控制所述μLED晶粒的电子和空穴复合并发出第一光源，经所述波长下转换发光层而转化为第二光源。本发明提出的一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件中的驱动电极与μLED晶粒中p型半导体层和n型半导体层没有电学接触，能避免μLED发光器件中的芯片复杂制作工艺、以及μLED芯片与驱动芯片的键合和巨量转移工艺，有效降低μLED器件制作周期和成本。
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公开(公告)号：CN111834420A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535434.7
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种半导体混合型全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括衬底、第一接触电极以及设置于衬底上且沿横向方向分布的用于显示蓝光的B单元、用于显示绿光的G单元和用于显示红光的R单元。在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，以驱动B单元与G单元激发出蓝光和绿光；在R单元内的阴极和透明阳极之间施加电压，激发出红光，从而实现全彩化显示。本发明能够采用小功率输入信号来驱动发光芯片发光，实现半导体混合型全彩化显示。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111785714A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010760395.0
申请日：2020-07-31
Applicant: 晋江市博感电子科技有限公司 , 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种由LED和OLED相反极性并联组成的显示器件，所述显示器件包括无机发光二极管LED阵列、有机发光二极管OLED阵列以及具备多组电极的基板；LED和OLED通过基板上的一组电极电性连接，所述电极与LED的阴极和OLED的阳极相连；同一基板上的其他电极或其他基板上的电极则连接至LED的阳极和OLED的阴极。通过共享电极，该显示器件兼具高发光效率、高像素密度和长时间工作寿命。
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公开(公告)号：CN111724699A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010536411.8
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种NLED像素设置及修复方法。每个发光像素单元包括n个NLED芯片，每个像素单元包括至少m个NLED发光体；所述NLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和备用区域，通过Au-In键合、非Au-In互连或Au-In键合和非Au-In互连的复合方式将所述NLED芯片电极的互连区域与驱动背板像素电极的互连区域相连后，采用实时监测电极区域进行检测，在相应不良区域通过原位非Au-In连接方式将NLED芯片电极备用区域连接到驱动背板电极的对应备用区域上以进行修复，不必去除键合和连接不可靠的NLED芯片。本发明有效地降低了LED器件的制作周期和制作成本，并且大大提高了LED显示器件的良品率。
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公开(公告)号：CN108281456B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201810052340.7
申请日：2018-01-19
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及Micro‑LED器件结构及制作方法，其中器件结构包括：多个Micro‑LED芯片构成的显示阵列；Micro‑LED芯片上设置有多个刻蚀面，刻蚀面上衬底与生长在刻蚀面上的外延层晶格常数匹配，刻蚀面之外的衬底与生长在刻蚀面外的外延层晶格失配；刻蚀面构成一个或多个倒锥形的凹部；每个凹部中填充或不填充量子点，构成一个像素点；显示阵列上的每个像素点由驱动电路单独驱动。利用外延层生长的晶格匹配能自动形成Micro‑LED像素，节省传统像素形成方法利用多次光刻和刻蚀的过程，制作工艺简单，成本低。倒锥形像素结构在像素间距一定的情况下，不仅可以增加像素面积，还可以提高观看视角；同时利用倒锥形结构可以增加量子点色彩转换层的厚度，增加光的传输路径和光学转换效率。
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公开(公告)号：CN109768027B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201910085493.6
申请日：2019-01-29
Applicant: 福州大学
IPC: H01L23/498 , H01L33/62 , H01L27/15 , H01L21/48 , H01L21/603 , G09F9/33
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED显示屏结构和制造方法，涉及显示器技术领域，包括设置于显示屏正面并由Micro‑LED芯片构成的显示阵列，所述显示阵列中每一行每一列的Micro‑LED芯片分别经金属线连接，且显示阵列的表面以及行和列的金属线之间分别设置有一层绝缘层；所述显示屏的背面设置有驱动芯片、金属焊盘以及若干条一端与驱动芯片相连接的背面金属走线，每条背面金属走线在功能上与正面的金属线一一对应；所述显示屏正面的的金属线和背面一一对应的背面金属走线经过孔方式连接并形成通路。有效克服Micro‑LED显示屏设计制造过程的转移和键合难题。
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公开(公告)号：CN109256456B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201811093873.6
申请日：2018-09-19
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/48 , H01L33/46 , H01L25/075
Abstract: 本发明涉及一种实现Micro‑LED显示出光效率提升和窜扰降低的微结构及其制造方法，包括衬底、透明基板、LED芯片阵列、微透镜阵列、倒梯形微结构阵列、以及封框体；其中倒梯形微结构与LED芯片一一对准并封装在一起；倒梯形微结构的顶部为分布式布拉格反射层，外周侧为反射层，内部填充有量子点发光层；微透镜与倒梯形微结构一一对应，并与微结构粘在一起成为一个整体。本发明不仅可利用蓝色LED芯片激发红色/绿色量子点层而转换为红光/绿光，实现Micro‑LED显示的色彩转换；同时，利用微结构中的分布式布拉格反射层，提高Micro‑LED显示的出光效率，还可利用微结构中的反射层和微透镜阵列提高垂直方向的出光效率，防止相邻像素的出光干扰，实现光效提取和窜扰降低的Micro‑LED显示。
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