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公开(公告)号：CN102594135B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201210048989.4
申请日：2012-02-29
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
CPC classification number: Y02B70/126 , Y02P80/112
Abstract: 依据本发明的一种升压型PFC控制器，通过导通信号发生电路和关断信号发生电路来控制功率开关管的导通和关断，且所述PFC控制器无需内部时钟信号即可控制所述功率开关管的开关频率，可根据实际需要实现恒频工作或变频工作。降低了EMI滤波器的设计难度。另外，本发明通过输入电压前馈电路实现输出电压反馈变量与输入功率相关而与输入电压无关，有利于全球电网电压输入设计要求。
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公开(公告)号：CN102323841B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201110117069.9
申请日：2011-05-06
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Abstract: 依据本发明的一种新型的电流滞环控制电路，通过一误差信号发生电路接收所述功率级电路的输出电压和一基准电压，并产生一误差信号；通过一电流检测电路，用以检测功率级电路中的电流，以产生表征所述功率级电路中的电流信息的检测电压信号；通过补偿信号发生电路在检测电压信号上升时间段内产生一上升斜率为第一斜率的斜坡补偿信号；通过一控制信号发生电路接收所述误差信号、检测电压信号和所述斜坡补偿信号；通过一增加的斜坡补偿信号来补偿检测电流信息，以有效的稳定不同输入电压条件下的工作频率，并实现对输出负载的瞬态响应补偿，提高瞬态响应。
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公开(公告)号：CN102882377A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210353150.1
申请日：2012-09-20
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
CPC classification number: H02M3/33523 , H02M3/33592 , Y02B70/1475
Abstract: 本发明公开了应用于隔离式开关电源中的同步整流控制方法以及同步整流控制电路。依据本发明实施例的同步整流控制方法通过一基于同步整流器的第一功率端和第二功率端之间的电压的斜坡电压的峰值来准确判断原边侧的主功率器件关断时刻，来及时开启所述同步整流器，尽可能的减小主功率器件的关断时刻和同步整流器的开通时刻之间的间隔时间，来减小功率损耗，保证获得最大的工作效率。
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公开(公告)号：CN102832792A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210303541.2
申请日：2012-08-24
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H02M1/08 , H02M1/00 , H02M3/155 , H02M2001/0058 , Y02B70/1491
Abstract: 依据本发明的一种源极驱动控制电路及其控制方法，克服了现有技术中由于辅助绕组的存在而难以集成以及准谐振控制的精确度不高的问题。具体包括箝位电路、谷底电压检测电路和源极电压控制电路，并具有以下优点：由于主功率开关管的开启时刻具有最小的漏源电压，可以减小甚至消除导通电流尖峰，因此这种设计能够提供较低的导通损耗。另外，对于集成电路而言，如现有技术的准谐振控制方法，需要一个单独的引脚来检测漏源电压的谷底。而对本发明而言，通过对源极驱动内部电路信号的检测，就可以精确检测漏源电压的谷底电压，进而精确的实现对主功率开关管的准谐振软开关控制，同时节省了芯片的尺寸，使得芯片结构更加紧凑，并且封装和外围电路的设计也相对简单。
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公开(公告)号：CN117727757A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311778415.7
申请日：2023-12-21
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H01L27/085 , H01L21/335
Abstract: 本申请提供一种半导体器件，括绝缘衬底、沟道层、势垒层、第一栅极、第一源极、第一漏极、第二栅极、第二源极以及第二漏极。沟道层、势垒层、第一栅极、第一源极以及第一漏极形成第一晶体管，沟道层、势垒层、第二栅极、第二源极以及第二漏极形成第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管设置于绝缘衬底上。透过绝缘衬底的配置，抑制第一晶体管和第二晶体管之间的串扰，使第一晶体管和第二晶体管不会受到衬偏效应的影响，而无需第一源极和衬底的短接和第二源极和衬底的短接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116864530A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310872727.8
申请日：2023-07-14
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/10
Abstract: 本申请提供一种半导体器件，包括第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极、第二栅极、第一漏极以及第一源极。第二晶体管包括第二漏极、第三栅极以及第二源极。第二漏极电连接第一源极，并作为半导体器件的源极。第三栅极电连接第二栅极，并作为半导体器件的栅极。第二源极电连接第一栅极。第一漏极作为半导体器件的漏极。透过第一晶体管的第一栅极和第二栅极配置及第一晶体管的第一栅极和第二晶体管的第二源极连接，消除第一晶体管的栅极浮空，进而稳定第一晶体管的阈值电压，同时有效防止第一晶体管的误开启且不会带来整体电阻和栅电流的增加。可透过调节第二晶体管的阈值电压，调节整体半导体器件的阈值电压。
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公开(公告)号：CN116779671A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310887251.5
申请日：2023-07-18
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种半导体结构，包括：半导体器件和功率器件，所述半导体器件包括两个栅极、一个源极和一个漏极；所述功率器件包括一个栅极、一个源极和一个漏极；所述半导体器件的第一栅极与所述半导体器件的源极连接，作为所述半导体结构的栅极；所述半导体器件的第二栅极与所述功率器件的源极连接，作为所述半导体结构的源极；所述半导体器件的漏极与所述功率器件的栅极连接；所述功率器件的漏极作为所述半导体结构的漏极。在半导体结构的栅极施加电压，该电压需要先开通半导体器件的第一栅极G1下方的沟道的阈值电压，然后该电压才能用于开通功率器件栅极下方沟道阈值电压，因此，半导体结构的实际栅极阈值电压就被提高了。
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公开(公告)号：CN112615553B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202011483022.X
申请日：2020-12-16
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Abstract: 依据本发明的实施例揭露了一种交流‑直流转换电路，本发明所述的交流‑直流转换电路，利用N个输入端串联的第一类型的功率变换器替换现有技术中采用高耐压功率开关的boost电路以进行功率因数校正，避免在交流‑直流转换电路中使用高耐压的功率开关，使得交流‑直流转换电路的体积较小，开关损耗更小，能量损耗较少，且散热更好，整个电路的功率密度较大。
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公开(公告)号：CN116545269A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310524768.8
申请日：2018-09-19
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Abstract: 依据本发明的实施例涉及一种谐振型开关变换器，包括能够产生至少具有两个数值的不大于输入电压的第一电压信号的多电平产生电路和谐振回路。谐振回路复用部分或者全部多电平产生电路中的功率晶体管，降低了谐振支路的输入电压，并使之可控，降低了功率晶体管所承受的压降，降低开关管应力，以及开关损耗；并且，通过多路具有相同数值的第一电压信号的路径之间的切换控制，等同于提高了开关频率，更加有利于实现高频化，减小系统电路的体积和成本。
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公开(公告)号：CN114664801A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210204294.4
申请日：2022-03-02
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H01L23/552
Abstract: 本发明实施例公开了一种数字隔离器元件，所述数字隔离器元件包括第一芯片和与所述第一芯片电连接的第二芯片。其中，所述第一芯片包括第一衬底、形成于所述第一衬底上的第一电路、覆盖所述第一电路的电磁屏蔽结构以及设置于所述电磁屏蔽结构上的隔离传输结构，所述第二芯片包括与所述第一衬底分离的第二衬底以及形成于第二衬底上的第二电路。所述第一电路为编码电路或解码电路之一，所述第二电路为编码电路或解码电路中的另一个，所述隔离传输结构用于以电气隔离方式传输编码信号。通过所述数字隔离器元件可以在不影响数字隔离器性能的前提下，提高衬底利用率，减小芯片面积，降低芯片成本。
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