公开(公告)号：CN1049519C

公开(公告)日：2000-02-16

申请号：CN97107672.3

申请日：1997-09-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钟朝位 ,  张树人

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/46

Abstract: 本发明属III型陶瓷电容器生产中关键工艺之一的半导化烧结及处理方法，其特征是采用高温和触媒作用下得到的氨分解产物—氮氢混合气体替代原来的高纯氮气加高纯氢气作为半导化烧结所需的还原气氛；并在窑炉进出口端形成火帘密封，防止空气进入窑炉，从而使半导化烧结工艺中所用气体的成本下降到仅为原来的13.6%。采用本发明既降低了生产的总成本，又提高了生产的安全性，特别对规模化生产意义更加重大。

公开(公告)号：CN118894722A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410927305.0

申请日：2024-07-11

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 袁颖 ,  孟祥俊 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/475 ,  H01G4/12 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种具有类反铁电特性的钛酸铋钠基无铅弛豫铁电储能陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料包括用通式(1‑x)(Na0.3Bi0.38Sr0.28TiO3)‑xBi(Mg0.5Zr0.5)O3表示的具有类反铁电特性的钛酸铋钠基无铅弛豫铁电储能陶瓷材料，其中，x的范围为0≤x≤0.2。本发明通过协同优化策略从多维度对所述结构进行调控，获得了具有极低电滞损耗和类反铁电体特性的无铅弛豫铁电储能陶瓷材料，其电滞回线呈纤细的束腰型并随着Bi(Mg0.5Zr0.5)O3含量的增加束腰程度明显增大。同时，Bi(Mg0.5Zr0.5)O3含量的增加大幅提高了所述陶瓷材料的击穿电场并延迟了极化饱和，使其储能性能得到大幅改善，能同时兼具高储能密度及效率。本发明在一定程度上解决了电介质材料储能密度低以及储能密度与效率失配的问题，为开发兼具高储能密度及效率的环境友好型电介质储能陶瓷电容器提供了一种制备方法和材料选择。

公开(公告)号：CN118185207A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410295853.6

申请日：2024-03-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 袁颖 ,  李一凡 ,  唐斌 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C08L27/18 ,  C08K3/36 ,  C08K9/06 ,  C08K3/22 ,  C08J5/18 ,  B32B15/20 ,  B32B15/082 ,  B32B27/32 ,  B32B27/20

Abstract: 本发明公开了一种超低损耗聚四氟乙烯(PTFE)基高频复合介质基板及其制备方法。本发明称取一定质量的陶瓷粉和偶联剂均匀分散混合，烘干、过筛后制成改性陶瓷粉。本发明称取一定质量的改性二氧化硅陶瓷粉、改性高介陶瓷粉、助剂和PTFE乳液，高速分散机均匀分散混合后加入消泡剂、增稠剂制成混合浆料。采用涂覆的方式将浆料均匀涂覆在基带上，经高温烘干收卷裁成基片。将基片按照目标厚度叠层，经真空热压烧结，制成PTFE基复合介质基板。本发明制成的PTFE基复合介质基板具有超低介电损耗的特点，且制备工艺简单，可长时间保存。

公开(公告)号：CN116218216B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202310277669.4

申请日：2023-03-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  刘倩 ,  王华 ,  张庶 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C08L79/08 ,  C08K3/32 ,  C08J5/18 ,  C08G73/10

Abstract: 本发明属于电子材料及其制造领域，具体为一种高储能密度聚酰亚胺基复合材料及其制备方法。本发明在合成磷酸钙化合物的过程中，在钙离子与磷酸根离子形成团簇并成核之前，加入了三乙胺，其作为封端分子与磷酸根形成了氢键，使整个反应处于稳定的状态。最终制备的磷酸钙纳米颗粒是通过聚合和交联的形式获得的，所以当其作为无机填料引入到有机材料中时，能制备出更加均匀、更高储能密度的复合材料，该聚酰亚胺基复合材料击穿电场196～392MV/m，储能密度1.16～6.16J/cm3，储能效率高达98.1％；且制备工艺简单，所制备的复合材料性能稳定，为电子行业用于制备电容器的材料提供了更好地选择。

公开(公告)号：CN116496594A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310489733.5

申请日：2023-05-04

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 袁颖 ,  杨正祎 ,  卿竹 ,  唐斌 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C08L47/00 ,  C08L25/10 ,  C08K9/06 ,  C08K3/22 ,  B32B27/32 ,  B32B27/18 ,  B32B27/20 ,  B32B15/20 ,  B32B15/085

Abstract: 一种高介低介电常数温度系数的复合基板及其制备方法，属于高频小型化复合材料基板技术领域。所述复合基板的组分及各组分在复合基板中所占重量份为：ZnO‑TiO2‑Nb2O5基瓷粉填料：70～85份；硅烷偶联剂：0.5～2份；固化剂：2～4份；聚烯烃树脂：5～20份；助交联剂：3～5份。本发明提出的ZnO‑TiO2‑Nb2O5基瓷粉具有可调的高介电常数、低介电损耗、可调的低谐振频率温度系数和低烧结温度的特点，作为填料制备的复合基板具有高介电常数、低介电损耗和低介电常数温度系数。

公开(公告)号：CN114520114B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202210171277.5

申请日：2022-02-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 袁颖 ,  蒋泽华 ,  唐斌 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 一种高温度稳定性钛酸铋钠基介质储能陶瓷材料，属于电子信息功能材料与器件技术领域。陶瓷材料为Na0.5Bi0.5TiO3‑xBaTiO3‑ySrTiO3‑zZnTa2O6，其中0≤x≤0.1,0.2≤y≤0.5，0

公开(公告)号：CN114889273B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202210292711.5

申请日：2022-03-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 袁颖 ,  周梦婷 ,  唐斌 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: B32B27/32 ,  B32B27/06 ,  B32B33/00 ,  B32B37/00 ,  B32B37/06 ,  B32B37/10 ,  B32B38/16 ,  B32B38/00 ,  C09D1/00 ,  C09D7/65 ,  H05K3/02

Abstract: 本发明提供的无玻纤的陶瓷/碳氢树脂基微波介质基板及其制备方法，属于覆铜板技术领域，包括重量份数分别为5～15份的聚丁二烯、2～6份的苯乙烯‑丁二烯共聚物、3～9份的三元乙丙橡胶、0.2～1.5份的引发剂和70～90份的陶瓷粉体，将上述原料按顺序加入溶剂中得到胶液，刮涂于PTFE膜表面，经低温干燥后得到半固化片，进而制得微波介质基板。本发明无需玻璃布即可制得介电常数覆盖范围广的微波介质基板，并通过采用不同介电常数的陶瓷粉体配方，制备介电常数和复合基板温度系数可调的微波介质基板，应用广泛，制备工艺简单可控，成本低廉，适于工业化生产。

公开(公告)号：CN115141013A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210898147.1

申请日：2022-07-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  代欣霖 ,  司峰 ,  孙成礼 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明提供一种BaTiO3基X8R陶瓷基板材料及制备方法，属于电子材料技术领域。以BaTiO3为主料；二次添加剂包括ZnNb2O6、Nb2O5、NiO、Al2O3、SiO2、MnCO3以及稀土元素Nd、Ce、Sm、La中一种或一种以上的氧化物，制备方法包括配料、球磨、造粒、成型、烧结过程，BaTiO3基X8R陶瓷基板材料具有较低的介电损耗：tgδ≤0.8％，较高的绝缘电阻率：ρ≥1.0*1012Ω·cm，介电常数为900～3000，符合X8R标准的电容温度系数，能够满足陶瓷电容器尤其是单层陶瓷电容器制作要求，制备方法简单、易控、环保、成本低廉。

公开(公告)号：CN114394833A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202210015010.7

申请日：2022-01-07

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 袁颖 ,  曹磊 ,  唐斌 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

Abstract: 一种钨青铜结构高储能密度及功率密度无铅储能介质陶瓷材料，属于电子信息功能材料与器件技术领域。该陶瓷材料为A2‑3xR2xBNb5‑yTayO15，A为Sr、Ba中的一种，R为La、Nd、Sm、Gd、Dy、Ho、Er、Y中的一种或几种，B为K、Na中的一种，0.02≤x≤0.2，0≤y≤5。本发明介质陶瓷材料具有优异的性能：相对介电常数εr900～2000之间，介电损耗5×10‑4～6×10‑3之间，直流抗电强度28～60kV/mm之间，储能密度最高达2.8J/cm3，储能效率最高达95.6％，功率密度在60MW/cm3以上；性能稳定，制备工艺简单，能够满足现代储能元器件的应用需求。

公开(公告)号：CN112194468B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202011075136.0

申请日：2020-10-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  温擎宇 ,  杨鸿程 ,  孙成礼 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种低介电常数、低介电损耗Ca‑Al‑B基微波介质LTCC材料及其制备方法。本发明将CaO‑Al2O3‑B2O3三元体系的典型代表CaAl2B2O7作为Ca‑Al‑B基微波介质陶瓷材料通过添加助剂使其可应用于LTCC领域，实现了850℃～900℃的低温致密烧结，介电常数5～6.2，损耗低至4.19×10‑4，频率温度系数‑30～‑20ppm/℃。CaAl2B2O7作为CaO‑Al2O3‑B2O3三元体系的典型代表，其研究仅限于发光性能以及晶体结构分析，在固相烧结中，其反应过程、物相组成以及微波介电性能与各个物相含量之间的关系均未具体研究。本发明为低介低损LTCC材料提供了一种具有优异性能LTCC材料的新选择。