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公开(公告)号：CN101955355A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910089713.9
申请日：2009-07-21
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/624 , H01C7/10
Abstract: 本发明公开了一种低烧氧化物介电压敏陶瓷材料及其制备方法。该方法，包括如下步骤：1)将钙盐、铜盐、钛盐与含硼化合物与有机酸混合，进行溶胶凝胶反应，反应完毕后将产物进行第一次烧结；2)将所述步骤1)烧结完毕的产物进行造粒、成型及第二次烧结，得到目标产物。本发明提供的低烧氧化物介电压敏陶瓷材料，是一种压敏及高介电双功能Cu掺杂的CaTiO3基低温烧结陶瓷材料。该材料具有非线性欧姆特性，同时有高的介电常数和低的介电损耗。在广泛的温度范围内，样品具有很好的高介电常数、低介电损耗的频率稳定性，很好的压敏非线性，且环境友好，不含Bi、Pb等有毒元素，是一类具有广阔应用前景的新型压敏及高介电双功能陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN101786862A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200910244633.6
申请日：2009-12-31
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种热电材料及其制备方法。所述热电材料由长度为2-5微米、厚度为100-400纳米的片状晶粒组成，所述热电材料的化学组成为Ca2-xBixCo2O5，其中：0＜x≤0.20。该方法包括步骤：按照通式Ca2-xBixCo2O5的化学计量比，其中0＜x≤0.20，配制含有Ca2+、Bi+3和Co+3的溶液；将所述溶液中的Ca2+、Bi+3和Co+3沉淀并过滤，得到沉淀物；将所述沉淀物在700-850℃进行煅烧，得到煅烧物；和将所述煅烧物用放电等离子体烧结法在700-850℃进行烧结，得到所述热电材料。该热电材料高温热电性能优异。该制备方法可以在较低的温度和较短的时间，合成化学均匀性好、热电性能优异的Ca2Co2O5基热电材料。
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公开(公告)号：CN101345118A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810113786.2
申请日：2008-05-30
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种钛酸钡基磁性薄膜材料及其制备方法，属于磁性薄膜材料领域。其特征在于：所述薄膜材料以BaTiO3薄膜为基体，在其中掺入过渡族金属元素离子，所述薄膜材料的原子摩尔比为Ti 95－99.5％，过渡族金属原子0.5－5％。所述制备方法采用脉冲激光沉积法(PLD)，在SrTiO3单晶衬底上制备过渡族金属离子(如Mn、Co)掺杂的BaTiO3薄膜，获得室温铁电/铁磁薄膜。通过改变掺杂的过渡族金属的种类，改变过渡族金属元素掺杂量，改变沉积时间控制薄膜厚度，可实现薄膜的室温铁电、铁磁性调节。该方法具有设备简单，易控制，重复性强，适用于制备多功能磁性薄膜材料等特点，有望在自旋电子学等新兴领域的电子器件中，发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN100451172C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610112791.2
申请日：2006-09-01
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于材料科学领域的一种具有室温铁磁性的氧化物基稀磁半导体薄膜及其制备方法。所述薄膜的组成用LixNi1-x-yMyO来表示，o≤x≤0.1，o＜y≤0.1。采用溶胶—凝胶法，在Si衬底上用旋涂甩胶的方法制备Li及过渡族金属离子M的NiO薄膜，然后在快速热处理炉中处理，即获得室温铁磁性薄膜材料。本发明通过使用新型的宽带隙基体材料，和改变载流子浓度，得到具有可调控室温铁磁性的过渡族元素掺杂的氧化物基稀磁半导体材料。薄膜在室温下具有铁磁性和很高的电导率，薄膜的室温铁磁性的大小和电导率可以通过改变掺杂的过渡族金属的种类，以及Li离子的含量来调节。该技术工艺简单，重复性强，产品性能稳定。
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公开(公告)号：CN101251997A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810103812.3
申请日：2008-04-11
Applicant: 清华大学
IPC: G11B5/31
Abstract: 一种基于磁电效应的多铁性复合薄膜读取磁头，该读取磁头由生长在基片上的铁电氧化物层和磁性层构成。该读取磁头结构上有多种方案，包括生长在基片上的铁电氧化物层为第一层、磁性层为第二层，形成第一种结构单元；或生长在基片上的磁性层为第一层，铁电氧化物层为第二层，形成第二种结构单元；第一种结构单元在基片上重复堆叠；第二种结构单元在基片上重复堆叠；在基片上重复堆叠的第一种结构单元上面再堆叠一层铁电氧化物层；在基片上重复堆叠的第二种结构单元上面再堆叠一层磁性层以及在铁电氧化物基片上生长一层磁性层。该多铁性复合薄膜读取磁头与传统读取磁头相比具有无需外加偏置磁场、结构简单、无能耗等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1830893A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610008106.1
申请日：2006-02-20
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/46 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01C7/10 , H01C7/115
Abstract: 本发明公开了属于氧化物陶瓷材料制备特别是非线性压敏陶瓷材料制备技术领域的一种富TiO2的巨介电非线性压敏陶瓷材料合成方法。即以CaCO3，CuO和TiO2作为原材料，按CaCu3Ti4+xO12+2x的组成配备样品，首先预烧结得烧结的前驱体粒子，然后混合、造粒、干压成型，经1200℃左右空气中烧结即可获得富TiO2－CaCu2Ti4O12基的巨介电非线性压敏陶瓷材料。它是一种不含Bi和Pb的类钙钛矿系环境友好的非线性压敏陶瓷电阻器，它具有ε高达21150高介电常数、良好的压敏非线性和温度稳定性，是一类具有广阔应用前景的新型电容－压敏双功能陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN1334311A
公开(公告)日：2002-02-06
申请号：CN01130656.4
申请日：2001-08-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种球状超长余辉光致发光多孔陶瓷材料及其制备方法,首先按材料的化学组分对原料配比称重,通过搅拌机均匀混合后干燥、预烧,加入溶有有机无机分散剂的溶液,利用喷雾造粒塔进行喷雾造粒、干燥,在还原气氛的高温炉中进行烧成,即可合成松散度非常好的球状超长余辉光致发光多孔陶瓷材料。本发明方法解决了以往传统陶瓷烧结法烧成材料的硬团聚问题,并首次合成出了球形的多孔蓄光陶瓷材料。不仅使以往铝酸盐体系光致发光磷光体材料的吸光性能大大增加,并且使其抗水解特性也有大幅度的改善。通过该方法制得的光致发光多孔陶瓷材料经自然光或其它光源短时间照射后,在人眼可视亮度范围内,可以在黑暗中持续发光20小时以上。
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公开(公告)号：CN1334309A
公开(公告)日：2002-02-06
申请号：CN01130655.6
申请日：2001-08-17
Applicant: 清华大学
IPC: C09K9/00
Abstract: 本发明涉及一种铝酸盐基荧光粉的制备方法,首先按照所要制备的荧光粉的化学组成称量各原料,然后溶于柠檬酸制成溶液,在80－98℃下保温,使其逐渐形成溶胶、凝胶,最后成为干凝胶,预烧,过300目筛,最后在还原气氛中煅烧,即得微米级荧光粉。本发明的优点是:制备工艺较简单,易于操作,且周期较一般的溶胶－凝胶工艺较短;制得的荧光粉的均匀性较好,粉体颗粒在0.1－10μm之间,不经球磨可直接用于各种显示器;不采用价格较贵的金属有机物从而生产成本较低。
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公开(公告)号：CN116081695B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202310187676.5
申请日：2023-02-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了钙钛矿纳米颗粒及其制备方法和应用。制备钙钛矿纳米颗粒的方法包括：提供第一溶液；提供第二溶液；使第一溶液与第二溶液混合，向混合溶液中加入甘氨酸，得到第三溶液；将第三溶液置于自蔓延反应器中，在第一温度下加热第三溶液使溶剂蒸发；第三溶液转变为粘稠液体，将自蔓延反应器中的温度升高至第二温度，引发自蔓延反应；对自蔓延反应得到的反应产物进行煅烧；对煅烧产物进行急冷，得到钙钛矿纳米颗粒，钙钛矿纳米颗粒的化学式为(BiFeO3)(1‑x)‑(SrTiO3)x，0≤x≤1。多种原料可以在液相完全混合，使制备得到的产物具有更好的均匀性；自蔓延结合急冷，可以得到小尺寸且疏松多孔的钙钛矿纳米颗粒；反应周期短，可控性强；产物具有一定的催化CO氧化活性。
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公开(公告)号：CN116444987A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310118436.X
申请日：2023-02-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出了一种熵调控复合介电薄膜，包括聚合物基体；填料，所述填料分散在所述聚合物基体中，所述填料包括Bi4‑aM1aTi(3‑3b)M2bO12，其中，M1包括镧、钕、钐和镨中的至少一种，所述M2包括锆、铪和锡中的至少一种，0≤a＜4，0＜b＜1，所述填料的熵值不小于1.5R。由此，该熵调控复合介电薄膜耐高温、击穿强度高、极化强度高、储能密度高、稳定性好。
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