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公开(公告)号：CN101345118A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810113786.2
申请日：2008-05-30
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种钛酸钡基磁性薄膜材料及其制备方法，属于磁性薄膜材料领域。其特征在于：所述薄膜材料以BaTiO3薄膜为基体，在其中掺入过渡族金属元素离子，所述薄膜材料的原子摩尔比为Ti 95－99.5％，过渡族金属原子0.5－5％。所述制备方法采用脉冲激光沉积法(PLD)，在SrTiO3单晶衬底上制备过渡族金属离子(如Mn、Co)掺杂的BaTiO3薄膜，获得室温铁电/铁磁薄膜。通过改变掺杂的过渡族金属的种类，改变过渡族金属元素掺杂量，改变沉积时间控制薄膜厚度，可实现薄膜的室温铁电、铁磁性调节。该方法具有设备简单，易控制，重复性强，适用于制备多功能磁性薄膜材料等特点，有望在自旋电子学等新兴领域的电子器件中，发挥重要的作用。
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