-
公开(公告)号：CN116444987A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310118436.X
申请日：2023-02-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出了一种熵调控复合介电薄膜，包括聚合物基体；填料，所述填料分散在所述聚合物基体中，所述填料包括Bi4‑aM1aTi(3‑3b)M2bO12，其中，M1包括镧、钕、钐和镨中的至少一种，所述M2包括锆、铪和锡中的至少一种，0≤a＜4，0＜b＜1，所述填料的熵值不小于1.5R。由此，该熵调控复合介电薄膜耐高温、击穿强度高、极化强度高、储能密度高、稳定性好。
Search Results
1
records
(took 0.01 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
