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公开(公告)号：CN106756825A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611040248.6
申请日：2016-11-21
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: C23C14/3464 , C09K11/636 , C23C14/0036 , C23C14/14
Abstract: 本发明公开了一种波长可调的荧光涂层及其制备方法和应用，采用了磁控溅射法通过控制硅靶和硼靶的功率来调节荧光涂层的富硅量和掺硼量。掺硼量的变化在涂层中引入大量发光中心的同时，不同缺陷之间的比例也发生变化，从而实现荧光涂层的最大发射荧光波长在很大范围内变化，即可以通过调节硼含量可以得到理想的发光色彩。本发明制备工艺简单，工业兼容性好，在荧光粉以及光电子器件领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106684174A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611199319.7
申请日：2016-12-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/02363
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅片的表面制绒方法，依次对清洗后的多晶硅片进行第一次腐蚀和第二次腐蚀即完成制绒，第一次腐蚀时，将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀溶液中腐蚀，第二次腐蚀时，将经过第一次腐蚀后的多晶硅片置于由第二腐蚀溶液的雾化形成的雾中进行腐蚀。本发明的方法简单，成本低廉，不需要使用任何贵金属，无需使用昂贵的大型设备，且该制绒方法能够在金刚线切割多晶硅片表面制绒，将金刚线切割多晶硅太阳电池表面反射率最低可降至10％以下。且该制绒方法简单，成本低廉，不需要使用任何贵金属，无需使用昂贵的大型设备，具有很强的商业应用前景。
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公开(公告)号：CN106629736A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611184219.7
申请日：2016-12-20
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B33/021 , C23F1/20
CPC classification number: C01B33/021 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2006/16 , C23F1/20
Abstract: 本发明公开了一种多孔硅粉的制备方法，包括：采用刻蚀液对铝硅合金粉进行刻蚀，经过1‑600min的刻蚀得到含有纳米级孔道的多孔硅，孔径在1‑1000nm之间；将含有纳米级孔道的多孔硅置于酸性溶液中浸泡，之后经清洗去除杂质，得到多孔硅粉。所述的刻蚀液为由FeCl3、HCl、乙醇和水组成的混合溶液或者由AgNO3、HCl、乙醇和水组成的混合溶液。本发明以铝硅合金粉为原料，在酸腐蚀体系中，直接腐蚀合金粉中的铝后形成多孔硅粉，在硅粉内部形成孔隙率、结构可控的孔隙。本方法具有设备简单、反应时间短、操作方便、成本低、材料结构可控、能适应大规模工业生产等优势。
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公开(公告)号：CN105522168B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610016337.0
申请日：2016-01-08
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种立方体铂钌核壳纳米晶的制备方法，包含以下步骤：1)将乙酰丙酮钌、含铂化合物和三正辛基氧膦溶解于油胺和N，N‑二甲基甲酰胺的混合溶液中；所述的含铂化合物为氯铂酸或氯铂酸钠；2)将步骤1)中得到的混合溶液在180～250℃下，搅拌反应30～600min；3)将步骤2)中得到的产物经分离，得到沉淀物，即为立方体铂钌核壳纳米晶。本发明还涉及上述方法制备得到的立方体铂钌核壳纳米晶。该制备方法通过一步法获得形貌尺寸均一的立方体铂钌核壳纳米晶，所得的产物尺寸适中、分散性好，且制备方法简单。
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公开(公告)号：CN106346015A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610726078.0
申请日：2016-08-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种Pd@Pt薄层纳米粒子的制备方法，属于纳米材料领域。本发明的方法是将钯的前驱体溶液后加入到含有还原剂、分散剂以及修饰剂的混合溶液中，并于30℃-200℃反应1-5小时，得到Pd纳米粒子；然后将相转处理后的Pd纳米粒子分散至油相溶剂中，加入铂的前驱体溶液，并于150℃-300℃反应1-6小时，离心得到Pd@Pt薄层纳米粒子。本发明制得的Pd@Pt薄层纳米粒子形貌和尺寸分布均匀，外延质量高，可精确控制壳层的厚度和层数，在催化、电子器件、信息存储、光学器件、生物传感、微区成像以及医药等方面具有巨大的应用潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104495765B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201410750725.2
申请日：2014-12-09
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B21/068
Abstract: 本发明公开了一种利用多孔硅制备高α相氮化硅的方法，以多孔硅为原料，在氮气气氛下，依次经高温煅烧、研磨处理，得到所述的高α相氮化硅。本发明提供了一种利用多孔硅制备高α相氮化硅的方法，高效制备得到了高α相含量、粒径分布均匀的氮化硅，本制备方法工艺简单、性能可控，且生产周期短、极大地降低了生产能耗，成本低廉，适合于大规模的工业化生产。
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公开(公告)号：CN106112009A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610733653.X
申请日：2016-08-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种铑铂合金纳米花的制备方法，属于纳米材料领域。本发明方法是将铑和铂的前驱体溶解后，加入到修饰剂溶液中，并于160～220℃下搅拌反应1～3h，离心得到铑铂合金纳米花；制得的铑铂合金纳米花状结构由许多根密集的花蕊组成，尺寸分布均匀、分散性好而且合金成分可控。本发明方法操作极其简单，重复性高，对反应条件不灵敏，且较容易实现，能够规模化生产，在催化、尾气处理、医药、传感等方面有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN104201335B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410407070.9
申请日：2014-08-18
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/136 , H01M4/1397 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米片状磷酸铁锂及其制备方法，所述纳米片状磷酸铁锂的微观形貌为厚度10～100nm，长度600～800nm，宽度200～300nm的片状结构，并且垂直于厚度的方向为[010]。所述制备方法包括以下步骤：将CTAB(十六烷基三甲基溴化铵)和VC(L‑抗坏血酸)溶于水，加入磷源、亚铁源和锂源，混合均匀后进行水热反应，反应完成后将产物过滤、洗涤、干燥，制得所述的纳米片状磷酸铁锂。本发明制备的磷酸铁锂形貌规则，大小均匀，作为锂离子电池负极材料，独特的片状结构可以缩短充放电过程中锂离子的传输距离，从而改善电极材料的电化学性能；本发明采用水热法合成磷酸铁锂，具有能耗低、适用性广、步骤简单、容易控制、易于重复和放大等优点。
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公开(公告)号：CN104722775B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201510106358.7
申请日：2015-03-11
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种二维中空钯纳米晶的制备方法，将钯纳米种子、钯前驱体、溴离子修饰剂、还原剂和分散剂加入到溶剂中进行反应，制备得到二维中空钯纳米晶；所述钯纳米种子为钯纳米片。本发明制备方法以纳米片作为种子经过一步反应就能制备得到二维中空钯纳米晶，操作简单，反应条件温和，所用试剂较为便宜，毒性小，易实现。本发明还公开了所述制备方法制得的二维中空钯纳米晶，所述二维中空钯纳米晶上下表面为{111}晶面，二维中空钯纳米晶的厚度为2nm～4nm，所述二维中空钯纳米晶是一种超薄环状结构，提高了材料比表面积和原子利用率，有效增强了钯纳米晶的催化性能。
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公开(公告)号：CN105826528A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610165059.5
申请日：2016-03-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/386 , H01M4/364 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种制备多孔硅?铜复合材料的方法，具体为：将CuO、Mg2Si两种粉体原料均匀混合，在600～700℃下进行热处理，再经酸洗及后处理得到所述的多孔硅?铜复合材料。本发明的制备工艺简单，具有很大的操作性，所采用的原料来源丰富，价格便宜，所使用的方法途径容易在工厂中进行，特别是巧妙利用了镁和氧化铜的置换反应，在制得多孔硅的同时，生成纳米级的铜颗粒均匀弥散于多孔硅的表面，更加充分的发挥了铜对整个材料体系导电性的提高作用和铜颗粒对硅在脱嵌锂离子时的体积变化的缓冲作用。是一种潜在的可大规模合成结构独特的硅?铜复合材料的方法。
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