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公开(公告)号:CN115480332A
公开(公告)日:2022-12-16
申请号:CN202211289423.0
申请日:2022-10-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/20
Abstract: 本发明公开了一种纳米方环‑圆柱体耦合结构阵列全介质颜色滤波器,该滤波器的结构是以二氧化硅材料为衬底及其上为周期的介质纳米阵列单元结构构成的,该结构是由在方环和在方环中心位置内放置一个圆柱体组合所构成,方环的厚度为20nm,介质纳米阵列材料为硅;衬底的形状为矩形高度为60nm,利用光激发硅纳米结构的mie共振和波长和材料尺寸的密切相关性来滤出颜色。本发明可以改变圆柱的半径、改变方环的边长、改变纳米方环和纳米柱的高度和阵列的周期来改变阵列的周期刻蚀矩来调控所滤出的颜色,其滤出的颜色色域宽、具有良好的颜色饱和度。
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公开(公告)号:CN111580197B
公开(公告)日:2022-05-17
申请号:CN202010416220.8
申请日:2020-05-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 一种横向MIMI格点阵等离激元吸收器。由折射率为1.52的介质基底和以MIMI结构基本单元进行周期性排列形成的横向MIMI格点阵列构成,MIMI结构基本单元是由两列银长方体块和两列二氧化硅长方体块交替堆积形成,每列长方体块的长度和高度完全相同,垂直竖立在介质基底的上表面。整个结构放置在均匀的介质环境中,入射平面光波的入射方向即波矢k与介质基底的上表面垂直,入射光的电场方向平行于银长方体块和二氧化硅长方体块的长,入射光的磁场方向平行于银长方体块和二氧化硅长方体块的宽。通过两种不同的共振形式在吸收光谱上产生两个窄的共振吸收峰,且对介质环境折射率的变化具有很高的灵敏度,在生物化学物质检测领域具有很高的应用价值。
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公开(公告)号:CN113281301A
公开(公告)日:2021-08-20
申请号:CN202110523208.1
申请日:2021-05-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41 , G01K11/3206
Abstract: 本发明公开一种圆环‑矩形谐振腔结构的折射率、温度传感器,其传感器由圆环‑矩形复合形成的谐振腔以及在侧面耦合具有金属壁的金属‑绝缘体‑金属(MIM)波导组成。当入射光在波导中传输并耦合到谐振腔时,当满足共振条件时,可以产生Fano共振,在透射谱上出现三个尖锐非对称的共振峰。研究了该传感器的传输特性和传感特性,通过优化结构的几何参数,可以得到其最大的折射率灵敏度(S)为914nm/RIU。此外,在介质中填充乙醇,可实现高灵敏度的温度传感器,其最大灵敏度为0.35nm/℃。经研究该结构具有较高的灵敏度,在促进集成光子器件在纳米级光学传感方面具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号:CN109100332B
公开(公告)日:2021-07-02
申请号:CN201810751945.5
申请日:2018-07-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/552
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称开口圆环结构的双透射峰等离子光纤传感器,包括金属薄膜以及开设在金属薄膜上的周期开口圆环狭缝阵列结构。单个周期结构由左右两个开口圆环狭缝构成,内外半径相同但圆心角不同的两个开口圆环狭缝水平位于单元中心左右两侧。本发明的传感器结构在近红外频段内具有高品质因数高透射率的双透射峰特性,利用该特性可进一步提高传感器灵敏度,并且可使传感器工作在两个不同的频段。同时,通过修改相关结构参数可以达到调整双透射峰频谱位置的目的,从而可以实现工作频段宽、适用范围广、灵敏度高、易于加工的等离子光纤传感器。
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公开(公告)号:CN109449313B
公开(公告)日:2021-06-08
申请号:CN201811241689.1
申请日:2018-10-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于溶胶‑凝胶法制备有机发光二极管中空穴注入层的方法及构建的有机发光二极管,属于基本电气元件技术领域,该方法主要包括VOx前驱液的制备和空穴注入层的制备两个工艺环节,该方法中所使用的设备简单,合成工艺简单,易操作,且重复性好,由该方法获得的VOx前驱液具有水溶性、宽浓度耐受性、稳定性及优异的薄膜形态等优点,能够用于构建高性能的可见光或紫外有机发光二极管。
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公开(公告)号:CN112099311A
公开(公告)日:2020-12-18
申请号:CN202011001312.6
申请日:2020-09-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可以在目标基片制备出与AAO模板一致的分布均匀、形状统一的纳米结构的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法。该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法首先以进行PMMA旋涂的AAO多孔纳米结构为基底,在AAO表面生长一层金属层,再依次去除PMMA层和AAO层,利用玻璃衬底将纳米结构金属层从酸性溶液取出,将金属‑玻璃衬底上生长一层透明的覆盖层,最后得到由纳米结构金属‑玻璃衬底组成的亚微米级光刻掩膜版。采用该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法将AAO纳米结构图形尺寸完全复制到金属层上,再将金属层固定到玻璃衬底上制备得到亚微米级光刻掩膜版,具有操作简单、成本低、精度高、保存方便等优点。
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公开(公告)号:CN112098339A
公开(公告)日:2020-12-18
申请号:CN202010712874.5
申请日:2020-07-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/25
Abstract: 本发明提供了一种可同时实现多参量(温度、磁场强度和折射率)检测用的D型光子晶体光纤(PCF)表面等离子体共振(SPR)的传感器。所述D型PCF在纤芯两侧的两个空气孔分别引入磁流体和温敏介质形成通道1和通道2。本发明在D形PCF的侧抛平面、通道1和通道2的内壁分别涂覆金属膜;利用SPR效应,形成折射率传感通道;利用磁流体的磁光效应,形成磁场传感通道;同时利用温敏介质的温敏效应,形成温度传感通道,从而设计实现温度、磁场强度和折射率的多参量同时检测的传感器。本发明的优点是:克服传统光纤传感器单一测量的不足,实现了多参量同时检测;另外,D型结构减少了传感器与纤芯的距离,使传感器迅速检测待测液变化,实现高灵敏度传感。
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公开(公告)号:CN111552014A
公开(公告)日:2020-08-18
申请号:CN202010416222.7
申请日:2020-05-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明为一种横向MIM格点阵等离激元吸收器,由介质基底和具有周期性的金属纳米颗粒阵列构成,每组金属纳米颗粒由两个相对的金长方体块及其中间所夹的介质层构成。入射光为磁场方向平行于介质基底平面的TM平面波,其波矢k与竖直方向有一定夹角,从而可以在金属纳米颗粒阵列中激发OLP形式的格点阵等离激元,且相邻的纳米金属单元之间会产生较强的共振耦合,在特定的结构参数和入射角下就会对入射光产生特定的吸收峰。并且相比于与其它基于阵列的等离激元吸收器具有很高的品质因数和很好的调谐性,该横向MIM格点阵等离激元吸收器在微纳光学集成器件领域具有着良好的应用前景。
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公开(公告)号:CN111276783A
公开(公告)日:2020-06-12
申请号:CN202010174683.8
申请日:2020-03-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P5/08
Abstract: 本发明公开了一种全向传输的人工磁局域表面等离激元平移旋转耦合结构,全向传输的人工磁局域表面等离激元平移旋转耦合结构包括介质基板和开槽螺旋双臂结构,所述开槽螺旋双臂结构的数量至少为两个,两个所述开槽螺旋双臂结构位于所述介质基板上,所述开槽螺旋双臂结构包括两个螺旋臂,两个所述螺旋臂交错螺旋设置,两个所述螺旋臂的一端重合,至少两个所述开槽螺旋双臂结构的中心点连线与所述介质基板表面水平线具有夹角。沿特定路径实现全向传输,利用人工局域表面等离激元磁模式的角向均匀特性实现大角度弯曲传输。
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公开(公告)号:CN110098120A
公开(公告)日:2019-08-06
申请号:CN201910342453.5
申请日:2019-04-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/308 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及纳米结构技术领域,尤其涉及一种大面积转移制备纳米结构的方法,以Al作为基底,采用两次阳极氧化法制备单通AAO多孔纳米结构模板,并对单通AAO多孔纳米结构模板进行两次旋涂,再采用排水法和干法刻蚀制备工艺制备得到双通AAO纳米多孔薄膜,最后在目标基片表面获得纳米结构。本发明是一种大面积转移制备纳米结构的方法,能够实现将超薄AAO阵列纳米结构大面积转移至目标基片,并高精度、低成本、无损伤高均匀性地在目标基片制备出与AAO具有相同特征尺寸的高规整度纳米结构。
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